摘要:
通过吡咯β-位的卤化和/或通过在配体桥头位置使用氟化的芳基取代基,将系统电子变化引入单阴离子二吡喃酮配体骨架中,以合成1,9-二甲磺酰基-β-型的配体R 4 -5-Ar-联吡啶[R = H,Cl,Br,I; Ar = 1,3,5-(F 3 C)2 C 6 H 3,C 6 F 5在配体5位。β= 2,3,7,8配体取代; 缩写(β,ArL)H]。使用标准的电子吸收和电化学技术,对不同的配体变化及其二价铁配合物探测电子扰动。自由配体的变化会引起电子吸收最大值的适度偏移(λmax:464–499 nm),单电子配体减少的电化学氧化还原电位的偏移更为明显(E 1/2:-1.25至-1.99 V)和氧化(E 1/2:+0.52至+1.14 V对[Cp 2 Fe] + / 0)。通过将配体进行去质子化,然后用FeCl 2处理,将铁安装到双吡啶类支架中和过量的吡啶在四氢呋喃中提供类型(β,Ar L)FeCl(py)(py