2,4-dimethyl-2,4-octanediol | 7177-01-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: 2,4-dimethyl-2,4-octanediol
• 英文别名: 2,4-dimethyl-octane-2,4-diol；2,4-Dimethyl-octan-2,4-diol；2,4-Dihydroxy-2,4-dimethyl-octan；2,4-Dimethyl-octandiol-(2,4)；2,4-Dimethyloctan-2,4-diol；2,4-dimethyloctane-2,4-diol
• CAS: 7177-01-7
• 化学式: C₁₀H₂₂O₂
• 分子量: 174.283
• InChiKey: YYABQLHINCULIT-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  73 °C
• 沸点：
  116-117 °C(Press: 5 Torr)
• 密度：
  0.9020 g/cm3(Temp: 21.5 °C)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.9
• 重原子数：
  12
• 可旋转键数：
  5
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  40.5
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2,4-dimethyl-2,4-octanediol 生成 2,4-二甲基辛烷
  参考文献：
  名称：

  Jacquemain, Comptes Rendus Hebdomadaires des Seances de l'Academie des Sciences, 1942, vol. 215, p. 180

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  二丙酮醇 在 铂 作用下， 生成 2,4-dimethyl-2,4-octanediol
  参考文献：
  名称：

  Nasarow; Torgow, Izvestiya Akademii Nauk SSSR, Seriya Khimicheskaya, 1943, p. 129

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Organo cerium reagents in organic chemistry: General method of synthesis of alkyl substituted 1,3-diols by RLi-CeCl3 addition to β-hydroxyketones
  作者：Giuseppe Bartoli、Marcella Bosco、Jacco Van Beek、Letizia Sambri、Enrico Marcantoni

  DOI：10.1016/0040-4039(96)00246-8

  日期：1996.3

  Organocerium compounds (RLi-CeCl3) are able to transfer an alkyl group to the carbonylic function of a β-hydroxyketone giving alkyl substituted 1,3-diols in excellent yields. The use of these not sophisticated reagents is essential to depress undesired dimetallation and retroaldol side processes.

  有机铈化合物（RLi-CeCl 3）能够以优异的产率将烷基转移至β-羟基酮的羰基官能团上，从而得到烷基取代的1，3-二醇。这些不复杂的试剂的使用对于抑制不希望的双金属化和反醛醇副反应是必不可少的。
• Composition for forming titanium-containing resist underlayer film and patterning process
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US09188866B2

  公开（公告）日：2015-11-17

  The invention provides a composition for forming a titanium-containing resist underlayer film comprising: as a component (A), compounds selected from titanium compounds represented by the following general formulae (A-1) and (A-2) and a titanium-containing compound obtained by hydrolysis and/or condensation of the titanium compounds, as a component (B), compounds selected from titanium compounds represented by the following general formulae (B-1) and (B-2) and a titanium-containing compound obtained by hydrolysis and/or condensation of the titanium compounds, and as a component (D), solvent. There can be provided a composition for forming a titanium-containing resist underlayer film to form a resist underlayer film having favorable pattern adhesiveness and excellent etching selectivity. Ti(OR1A)4  (A-1) Ti(OR1A)4−na(OR2AO)na  (A-2) Ti(OR1B)4  (B-1) Ti(OR1B)4−nb(OR2BO)nb  (B-2)

  本发明提供了一种用于形成含钛抗蚀底层膜的组合物，包括：作为组分（A），选择自下列通式（A-1）和（A-2）所表示的钛化合物以及通过钛化合物的水解和/或缩合而获得的含钛化合物；作为组分（B），选择自下列通式（B-1）和（B-2）所表示的钛化合物以及通过钛化合物的水解和/或缩合而获得的含钛化合物；以及作为组分（D），溶剂。可以提供一种用于形成含钛抗蚀底层膜的组合物，以形成具有良好图案粘附性和优异蚀刻选择性的抗蚀底层膜。其中，通式（A-1）为Ti(OR1A)4，通式（A-2）为Ti(OR1A)4−na(OR2AO)na，通式（B-1）为Ti(OR1B)4，通式（B-2）为Ti(OR1B)4−nb(OR2BO)nb。
• Patterning process
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US11366386B2

  公开（公告）日：2022-06-21

  A patterning process, including: forming the first resist film from first resist material containing an acid generator and thermosetting compound having a hydroxy group and/or carboxy group protected by an acid-labile group; forming the second resist film on first resist film from a second resist material containing a metal compound (A) and a sensitizer; irradiating the first and second resist film with a high energy beam or an electron beam to perform pattern exposure to deprotect the hydroxy group and/or carboxy group in a pattern exposed portion of first resist film and to form a crosslinked portion of the component (A) with the deprotected hydroxy and/or carboxy group on the pattern exposed portion; and developing the second resist film with a developer to give a metal film pattern composed of the crosslinked portion. This provides a method for forming a thin film resist pattern with higher resolution and higher sensitivity.

  一种图形化方法，包括以下步骤： 1. 形成第一抗蚀膜：使用包含酸发生剂及具有被酸敏感基团保护的羟基和/或羧基的热固性化合物的第一抗蚀材料。 2. 形成第二抗蚀膜：在第一抗蚀膜上使用包含金属化合物(A)和感光剂的第二抗蚀材料。 3. 曝光：利用高能束或电子束照射第一和第二抗蚀膜，进行图形曝光。在此过程中，暴露区域的第一抗蚀膜中的羟基和/或羧基的保护基团被去除，同时金属化合物(A)与脱保护的羟基和/或羧基在该暴露区域形成交联部分。 4. 显影：使用显影剂显影第二抗蚀膜，形成由交联部分构成的金属膜图案。 此方法能够实现更高分辨率和更高灵敏度的薄膜抗蚀图形制备。
• Jacquemain, Comptes Rendus Hebdomadaires des Seances de l'Academie des Sciences, 1942, vol. 214, p. 880
  作者：Jacquemain

  DOI：——

  日期：——
• Bogdanova,A.V. et al., Journal of Organic Chemistry USSR (English Translation), 1966, vol. 2, p. 832 - 840
  作者：Bogdanova,A.V. et al.

  DOI：——

  日期：——