Zr(1-methoxy-2-methyl-2-propoxy)4 | 474092-88-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: Zr(1-methoxy-2-methyl-2-propoxy)4
• 英文别名: tetrakis(1-methoxy-2-methyl-2-propoxy)zirconium；1-Methoxy-2-methylpropan-2-olate;zirconium(4+)；1-methoxy-2-methylpropan-2-olate;zirconium(4+)
• CAS: 474092-88-1；615287-00-8；309915-47-7
• 化学式: C₂₀H₄₄O₈Zr
• 分子量: 503.789
• InChiKey: DUJKCHHMRIHGIW-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 密度：
  1,136 g/cm3
• 闪点：
  67°C

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.92
• 重原子数：
  29
• 可旋转键数：
  8
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  129
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  8

安全信息

• TSCA：
  No

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  titanium (1-methoxy-2-methyl-2-propoxide)4 、 Zr(1-methoxy-2-methyl-2-propoxy)4 、 bis(dipivaloylmethanato)lead 以 further solvent(s) 为溶剂， 生成 lead zirconate titanate
  参考文献：
  名称：

  在自调节工艺窗口中生长的金属有机化学气相沉积 Pb(Zr0.15Ti0.85)O3 薄膜的铁电和可靠性特性

  摘要：

  在自调节工艺窗口中，通过金属有机化学气相沉积在 570°C 下在 Ir 电极上生长的 Pb(Zr0.15Ti0.85)O3 薄膜的铁电可靠性[恒定 Pb 浓度与前驱体输入比 (Pb∕( Zr+Ti)、PIR)]进行了研究。尽管在不同 PIR 下生长的薄膜的 Pb 成分和结晶度几乎相同，但在靠近工艺窗口中心的 PIR 下生长的薄膜表现出最好的铁电性能。X 射线光电子能谱表明，在较低和较高 PIR 下生长的薄膜分别具有残留的 ZrO2 和金属 Pb，这导致剩余极化和可靠性降低。

  DOI：

  10.1063/1.2198487

文献信息

• Ferroelectric and reliability properties of metal-organic chemical vapor deposited Pb(Zr0.15Ti0.85)O3 thin films grown in the self-regulation process window
  作者：Jin Shi Zhao、Hyun Ju Lee、Joon Seop Sim、Keun Lee、Cheol Seong Hwang

  DOI：10.1063/1.2198487

  日期：2006.4.24

  Ferroelectric reliability of Pb(Zr0.15Ti0.85)O3 films grown by metal-organic chemical vapor deposition at 570°C on an Ir electrode in the self-regulation process window [constant Pb concentration irrespective of the precursor input ratio (Pb∕(Zr+Ti), PIR)] was studied. Although the Pb composition and crystallinity of the films grown under different PIR were almost identical, the film grown under a

  在自调节工艺窗口中，通过金属有机化学气相沉积在 570°C 下在 Ir 电极上生长的 Pb(Zr0.15Ti0.85)O3 薄膜的铁电可靠性[恒定 Pb 浓度与前驱体输入比 (Pb∕( Zr+Ti)、PIR)]进行了研究。尽管在不同 PIR 下生长的薄膜的 Pb 成分和结晶度几乎相同，但在靠近工艺窗口中心的 PIR 下生长的薄膜表现出最好的铁电性能。X 射线光电子能谱表明，在较低和较高 PIR 下生长的薄膜分别具有残留的 ZrO2 和金属 Pb，这导致剩余极化和可靠性降低。