二异丙基碲 | 51112-72-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物 - 有机含氧阴离子化合物
• 中文名称: 二异丙基碲
• 英文名称: diisopropyl telluride
• 英文别名: Propane, 2,2'-tellurobis-；2-propan-2-yltellanylpropane
• CAS: 51112-72-2
• 化学式: C₆H₁₄Te
• 分子量: 213.777
• InChiKey: NYOZTOCADHXMEV-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  153.69°C (estimate)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.35
• 重原子数：
  7
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  二异丙基碲 、 高纯二甲基镉 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 cadmium telluride
  参考文献：
  名称：

  在立式高速旋转盘式反应器中通过金属有机化学气相沉积在 GaAs 上多晶片生长 CdTe

  摘要：

  已经使用商用、立式、高速、旋转盘式反应器研究了通过金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 在 GaAs (100) 和 GaAs (111) 衬底上生长 CdTe (111) 层。二甲基镉 (DMCd) 和二异丙基碲化物 (DIPTe) 用作生长前体。在 308 至 402 °C 的温度范围内测量生长速率。对于大于 368 °C 的生长温度，获得大于 50% 的 DMCd 摩尔生长效率。对于 (111) 基板上的薄膜，在 380 °C 下获得了 CdTe (111) <90 弧秒半峰全宽的 (422) 和 (333) 反射面的 X 射线摇摆曲线。解理晶片上的扫描电子显微镜和红外干涉光谱显示边缘到边缘的厚度均匀度为 1.3%。使用傅里叶变换红外光谱仪测量远红外反射率以获得TO声子光谱。这些数据表明 CdTe 的厚度和介电常数非常均匀。总的来说，...

  DOI：

  10.1063/1.101754
• 作为产物：
  描述：

  2-溴丙烷 在 碲化钠 作用下， 以 水 为溶剂， 反应 4.0h， 以91%的产率得到二异丙基碲
  参考文献：
  名称：

  菱铁矿促进水合成功能化碲化物和二碲化物

  摘要：

  的水与亲电碲钠的反应已探索。Na 2 Te，原位生成通过rongalite（羟基甲烷亚磺酸钠）促进的元素碲还原，可与各种亲电试剂反应，包括应变杂环，卤代烷烃，Michael受体和芳基重氮盐，可轻松快速地获得各种新颖的功能化对称碲化物。该方法很好地耐受了多种功能基团的存在，例如醇，胺，酯，腈和砜，并允许将碲原子掺入生物学上相关的天然来源产品中。此外，在环氧化物和氮丙啶的亲核开环的情况下，明智地调整反应条件可以合成未报告的β-羟基和β-氨基二碲化物，它们进一步被用作新的官能化的不对称二烷基碲化物的前体。还对羟基二碲化物的硫醇过氧化物酶催化活性进行了研究，以比较它们与同源碲化物的抗氧化性能。

  DOI：

  10.1002/adsc.201901536
• 作为试剂：
  描述：

  N-(Isobutyroyloxy)pyridine-2-thione 、 丙烯酸甲酯（MA） 在 二异丙基碲 作用下， 以 氘代氯仿 为溶剂， 以16%的产率得到2-(苯基乙硫基)-吡啶
  参考文献：
  名称：

  有机碲化物作为碳自由基的积累和交换者的作用

  摘要：

  由-羟基-2-硫代吡啶酮的酰基衍生物的光解产生的伯碳基团在二异丙基碲化物上有效交换，得到异丙基基团，而该基团又可以被亲核性烯烃捕获。

  DOI：

  10.1016/s0040-4039(00)82402-8

文献信息

• High quality planar HgCdTe photodiodes fabricated by the organometallic epitaxy (Direct Alloy Growth Process)
  作者：S. K. Ghandhi、K. K. Parat、H. Ehsani、I. B. Bhat

  DOI：10.1063/1.104502

  日期：1991.2.25

  Hg1−xCdxTe, grown by the alloy organometallic vapor phase epitaxy technique, was used in the fabrication of p‐n junction photodiodes. Hg1−xCdxTe layers, capped with a CdTe cap, were grown in a continuous run by the direct alloy growth process. These layers were p type due to column II vacancies, with a concentration of 3–4×1016/cm3. n‐type regions were obtained by selectively annealing the Hg1−xCdxTe

