合成了一种新型的基于
噻二唑的受体单元及其供体-受体共聚物,并对其进行了表征,以开发用于有机场效应晶体管(OFET)和有机光伏(OPV)的高性能半导体聚合物。我们成功地合成了一种
蒽[1,2- c:5,6- c']双([[1,2,5]
噻二唑)(ATz)核心和ATz-四
噻吩共聚物。这些共聚物的能隙较宽,约为。与典型的
噻二唑-低聚
噻吩共聚物相比,具有1.8 eV的热能能级和-5.4 eV的深能级。这种弱的电子接受性质可能是由于存在具有强供电子能力的烷氧基而使ATz核的电子亲和力降低。尽管分子顺序,薄膜结构和/或无定形结构不利,ATz共聚物仍表现出良好的半导体性能,空穴迁移率高达0.03 cm 2 V –1 s –1,光伏响应的PCE高达5.7%。