通过直接芳基化反应设计和合成了两种基于3,4-乙撑二氧
噻吩(EDOT)的低带隙供体-受体(
DA)共轭共聚物,其中HOMO-LUMO间隙可通过常规插入电子缺陷单元进行微调分别为
2,1,3-苯并噻二唑(BTZ)和
2,1,3-苯并硒二唑(B
TSa href=https://www.molaid.com/MS_301313 target="_blank">SE)。结构表征是通过FT-IR [ 1]1 H NMR和XPS。为了研究共聚物的能带结构的变化,使用密度泛函理论进行了量子
化学计算。
硫属二唑单元在PEDOT(聚(3,4-乙撑二氧
噻吩))中的交替插入降低了HOMO和LUMO的能级。结果,获得了与均聚物PEDOT相比具有较低带隙的聚合物。光学和电
化学结果证实,在基于EDOT的供体-受体交替共聚物中,B
TSa href=https://www.molaid.com/MS_301313 target="_blank">SE略优于BTZ。与B3LYP
水平相比,本实验结果与H
SE06
水平理论计算具有很好的相关性。ž扫描实验表明,该共聚物表现出很强的非线性吸收系数和约10 -10 esu的非线性折射率,并且三阶非线性磁化率约为10