甲基硅烷 | 992-94-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 碳氢化合物衍生物
• 中文名称: 甲基硅烷
• 英文名称: methylsilane
• CAS: 992-94-9
• 化学式: CH₆Si
• 分子量: 46.1441
• InChiKey: UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 稳定性/保质期：

  在常温常压下，这是一种稳定的无色气体，具有刺鼻的气味。

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.6
• 重原子数：
  2
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

安全信息

• 储存条件：
  防火、阴凉，温度变化不大

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  甲基硅烷 在 盐酸 、 乙醚 作用下， 以 氘代苯 为溶剂， 反应 15.5h， 以98%的产率得到甲基氯硅烷混合单体
  参考文献：
  名称：

  Lewis碱催化的甲硅烷选择性氯化反应

  摘要：

  据报道，双官能甲硅烷R 2 SiHCl，RSiHCl 2和RSiH 2 Cl的制备容易，选择性高。通过氯化R 2 SiH 2和RSiH 3在浓盐酸/乙醚溶液中，Si-Cl键的逐步引入很容易受温度和反应时间的控制，适用于多种基材。在一项组合的实验和计算研究中，我们建立了一种新的Si-H键激活模式，该模式由路易斯碱（例如醚，胺，膦和氯离子）辅助。对基本反应机理的阐明表明，通过氢键网络的酒精辅助同样有效且具有选择性。值得注意的是，在中等反应条件下未观察到烷氧基硅烷或硅氧烷的形成。

  DOI：

  10.1002/chem.201803921
• 作为产物：
  描述：

  (氯甲基)三氯硅烷 在 红铝 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 1.0h， 生成 甲基硅烷
  参考文献：
  名称：

  METHOD FOR PRODUCING -HETERO-SUBSTITUTED ALKYLHALOHYDROSILANE AND USE THEREOF

  摘要：

  公开号：

  EP2308884B1
• 作为试剂：
  描述：

  4-二甲氨基苯甲酸乙酯 在 甲基硅烷 、 potassium tert-butylate 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 48.0h， 以12%的产率得到4-(二甲氨基)苄醇
  参考文献：
  名称：

  酮和酯的碱催化氢化硅烷化及其机理的认识

  摘要：

  简单的碱（KO t Bu，KOH）催化硅烷促进的酮和酯还原为醇，醛亚胺还原为胺。廉价的硅烷PMHS（聚甲基氢硅氧烷）可用作还原剂。可以容忍双键和三键以及硝基和氰基。硅烷的仔细加料允许在较低反应性基团的存在下化学选择性还原较高反应性的基团（例如，在存在酮的情况下进行醛的还原/在存在酯基的情况下进行酮的还原）。机理研究表明，向硅烷中添加碱会导致硅酸盐物种，而硅酸盐物种是起作用的还原剂。在碱性条件下，氢硅氧烷（四甲基二硅氧烷，TMDS，PMHS）转化为简单的硅烷（H 2 SiMe 2，H 3 SiMe），使其成为生成这些具有挑战性的硅烷的实用方法。

  DOI：

  10.1002/chem.201302728

文献信息

• Substitutional carbon reduction in SiGeC alloys grown by rapid thermal chemical vapor deposition
  作者：C. W. Liu、Y. D. Tseng、Y. S. Huang

  DOI：10.1063/1.124987

  日期：1999.10.11

  The substitutional carbon reduction in Si1−x−yGexCy strained layers, annealed at high temperatures, increases the compressive strain in the originally strain-compensated alloys. From the rocking curve simulation, the maximum amount of carbon reduction was below 0.9% for the various samples which were annealed below 1000 °C in the nitrogen flow. The interstitial silicon injection by thermal oxidation

  Si1-x-yGexCy 应变层中的置换碳还原，在高温下退火，增加了原始应变补偿合金的压缩应变。根据摇摆曲线模拟，在氮气流中在 1000 °C 以下退火的各种样品的最大碳减少量低于 0.9%。通过 Si1-x-yGexCy 层上的 Si 帽热氧化进行的填隙硅注入增强了置换碳的减少至 1.3% 的浓度。Si1-x-yGexCy 合金的氧化产生富含 Ge 的 Si1-xGex 层，其 Ge 浓度大于初始含量，并且通过傅里叶变换红外光谱观察到 3C 碳化硅沉淀的形成。
• Reactions of boranes and carboranes with silanes, organosilanes, and related compounds
  作者：Will A. Ledoux、Russell N. Grimes

  DOI：10.1016/s0022-328x(00)81572-7

  日期：1971.4

  Gas-phase thermal and electric discharge interactions of SiH4, Si2H6, and (CH3)2SiH2 with B4H10, B5H9, and 2,3-C2B4H8 were studied, as well as the reactions of (CH3)2GeH2 and (CH3)2SnH2 with 2,3-C2B4H8. In addition, several silyl-substituted derivatives of 2,3-C2B4H8 were prepared from silylacetylenes and boron hydrides, and their conversion to closo-carborane silyl derivatives was examined. All silylcarboranes

