1-(pyridin-3-yl)prop-2-yn-1-one

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: 1-(pyridin-3-yl)prop-2-yn-1-one
• 英文别名: 1-pyridin-3-ylprop-2-yn-1-one
• 化学式: C₈H₅NO
• 分子量: 131.134
• InChiKey: AJGRNFBILCKSEJ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.9
• 重原子数：
  10
• 可旋转键数：
  1
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  30
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  1-(pyridin-3-yl)prop-2-yn-1-one 在 三氯氧磷 作用下， 以 乙醇 、 甲苯 为溶剂， 反应 14.33h， 生成 4-(3-吡啶基)-2-氯嘧啶
  参考文献：
  名称：

  具有药物活性的伊马胺衍生物及其制备方法

  摘要：

  本发明公开了一种具有药物活性的伊马胺衍生物及其制备方法，属于医药合成技术领域。本发明的技术方案要点为：一种具有药物活性的伊马胺衍生物，其结构式为：本发明还具有抗肿瘤活性的伊马胺衍生物的制备方法。本发明制得的伊马胺衍生物对肺癌细胞A549具有较好的抑制活性，具有成为抗肿瘤药物的潜质。

  公开号：

  CN109305961A

文献信息

• 一种多取代吡啶环类化合物其制备方法及应用
  申请人：济南爱思医药科技有限公司

  公开号：CN109336866A

  公开（公告）日：2019-02-15

  本发明属于药物合成的技术领域，具体涉及一种具有抗肿瘤活性的，具体为一种多取代吡啶环类化合物其制备方法及应用。多取代吡啶环类化合物，其分子结构为：，该具有抗肿瘤活性的多取代吡啶环类化合物，合成方法简单、原料价格低廉，结构新颖。
• Tachykinin receptor antagonists
  申请人：Amegadzie Kudzovi Albert

  公开号：US20050239776A1

  公开（公告）日：2005-10-27

  The present invention relates to selective NK-1 receptor antagonists of Formula (I); or a pharmaceutically acceptable salt thereof, for the treatment of disorders associated with an excess of tachykinins.

  本发明涉及选择性NK-1受体拮抗剂的公式（I）或其药学上可接受的盐，用于治疗与过多的速激肽相关的疾病。
• US7179804B2
  申请人：——

  公开号：US7179804B2

  公开（公告）日：2007-02-20
• [EN] PATTERN FORMING METHOD, CHEMICAL AMPLIFICATION RESIST COMPOSITION AND RESIST FILM<br/>[FR] PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN MOTIF, COMPOSITION DE RÉSIST À AMPLIFICATION CHIMIQUE ET FILM DE RÉSIST
  申请人：FUJIFILM CORP

  公开号：WO2010147228A1

  公开（公告）日：2010-12-23

  A pattern forming method, including: (i) forming a film from a chemical amplification resist composition; (ii) exposing the film, so as to form an exposed film; and (iii) developing the exposed film by using a developer containing an organic solvent, wherein the chemical amplification resist composition contains: (A) a resin capable of decreasing a solubility of the resin (A) in the developer containing an organic solvent by an action of an acid; (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation; and (C) a basic compound or ammonium salt compound whose basicity decreases upon irradiation with an actinic ray or radiation, and a resist composition used for the pattern forming method and a resist film formed from the resist composition are provided.