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己基二甲基-硅烷 | 63246-85-5

中文名称
己基二甲基-硅烷
中文别名
——
英文名称
hexyldimethylsilane
英文别名
dimethyl(hexyl)silane;Dimethyl-hexylsilan;n-Hexyldimethylsilane;hexyl(dimethyl)silane
己基二甲基-硅烷化学式
CAS
63246-85-5
化学式
C8H20Si
mdl
——
分子量
144.332
InChiKey
FCKFHVFZPCZMDQ-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    3.05
  • 重原子数:
    9
  • 可旋转键数:
    5
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    1.0
  • 拓扑面积:
    0
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    0

SDS

SDS:82390d77cc2b037bccc37063ab6cd944
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上下游信息

  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量
  • 下游产品
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    参考文献:
    名称:
    通过简单的疏松参数可预测封端寡聚噻吩的热和电性质
    摘要:
    连接到几个低聚噻吩系列上的端基的分支拓扑结构对低聚物的热和电学性质产生系统性影响。该系列以模块化方式合成,并且随着取代基体积的增加,熔点T m明显下降。对于溶液中聚集体的解离温度T dis可以发现相同的趋势。类似地,单层OFET迁移率μ FET是显著随取代基的膨松度降低。提出了一个简单的几何模型,该模型基于体积参数P定量地将转变温度和迁移率与取代基的结构相关联,从而可以预测Ť米,Ť DIS和μ FET对应尚未合成寡聚体与支化的取代基。该模型通常可用于封端的棒状共轭低聚物。
    DOI:
    10.1021/cm400702t
  • 作为产物:
    描述:
    1-己烯 在 lithium hydride 作用下, 以 四氢呋喃 为溶剂, 反应 81.0h, 生成 己基二甲基-硅烷
    参考文献:
    名称:
    [EN] PROCESS FOR THE STEPWISE SYNTHESIS OF SILAHYDROCARBONS
    [FR] PROCÉDÉ DE SYNTHÈSE SÉQUENTIELLE DE SILAHYDROCARBURES
    摘要:
    本发明涉及一种逐步合成在硅原子上带有最多四种不同有机基团取代的硅氢化物的过程,其中该过程包括至少以下步骤:a) 通过重分配反应、使用醚/HCI试剂对氢硅烷进行选择性氯化,或者通过使用四氯化硅对氢硅烷进行选择性氯化来制备双功能氢氯硅烷;至少一个步骤 b) 将双功能氢氯单硅烷进行氢硅化反应;至少一个步骤 c) 对氯代单硅烷进行氢化;以及步骤 d) 在氢硅化反应中获得硅氢化物化合物。
    公开号:
    WO2021243137A1
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文献信息

