4-n-hexyloxy-2-methylphenyl chloride | 552840-61-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯酚醚
• 英文名称: 4-n-hexyloxy-2-methylphenyl chloride
• 英文别名: 1-chloro-4-hexoxy-2-methylbenzene
• CAS: 552840-61-6
• 化学式: C₁₃H₁₉ClO
• 分子量: 226.746
• InChiKey: YCGBKSPSCLPBEK-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.3
• 重原子数：
  15
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.54
• 拓扑面积：
  9.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  4-n-hexyloxy-2-methylphenyl chloride 在 N-butylethylene urea 、 正丁基锂 、 samarium diiodide 作用下， 以 四氢呋喃 、 正己烷 为溶剂， 反应 0.08h， 以77%的产率得到1-(hexyloxy)-3-methylbenzene
  参考文献：
  名称：

  尿酸盐作为二碘化mar活化剂的用途

  摘要：

  已经开发了使用尿酸盐作为反应促进剂的SmI 2活化的新模式。已经显示出通过用正丁基锂处理相应的脲而形成的几种脲酸酯在很大程度上活化了SmI 2，从而还原了1-氯癸烷。由SmI 2和各种脲酸酯形成的络合物已显示可用于减少各种有机卤化物，包括低反应性的底物，如芳基氟化物。由于易于合成且分子量低，因此，三乙基脲的共轭碱（TEU –）成为主要关注对象。可见光谱和反应性数据与以下假设相符：在SmI 2时会形成相同的络合物被结合的TEU 2或4当量- ，尽管SMI的更大反应性的2 /4 TEU -一些烷基卤。我们认为活性还原剂是SmI 2和2当量TEU –之间形成的N，O螯合物。

  DOI：

  10.1021/acs.joc.6b00733
• 作为产物：
  描述：

  4-氯-3-甲基苯酚 、 溴己烷 在 1,8-二氮杂双环[5.4.0]十一碳-7-烯 作用下， 以 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 反应 24.0h， 以81%的产率得到4-n-hexyloxy-2-methylphenyl chloride
  参考文献：
  名称：

  尿酸盐作为二碘化mar活化剂的用途

  摘要：

  已经开发了使用尿酸盐作为反应促进剂的SmI 2活化的新模式。已经显示出通过用正丁基锂处理相应的脲而形成的几种脲酸酯在很大程度上活化了SmI 2，从而还原了1-氯癸烷。由SmI 2和各种脲酸酯形成的络合物已显示可用于减少各种有机卤化物，包括低反应性的底物，如芳基氟化物。由于易于合成且分子量低，因此，三乙基脲的共轭碱（TEU –）成为主要关注对象。可见光谱和反应性数据与以下假设相符：在SmI 2时会形成相同的络合物被结合的TEU 2或4当量- ，尽管SMI的更大反应性的2 /4 TEU -一些烷基卤。我们认为活性还原剂是SmI 2和2当量TEU –之间形成的N，O螯合物。

  DOI：

  10.1021/acs.joc.6b00733

文献信息

• Novel sulfonyldiazomethanes, photoacid generations, resist compositions, and patterning process
  申请人：——

  公开号：US20030180653A1

  公开（公告）日：2003-09-25

  A chemical amplification type resist composition contains as a photoacid generator a sulfonyldiazomethane compound of formula (1) wherein R is H or C 1-4 alkyl or alkoxy, G is SO 2 or CO, R 3 is C 1-10 alkyl or C 6-14 aryl, p is 1 or 2, q is 0 or 1, p+q=2, n is 0 or 1, m is 3 to 11, and k is 0 to 4. The composition is suited for microfabrication, especially by deep UV lithography because of many advantages including improved resolution and improved pattern profile after development. 1

  一种化学放大型光刻胶组合物包含一种化学放大型光酸发生剂，其化学式为（1），其中R为H或C1-4烷基或烷氧基，G为SO2或CO，R3为C1-10烷基或C6-14芳基，p为1或2，q为0或1，p+q=2，n为0或1，m为3至11，k为0至4。该组合物适用于微细加工，尤其是通过深紫外光刻技术，因为具有许多优点，包括提高分辨率和在显影后改善图案轮廓。
• Sulfonyldiazomethanes, photoacid generations, resist compositions, and patterning process
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US06689530B2

  公开（公告）日：2004-02-10

  A chemical amplification type resist composition contains as a photoacid generator a sulfonyldiazomethane compound of formula (1) wherein R is H or C1-4 alkyl or alkoxy, G is SO2 or CO, R3 is C1-10 alkyl or C6-14 aryl, p is 1 or 2, q is 0 or 1, p+q=2, n is 0 or 1, m is 3 to 11, and k is 0 to 4. The composition is suited for microfabrication, especially by deep UV lithography because of many advantages including improved resolution and improved pattern profile after development.

  一种化学扩增型光刻胶组合物，其中包含一种磺酰基重氮甲烷化合物作为光酸发生剂，其化学式为（1），其中R为H或C1-4烷基或烷氧基，G为SO2或CO，R3为C1-10烷基或C6-14芳基，p为1或2，q为0或1，p+q=2，n为0或1，m为3至11，k为0至4。该组合物适用于微细加工，特别是通过深紫外光刻技术，因为具有许多优点，包括提高分辨率和开发后提高图案轮廓。
• US6689530B2
  申请人：——

  公开号：US6689530B2

  公开（公告）日：2004-02-10