石墨烯纳米带(GNRs),准一维
石墨烯带,在纳米电子学、光电子学和光子学方面显示出巨大的潜力。原子级精确的 GNR 可以在超高真空条件下通过分子构建块的表面辅助组装“自下而上”合成。然而,以低成本大规模高效合成此类 GNR 仍然是一个重大挑战。在这里,我们报告了一种高效的“自下而上”
化学气相沉积 (CVD) 工艺,用于在环境压力条件下对结构定义的 GNR 进行廉价和高通量的生长。我们 CVD 生长的 GNR 的高质量通过不同光谱和显微表征的组合得到验证。轻松,GNRs 到绝缘衬底上的大面积转移和随后的器件制造证明了它们作为半导体材料的潜力,在场效应晶体管器件中表现出高达 6000 的高电流开/关比。该值比结构定义的 GNR 的其他薄膜晶体管迄今为止报告的值高 3 个数量级。值得注意的是,聚合物前体的表面质谱分析为所得 GNR 的
化学结构提供了前所未有的证据,尤其是杂原子掺杂和异质结。这些结果为