聚对苯撑线作为光电中的电荷转移材料至关重要。对一系列以异烷基 (iAPPn)、烷氧基 (R
OPPn) 和二烷基
氨基 (R2NPPn) 封端的聚对亚苯基 (RPPn) 导线的比较分析显示氧化电位的意外演变,即降低 (-260 mV ) 对于 iAPPn,而 R
OPPn (+100 mV) 和 R2NPPn (+350 mV) 随着对亚苯基数量的增加而增加。此外,R2NPPn/R2NPPn+• 的氧化还原/光学性质和 DFT 计算进一步表明,对称的钟形空穴分布扭曲并向分子的一端移动,R2NPPn+• 中只有 4 个对亚苯基,而空穴的移动发生在R
OPPn+• 和iAPPn+• 中分别有6 个和8 个对亚苯基。高电子富二烷基
氨基封端的 R2NPPn 以及 R
OPPn 和 iAPPn 的准确实验数据的可用性使我们能够使用我们最近开发的基于 Marcus 的多态模型 (MSM) 证明 R2NPPn 中