为了检查在斯蒂尔条件(MeLi / HMPA / 0℃)下它们亲核的Si,Si键裂解反应的区域选择性,已经合成了一系列的12个苯基取代的芳基五甲基二
硅烷1a-1。已经发现,这些反应对苯环中取代基的电子效应的敏感性可以用哈米特型方程log(k(A)/ k(B))= 0.4334 + 2.421(Sigmasigma)描述。(相关系数R = 0.983)。k(A)/ k(B)之比表示不对称乙
硅烷在
硅原子A(连接至芳基环)或
硅原子B(远离芳基环)上的相对进攻速率。从而,目前的研究表明,应放弃或至少认真修正较早的信念,即不对称乙
硅烷的亲核裂解总是产生更稳定的甲
硅烷基阴离子物质(热力学控制)的早期观点:动力学因素似乎对区域选择性起主要作用这种反应。由于两个主要的动力学因素(即给定
硅原子的亲电子特性和位阻)对反应的方向具有相反的影响,因此动力学和热力学控制可能会导致相同的结果。对于某些不对称的乙
硅烷,