sodium 2-benzoyloxy-1,1,3,3,3-pentafluoropropanesulfonate | 911683-54-0

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: sodium 2-benzoyloxy-1,1,3,3,3-pentafluoropropanesulfonate
• 英文别名: sodium 1,1,3,3,3-pentafluoro-2-benzoyloxy-propane-1-sulfonate；sodium 2-benzoyloxy-1,1,3,3,3-pentafluoro-propane-1-sulfonate；sodium 1,1,3,3,3-pentafluoro-2-benzoyloxypropane-1-sulfonate；sodium 2-benzoyloxy-1,1,3,3,3-pentafluoropropane-1-sulfonate；sodium;2-benzoyloxy-1,1,3,3,3-pentafluoropropane-1-sulfonate
• CAS: 911683-54-0
• 化学式: C₁₀H₆F₅O₅S*Na
• 分子量: 356.202
• InChiKey: XPOAVVWKNGNPQZ-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.08
• 重原子数：
  22
• 可旋转键数：
  5
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.3
• 拓扑面积：
  91.9
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  10

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  sodium 2-benzoyloxy-1,1,3,3,3-pentafluoropropanesulfonate 在 sodium hydroxide 作用下， 以 水 为溶剂， 反应 2.0h， 生成 sodium 2-hydroxy-1,1,3,3,3-pentafluoropropane-1-sulfonate
  参考文献：
  名称：

  Novel fluorohydroxyalkyl sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions, and patterning process

  摘要：

  公开号：

  EP1780199B1
• 作为产物：
  描述：

  1,1,3,3,3-pentafluoro-2-propan-2-yl benzoate 在 sodium hydrogensulfite 、 过氧化苯甲酰 作用下， 以 水 为溶剂， 反应 65.0h， 以43%的产率得到sodium 2-benzoyloxy-1,1,3,3,3-pentafluoropropanesulfonate
  参考文献：
  名称：

  Novel fluorohydroxyalkyl sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions, and patterning process

  摘要：

  公开号：

  EP1780199B1

文献信息

• POLYMERIZABLE ANION-CONTAINING SULFONIUM SALT AND POLYMER, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Ohashi Masaki

  公开号：US20100055608A1

  公开（公告）日：2010-03-04

  A polymerizable anion-containing sulfonium salt having formula (1) is provided wherein R 1 is H, F, methyl or trifluoromethyl, R 2 , R 3 and R 4 are C 1 -C 10 alkyl, alkenyl or oxoalkyl or C 6 -C 18 aryl, aralkyl or aryloxoalkyl, or two of R 2 , R 3 and R 4 may bond together to form a ring with S, A is a C 1 -C 10 organic group, and n is 0 or 1. The sulfonium salt generates a very strong sulfonic acid upon exposure to high-energy radiation. A resist composition comprising a polymer derived from the sulfonium salt is also provided.

  提供具有式（1）的可聚合含阴离子的亚砜盐，其中R1为H、F、甲基或三氟甲基，R2、R3和R4为C1-C10烷基、烯基或氧代烷基或C6-C18芳基、芳基烷基或芳氧代烷基，或R2、R3和R4中的两个可以结合在一起形成与S的环，A为C1-C10有机基团，n为0或1。该亚砜盐在暴露于高能辐射时生成非常强的磺酸。还提供了包含从该亚砜盐衍生的聚合物的抗蚀组合物。
• NOVEL PHOTOACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：OHASHI Masaki

  公开号：US20090061358A1

  公开（公告）日：2009-03-05

  Photoacid generators generate sulfonic acids of formula (1a) or (1c) upon exposure to high-energy radiation. R 1 —COOCH(CF 3 )CF 2 SO 3 + H + (1a) R 1 —O—COOCH(CF 3 )CF 2 SO 3 − H + (1c) R 1 is a C 20 -C 50 hydrocarbon group having a steroid structure. The photoacid generators are compatible with resins and can control acid diffusion and are thus suited for use in chemically amplified resist compositions.

  光酸发生剂在高能辐射作用下生成式（1a）或（1c）的磺酸。R1—COOCH(CF3)CF2SO3+H+(1a)R1—O—COOCH(CF3)CF2SO3−H+(1c)R1是具有类固醇结构的C20-C50烃基。这些光酸发生剂与树脂相容，可以控制酸的扩散，因此适用于化学增感抗蚀组合物的使用。
• Novel photoacid generators, resist compositions, and patterning process
  申请人：Ohsawa Youichi

  公开号：US20080085469A1

  公开（公告）日：2008-04-10

  Photoacid generators generate sulfonic acids of formula (1a) upon exposure to high-energy radiation. RC(═O)R 1 —COOCH(CF 3 )CF 2 SO 3 − H + (1a) R is hydroxyl, alkyl, aryl, hetero-aryl, alkoxy, aryloxy or hetero-aryloxy, R 1 is a divalent organic group which may have a heteroatom (O, N or S) containing substituent, or R 1 may form a cyclic structure with R. The photoacid generators are compatible with resins and can control acid diffusion and are thus suited for use in chemically amplified resist compositions.

  光酸发生剂在高能辐射作用下生成式（1a）的磺酸。RC(═O)R1—COOCH(CF3)CF2SO3−H+(1a)中，R为羟基、烷基、芳基、杂芳基、烷氧基、芳氧基或杂芳氧基，R1为可能含有杂原子（O、N或S）取代基的二价有机基团，或R1可与R形成环状结构。这些光酸发生剂与树脂相容，可以控制酸的扩散，因此适用于化学增感抗蚀组合物中的使用。
• PHOTOACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Ohashi Masaki

  公开号：US20110003247A1

  公开（公告）日：2011-01-06

  The photoacid generator produces a sulfonic acid which has a bulky cyclic structure in the sulfonate moiety and a straight-chain hydrocarbon group and thus shows a controlled acid diffusion behavior and an adequate mobility. The PAG is fully compatible with a resin to form a resist composition which performs well during the device fabrication process and solves the problems of resolution, LWR, and exposure latitude.

  照片酸发生剂会产生一种含有笨重环状结构的磺酸基团和直链碳氢基团的磺酸，因此表现出受控的酸扩散行为和适度的活性。该PAG与树脂完全兼容，形成一个抗蚀剂组合物，在器件制造过程中表现良好，并解决了分辨率、LWR和曝光容限等问题。
• SULFONIUM SALT, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Sagehashi Masayoshi

  公开号：US20120100486A1

  公开（公告）日：2012-04-26

  A sulfonium salt of a naphthyltetrahydrothiophenium cation having a fluoroalkoxy chain with a specific anion is provided. The sulfonium salt is used as a photoacid generator to form a resist composition which when processed by immersion lithography, offers advantages of restrained dissolution in the immersion water and less pattern dependence or dark/bright bias.

  提供了一种具有氟烷氧链的萘基四氢噻吩阳离子的磺酸盐，具有特定阴离子。该磺酸盐用作光酸发生剂，形成抗蚀剂组合物，当通过浸没光刻法处理时，提供了在浸没水中受抑制的溶解和更少的图案依赖性或暗/亮偏差的优点。