  研究了SiH 4，Si 2 H 6和（CH 3）2 SiH 2与B 4 H 10，B 5 H 9和2,3-C 2 B 4 H 8的气相热和放电相互作用，以及（CH 3）2 GeH 2和（CH 3）2 SnH 2与2,3-C 2 B 4 H 8的反应。此外，2,3-C的几种甲硅烷基取代的衍生物2乙4 ħ 8从silylacetylenes和硼氢化合物制备，和它们转化成闭合碳检查-carborane甲硅烷基衍生物。所获得的所有甲硅烷基碳烷均经C取代，在任何研究的反应中均未获得含有SiB键的挥发性产物。获得了GeC 2 B 5 H 7多面体笼系统的甲基衍生物的证据。
• [EN] PROCESS FOR THE STEPWISE SYNTHESIS OF SILAHYDROCARBONS<br/>[FR] PROCÉDÉ DE SYNTHÈSE SÉQUENTIELLE DE SILAHYDROCARBURES
  申请人：MOMENTIVE PERFORMANCE MAT INC

  公开号：WO2021243137A1

  公开（公告）日：2021-12-02

  The invention relates to a process for the stepwise synthesis of silahydrocarbons bearing up to four different organyl substituents at the silicon atom, wherein the process includes at least one step a) of producing a bifunctional hydridochlorosilane by a redistribution reaction, selective chlorination of hydridosilanes with an ether/HCI reagent, or by selective chlorination of hydridosilanes with SiCI4, at least one step b) of submitting a bifunctional hydridochloromonosilane to a hydrosilylation reaction, at least one step c) of hydrogenation of a chloromonosilane, and a step d) in which a silahydrocarbon compound is obtained in a hydrosilylation reaction.

  本发明涉及一种逐步合成在硅原子上带有最多四种不同有机基团取代的硅氢化物的过程，其中该过程包括至少以下步骤：a) 通过重分配反应、使用醚/HCI试剂对氢硅烷进行选择性氯化，或者通过使用四氯化硅对氢硅烷进行选择性氯化来制备双功能氢氯硅烷；至少一个步骤 b) 将双功能氢氯单硅烷进行氢硅化反应；至少一个步骤 c) 对氯代单硅烷进行氢化；以及步骤 d) 在氢硅化反应中获得硅氢化物化合物。
• Process For Preparing Si-H-Containing Silanes
  申请人：Geisberger Gilbert

  公开号：US20080319214A1

  公开（公告）日：2008-12-25

  Silanes of the general formula (1) R a SiH b X 4-b-a (1) are prepared by disproportionating at least one more highly chlorinated silane in the presence of a homogeneous catalyst in an apparatus with at least one reactive distillation column and at least one additional reactor selected from among prereactors and side reactors, where R is an alkyl, aryl, alkaryl or haloalkyl radical, X is a halogen atom, a is 0 or 1, and b is 2, 3 or 4.

  通式（1） R a SiH b X 4-b-a （1） 的硅烷通过在至少一个高氯化硅烷存在的情况下，在至少一个具有至少一个反应蒸馏柱和至少一个选自预反应器和侧反应器的附加反应器的装置中，通过不均等反应制备，其中 R是烷基、芳基、烷芳基或卤代烷基基团， X是卤素原子， a为0或1，且 b为2、3或4。
• Defect‐free band‐edge photoluminescence and band gap measurement of pseudomorphic Si_{1−<i>x</i>−<i>y</i>}Ge_<i>x</i>C_<i>y</i> alloy layers on Si (100)
  作者：A. St. Amour、C. W. Liu、J. C. Sturm、Y. Lacroix、M. L. W. Thewalt

  DOI：10.1063/1.115316

  日期：1995.12.25

  strain is reduced more efficiently than the band gap is increased. Furthermore, results imply that a fully strain‐compensated Si1−x−yGexCy layer on Si (100) would have a band gap much less than that of Si, and suggest that initial C incorporation reduces the band gap of relaxed, unstrained Si1−x−yGexCy alloys.

  已经实现了在 Si (100) 上具有带边光致发光且无缺陷相关发光的伪晶 Si1-x-yGexCy 合金层。光致发光在 2 到 77 K 范围内测量，并用于直接测量带隙位移作为添加 C 时应变减少的函数。与仅降低 Ge 含量的效果相比，结果表明，随着 C 的加入，应变的降低比带隙的增加更有效。此外，结果表明，Si (100) 上完全应变补偿的 Si1-x-yGexCy 层的带隙将远小于 Si，并表明初始 C 掺入降低了松弛、未应变的 Si1-x 的带隙-yGexCy 合金。

表征谱图