(HOMO) and lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) energy levels, thus yielding unipolar n-type transport character with electron mobility of 0.25 cm2 V−1 s−1 in organic thin-film transistors. These results demonstrate that DTQI is a promising building block for constructing n-type polymer semiconductors and can be extended to the design of other novel electron-deficient building blocks.
在聚合物主链中引入强缺电子结构单元是设计 n 型有机半导体的有效策略。在这项工作中,合成了一种强缺电子结构单元,即含有吸电子
喹喔啉和
酰亚胺单元的二
噻吩稠合
喹喔啉酰亚胺(DTQI),并将其纳入聚合物主链中。随着
喹喔啉酰亚胺 (QI) 单元合并到框架上,前沿分子轨道 (FMO) 能级降低。由于DTQI的高电子亲和力,基于DTQI的受体-受体(全受体,A-A)型聚合物P(DTQI-BTI)显示出深层的最高占据分子轨道(HOMO)和最低未占据分子轨道(LUMO) 能级,从而产生单极 n 型传输特性,电子迁移率为 0.25 cm有机薄膜晶体管中的2V -1 s-1。这些结果表明,DTQI 是构建 n 型聚合物半导体的有前途的构建模块,并且可以扩展到其他新型缺电子构建模块的设计。