摘要:
描述了新型的基于吲哚并咔唑的共轭聚合物聚(吲哚并[3,2- b ]咔唑)的合成和场效应晶体管(FET)特性。dichloroindolo [3,2-的Dehalogenative偶联聚合b ]咔唑用Zn /的NiCl 2 / PPH 3 /2.2'-dipyridil得到相应的聚(吲哚并[3,2- b ]咔唑)类,而氧化偶联聚合吲哚并[ 3,2- b ]咔唑与FeCl 3进行区域选择性反应,得到聚(吲哚[3,2- b]咔唑-2,8-二基)s。这些聚合物的结晶和光学性质是不同的,具体取决于主链连接和外围取代的区域化学。使用这些聚合物半导体的薄膜晶体管器件表现出p沟道FET行为,主要由取代和骨架键(2,8-或3,9-键)的性质决定。由FeCl 3聚合获得的溶液处理的聚吲哚并[3,2- b ]咔唑薄膜半导体通常具有更好的FET性能。