  • Fine Tuning of Solid-State Properties of Septithiophenes by Tailoring the Substituents
    作者:Andreas Kreyes、Stefan Ellinger、Katharina Landfester、Matthieu Defaux、Dimitri A. Ivanov、Andreas Elschner、Timo Meyer-Friedrichsen、Ulrich Ziener
    DOI:10.1021/cm903444n
    日期:2010.3.23
    A series of five α,ω-substituted septithiophenes, which differ in the geometry of the peripheral branched alkyl substitutents, is presented. The position of the branching point has a substantial effect on the solubility and melting points of the oligomers. In contrast, organic field-effect transistors (OFETs) that have been prepared from those materials via vapor deposition show all mobilities in the
    提出了一系列五个α,ω-取代的噻吩并在外围分支的烷基取代基的几何形状上不同。支化点的位置对低聚物的溶解度和熔点具有实质性影响。相反,由这些材料通过气相沉积制备的有机场效应晶体管(OFET)的所有迁移率都在相同的范围内(0.18-0.018 cm 2  V -1  s -1)。迁移率在分子结构上的相对不敏感性归因于如下事实:如依赖温度的X射线衍射所揭示的,在室温下,固态条件下所有Septithiophenes都形成近晶状结构。此外,五个低聚物中的四个表现出热致液晶近晶C相。噻吩核之间的强相互作用被认为是这些结构特征的驱动力。因此,调整外围取代基使得可以在固态条件下微调热和溶解性特性,并且在一定程度上微调其有序性。有序和电性能主要由低聚噻吩核的长度决定。
  • Electrochemical method for the production of organofunctional silanes
    申请人:Kammel Thomas
    公开号:US20050234255A1
    公开(公告)日:2005-10-20
    Organofunctional silanes are prepared in high yield by electrochemically reacting a silane bearing a halo or alkoxy group with a hydrocarbon bearing a halo or alkoxy group in an undivided electrolysis cell with no or minimal complexing agent present.
    通过在无分隔电解池中使用不含或含有最少量络合剂的硅烷与含有卤素或烷氧基团的烃进行电化学反应,可以高产率地制备有机官能硅烷
  • New aspects of platinum-catalyzed hydrosilylation of disilylethynes
    作者:Toshio Suzuki、Peter Y. Lo
    DOI:10.1016/0022-328x(90)80152-p
    日期:1990.7
    The platinum-catalyzed hydrosilylations of bis(trimethylsilyl)ethyne and 1-trimethylsilylethynyl-1,1,3,3,5,5,7,7,7-nonamethyltetrasiloxane at 130–150°C were investigated using high molecular weight organosilicon hydrides. In addition to the expected adducts, significant amount of unexpected disilylethynes and trisilylethenes were produced. It is suggested that the reaction sequence involves elimination
    使用高分子量有机氢化物研究了双(三甲基甲硅烷基)乙炔和1-三甲基甲硅烷乙炔基-1,1,3,3,5,5,7,7,7,7,7-九壬基四硅氧烷催化加氢甲硅烷基化反应。除预期的加合物外,还产生了大量意外的二甲硅烷基和三甲硅烷基。建议反应顺序包括从一级加合物中除去硅烷以形成二甲硅烷基,然后进行加成反应以形成各种三甲硅烷基。
  • Rhodium-catalyzed transsilylation reactions between bis(trimethylsilyl)ethyne and hexyldimethylsilane
    作者:Toshio Suzuki、Itaru Mita
    DOI:10.1016/0022-328x(91)86329-o
    日期:1991.8
    Bis(trimethylsilyl)ethyne and hexyldimethylsilane undergo transsilylation reactions in the presence of Wilkinson's catalyst to give 1-hexyldimethylsilyl-2-trimethylsilylethyne and bis(hexyldimethylsilyl)ethyne. The reaction is faster in air than in argon but oxidation of the silane takes place which significantly reduces the yield.
    在威尔森氏催化剂的存在下,双(三甲基甲硅烷基)乙炔和己基二甲基硅烷发生硅烷基化反应,得到1-己基二甲基甲硅烷基-2-三甲基甲硅烷乙炔和双(己基二甲基甲硅烷基)乙炔。在空气中该反应比在气中更快,但是硅烷发生氧化,这大大降低了产率。
  • Introducing the Catalytic Amination of Silanes via Nitrene Insertion
    作者:Anabel M. Rodríguez、Jorge Pérez-Ruíz、Francisco Molina、Ana Poveda、Raúl Pérez-Soto、Feliu Maseras、M. Mar Díaz-Requejo、Pedro J. Pérez
    DOI:10.1021/jacs.2c03739
    日期:2022.6.15
    The direct functionalization of Si–H bonds by the nitrene insertion methodology is described. A copper(I) complex bearing a trispyrazolylborate ligand catalyzes the transfer of a nitrene group from PhI═NTs to the Si–H bond of silanes, disilanes, and siloxanes, leading to the exclusive formation of Si–NH moieties in the first example of this transformation. The process tolerates other functionalities
    描述了通过氮烯插入方法对 Si-H 键的直接功能化。带有三吡唑硼酸配体 (I) 配合物催化氮烯基团从 PhI=NTs 转移到硅烷、二硅烷硅氧烷的 Si-H 键,导致在第一个例子中独家形成 Si-NH 部分这种转变。该过程允许衬底中的其他功能,例如几个 C-H 键以及直接键合到中心的炔烃和烯烃部分。密度泛函理论 (DFT) 计算提供了一种机械解释,包括 Si-H 均裂和随后反弹到以 Si 为中心的自由基。
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