sodium 2-hydroxy-1,1,3,3,3-pentafluoropropane-1-sulfonate

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物 - 有机磺酸及其衍生物
• 英文名称: sodium 2-hydroxy-1,1,3,3,3-pentafluoropropane-1-sulfonate
• 英文别名: Sodium 1,1,3,3,3-pentafluoro-2-hydroxypropanesulfonate；sodium;1,1,3,3,3-pentafluoro-2-hydroxypropane-1-sulfonate
• 化学式: C₃H₂F₅O₄S*Na
• 分子量: 252.094
• InChiKey: MCTUECRIKRXPET-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -2.95
• 重原子数：
  14
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  85.8
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  9

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  sodium 2-hydroxy-1,1,3,3,3-pentafluoropropane-1-sulfonate 、 苄基三甲基氯化铵 生成 苄基三甲基(1,1,3,3,3-五氟-2-羟基丙磺酸)铵
  参考文献：
  名称：

  RESIST COMPOSITION, PATTERNING PROCESS, AND BARIUM, CESIUM AND CERIUM SALTS

  摘要：

  一种抗蚀组合物包括基树脂，其中包含含酸敏感基团的重复单元，最好包含含酸发生剂的重复单元，以及与烷基、烯基、炔基或芳基结合的α-氟磺酸的钠、镁、钾、钙、铷、锶、钇、铯、钡或铈盐，表现出高分辨率和灵敏度，并在曝光和显影后形成具有最小LWR的满意轮廓图案。

  公开号：

  US20170115566A1
• 作为产物：
  描述：

  sodium 2-benzoyloxy-1,1,3,3,3-pentafluoropropanesulfonate 在 sodium hydroxide 作用下， 以 水 为溶剂， 反应 2.0h， 生成 sodium 2-hydroxy-1,1,3,3,3-pentafluoropropane-1-sulfonate
  参考文献：
  名称：

  Novel fluorohydroxyalkyl sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions, and patterning process

  摘要：

  公开号：

  EP1780199B1

文献信息

• 一种光刻胶产酸树脂单体及其合成方法和应用
  申请人：徐州博康信息化学品有限公司

  公开号：CN113429324A

  公开（公告）日：2021-09-24

  本发明涉及光刻胶技术领域，且公开了一种光刻胶产酸树脂单体及其合成方法和应用。所述树脂单体的结构为：其中，R1为H或者甲基，R2为C1‑C12的烷烃，L1、L2为二价连接键，A1、A2、A3、A4各自独立的为F、H或者CF3，且A1、A2、A3、A4中至少有一个为F或者 。本发明特定结构的树脂单体，光致产酸的锍盐基团与不饱和丙烯酸酯连接，聚合后结合在树脂上，可有效防止酸的扩散，并且其阴阳离子在同一个结构中，进一步抑制了酸的扩散，能够有效的降低线边缘粗糙度，提高分辨率。
• Novel sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
  申请人：Kobayashi Katsuhiro

  公开号：US20070099113A1

  公开（公告）日：2007-05-03

  Sulfonate salts have the formula: CF 3 —CH(OH)—CF 2 SO 3 − M + wherein M + is a Li, Na, K, ammonium or tetramethylammonium ion. Because of inclusion within the molecule of a hydroxyl group which is a polar group, the sulfonic acids are effective for restraining the length of acid diffusion through hydrogen bond or the like. The photoacid generators that generate these sulfonic acids perform well during the device fabrication process including coating, pre-baking, exposure, post-exposure baking, and developing steps. The photoacid generators are little affected by water left on the wafer during the ArF immersion lithography.

  磺酸盐的化学式为：CF3—CH(OH)—CF2SO3−M+，其中M+为Li、Na、K、铵或四甲基铵离子。由于分子中包含一个极性羟基，磺酸具有通过氢键等方式抑制酸扩散长度的有效性。生成这些磺酸的光酸发生剂在器件制造过程中，包括涂覆、预烘、曝光、后烘和显影步骤中表现良好。这些光酸发生剂受到ArF浸没光刻过程中晶片上残留水的影响很小。
• Sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US07556909B2

  公开（公告）日：2009-07-07

  Sulfonate salts have the formula: CF3—CH(OH)—CF2SO3−M+ wherein M+ is a Li, Na, K, ammonium or tetramethylammonium ion. Because of inclusion within the molecule of a hydroxyl group which is a polar group, the sulfonic acids are effective for restraining the length of acid diffusion through hydrogen bond or the like. The photoacid generators that generate these sulfonic acids perform well during the device fabrication process including coating, pre-baking, exposure, post-exposure baking, and developing steps. The photoacid generators are little affected by water left on the wafer during the ArF immersion lithography.

  磺酸盐的化学式为：CF3—CH(OH)—CF2SO3−M+，其中M+可以是锂、钠、钾、铵或四甲基铵离子。由于分子中包含一个极性羟基，磺酸具有通过氢键等方式抑制酸扩散长度的效果。生成这些磺酸的光酸发生剂在器件制造过程中，包括涂覆、预烘、曝光、后烘和显影步骤中表现良好。在ArF浸没光刻过程中，这些光酸发生剂受到残留在晶圆上的水的影响较小。
• Sulfonium salt, resist composition, and patterning process
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US08173354B2

  公开（公告）日：2012-05-08

  A sulfonium salt having a triphenylsulfonium cation and a sulfite anion within the molecule is best suited as a photoacid generator in chemically amplified resist compositions. Upon exposure to high-energy radiation, the sulfonium salt generates a sulfonic acid, which facilitates efficient scission of acid labile groups in chemically amplified positive resist compositions. Because of substantial non-volatility under high vacuum conditions in the EB or EUV lithography, the risk of the exposure tool being contaminated is minimized.

  分子中含有三苯基磺鎓阳离子和亚磺酸盐阴离子的磺鎓盐是化学增感抗蚀剂组合物中最适合用作光酸发生剂的。在高能辐射的照射下，磺鎓盐会产生磺酸，从而促进化学增感正向抗蚀剂组合物中酸不稳定基团的高效裂解。由于在EB或EUV光刻术中高真空条件下具有相当的非挥发性，因此减少了曝光工具被污染的风险。
• SULFONIUM SALT, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：OHSAWA Youichi

  公开号：US20110008735A1

  公开（公告）日：2011-01-13

  A sulfonium salt having a triphenylsulfonium cation and a sulfite anion within the molecule is best suited as a photoacid generator in chemically amplified resist compositions. Upon exposure to high-energy radiation, the sulfonium salt generates a sulfonic acid, which facilitates efficient scission of acid labile groups in chemically amplified positive resist compositions. Because of substantial non-volatility under high vacuum conditions in the EB or EUV lithography, the risk of the exposure tool being contaminated is minimized.

  分子内含有三苯基硫鎓阳离子和亚硫酸盐阴离子的硫鎓盐最适合用作化学增感抗蚀剂组分中的光酸发生剂。在高能辐射的作用下，硫鎓盐会生成磺酸，从而促进化学增感阳性抗蚀剂组分中酸敏感基团的高效裂解。由于在电子束或极紫外光刻过程中，硫鎓盐在高真空条件下具有相当大的非挥发性，因此减少了曝光工具被污染的风险。