  通过合金有机金属气相外延技术生长的 Hg1-xCdxTe 用于制造 p-n 结光电二极管。Hg1-xCdxTe 层，覆盖有 CdTe 帽，通过直接合金生长过程连续生长。由于第 II 列空位，这些层为 p 型，浓度为 3–4×1016/cm3。在 CdTe 盖层中打开窗口后，通过选择性退火 Hg1-xCdxTe 层获得 n 型区域。因此，垂直 p-n 结二极管以 CdTe 作为结钝化剂形成平面结构。在 77 K 时截止波长为 4.5 μm 的光电二极管具有超过 9×107 Ω cm2 的 R0 A 乘积。
• <i>N</i>‐channel enhancement mode field‐effect transistors in Hg_1−<i>x</i>Cd_<i>x</i>Te grown by organometallic epitaxy (direct alloy growth process)
  作者：I. B. Bhat、K. K. Parat、H. Ehsani、S. K. Ghandhi

  DOI：10.1063/1.106288

  日期：1991.9.23

  N‐channel metal‐insulator semiconductor field‐effect transistors were fabricated in Hg1−xCdxTe layers grown by the organometallic vapor phase epitaxy, using the direct alloy growth technique. As‐grown layers, which were p type due to Group II vacancies, were used as the starting material. Then n‐type source and drain regions were formed using a planar process for selective annealing of the Hg1−xCdxTe

  N沟道金属绝缘体半导体场效应晶体管使用直接合金生长技术在通过有机金属气相外延生长的 Hg1-xCdxTe 层中制造。由于第 II 组空位而形成的 p 型生长层用作起始材料。然后使用平面工艺对 Hg1-xCdxTe 进行选择性退火，形成 n 型源区和漏区。栅极绝缘体由 200 A 的天然阳极硫化物和 2500 A 的热蒸发硫化锌组成。铟用作栅极金属。此处描述了器件制造和特性的详细信息。
• Alkylvinyl tellurides from tellurium, acetylene and alkyl halides
  作者：B.A. Irofimov、N.K. Gusarova、A.A. Tatarinova、V.A. Potapov、L.M. Sinegovskaya、S.V. Amosova、M.G. Voronkov

  DOI：10.1016/s0040-4020(01)90114-0

  日期：1988.1

  Synthetic routes to alkylvinyl tellurides by direct reaction of metallic tellurium, acetylene and alkyl halide in the system KOH-SnCl2-H2O and successive interaction of divinyl telluride with lithium and alkyl halide in liquid ammonia have been developed.

  通过金属碲，乙炔和卤代烷在KOH-SnCl 2 -H 2 O体系中的直接反应以及碲化二乙烯与锂和卤代烷在液氨中的连续相互作用，已开发出合成烷基乙烯基碲的途径。
• Te–Te and Te–C bond cleavage reactions using a monovalent gallanediyl
  作者：Chelladurai Ganesamoorthy、Georg Bendt、Dieter Bläser、Christoph Wölper、Stephan Schulz

  DOI：10.1039/c5dt00172b

  日期：——

  Te–Te and Te–C bond cleavage occurs in reactions of monovalent LGa (L = [(2,6-i-Pr₂-C₆H₃)NC(Me)]₂CH) with Te, Ph₂Te₂and i-Pr₂Te. (LGa-μ-Te)₂1, LGa(TePh)₂2and LGa(i-Pr)Tei-Pr3were characterized by heteronuclear NMR (¹H,¹³C,¹²⁵Te) and IR spectroscopy and by single crystal X-ray analyses.

  单价LGa（L = [(2,6-i-Pr₂-C₆H₃)NC(Me)]₂CH）与Te、Ph₂Te₂和i-Pr₂Te反应时，发生了Te-Te和Te-C键的断裂。通过异核NMR（¹H，¹³C，¹²⁵Te）和IR光谱以及单晶X射线分析，表征了（LGa-μ-Te）₂1，LGa（TePh）₂2和LGa（i-Pr）Tei-Pr3。
• Studies of tellurium shielding by heteronuclear magnetic double resonance in a representative series of compounds
  作者：H. Christina E. McFarlane、William McFarlane

  DOI：10.1039/dt9730002416

  日期：——

  Tellurium-125 chemical shifts determined by heteronuclear double resonance in a range of organotellurium compounds are found to parallel closely the 77Se chemical shifts in analogous compounds. The tellurium shielding decreases as the electronegativity of substituents increases and this is attributed to dominance by the paramagnetic term. Variations in ΔE do not appear to be important.

  发现在一系列有机碲化合物中，通过异核双共振确定的碲125化学位移与相似化合物中的77硒化学位移非常接近。碲屏蔽层随取代基电负性的增加而降低，这归因于顺磁性项的优势。ΔE的变化似乎并不重要。