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10-hexyl-3,7-bis(7-phenylbenzo[c][1,2,5]thiadiazol-4-yl)-10H-phenothiazine | 1579282-49-7

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
10-hexyl-3,7-bis(7-phenylbenzo[c][1,2,5]thiadiazol-4-yl)-10H-phenothiazine
英文别名
10-Hexyl-3,7-bis(7-phenyl-2,1,3-benzothiadiazol-4-yl)phenothiazine;10-hexyl-3,7-bis(7-phenyl-2,1,3-benzothiadiazol-4-yl)phenothiazine
10-hexyl-3,7-bis(7-phenylbenzo[c][1,2,5]thiadiazol-4-yl)-10H-phenothiazine化学式
CAS
1579282-49-7
化学式
C42H33N5S3
mdl
——
分子量
703.956
InChiKey
JOUZTTMHDMHLIC-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    12.3
  • 重原子数:
    50
  • 可旋转键数:
    9
  • 环数:
    9.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.14
  • 拓扑面积:
    137
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    8

上下游信息

  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为产物:
    参考文献:
    名称:
    基于蝶形供体-受体发色团的高效近红外有机发光二极管,具有强固态荧光和大比例的激子。
    摘要:
    近红外(NIR)有机发光二极管(OLED)的开发受到越来越多的关注。供体-受体(D-A)生色团已成为NIR OLED应用中一类重要的NIR材料。但是,基于常规D–A发色团的NIR OLED的外部量子效率(EQE)通常低于1%。本文报道的是蝶形D–A化合物PTZ-BZP。PTZ-BZP薄膜显示出很强的近红外荧光,发射峰位于700 nm,相应的量子效率达到16%。值得注意的是,基于PTZ-BZP的NIR OLED的EQE为1.54%,观察到低效率的滚降以及48%的高辐射激子比,突破了传统荧光灯的25%极限OLED。
    DOI:
    10.1002/anie.201308486
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文献信息

  • Highly Efficient Near‐Infrared Organic Light‐Emitting Diode Based on a Butterfly‐Shaped Donor–Acceptor Chromophore with Strong Solid‐State Fluorescence and a Large Proportion of Radiative Excitons
    作者:Liang Yao、Shitong Zhang、Rong Wang、Weijun Li、Fangzhong Shen、Bing Yang、Yuguang Ma
    DOI:10.1002/anie.201308486
    日期:2014.2.17
    The development of nearinfrared (NIR) organic lightemitting diodes (OLEDs) is of growing interest. Donor–acceptor (D–A) chromophores have served as an important class of NIR materials for NIR OLED applications. However, the external quantum efficiencies (EQEs) of NIR OLEDs based on conventional D–A chromophores are typically below 1 %. Reported herein is a butterfly‐shaped D–A compound, PTZ‐BZP.
    近红外(NIR)有机发光二极管(OLED)的开发受到越来越多的关注。供体-受体(D-A)生色团已成为NIR OLED应用中一类重要的NIR材料。但是,基于常规D–A发色团的NIR OLED的外部量子效率(EQE)通常低于1%。本文报道的是蝶形D–A化合物PTZ-BZP。PTZ-BZP薄膜显示出很强的近红外荧光,发射峰位于700 nm,相应的量子效率达到16%。值得注意的是,基于PTZ-BZP的NIR OLED的EQE为1.54%,观察到低效率的滚降以及48%的高辐射激子比,突破了传统荧光灯的25%极限OLED。
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