Ga(2,2,6,6-tetramethylheptane-3,5-dionate)3

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: Ga(2,2,6,6-tetramethylheptane-3,5-dionate)3
• 英文别名: Ga(III)(dipivaloylmethanate)3；gallium(III) dipivaloylmethanate；tris(2,2,6,6-tetramethylheptane-3,5-dionate)gallium；Gallium(III)-dpm；gallium;(Z)-2,2,6,6-tetramethyl-5-oxohept-3-en-3-olate
• 化学式: C₃₃H₅₇GaO₆
• 分子量: 619.535
• InChiKey: AGZCDNOBXJMLBA-LWTKGLMZSA-K

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  8.66
• 重原子数：
  40
• 可旋转键数：
  15
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.73
• 拓扑面积：
  78.9
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮 、 三甲基镓 以 甲苯 为溶剂， 以82%的产率得到Ga(2,2,6,6-tetramethylheptane-3,5-dionate)3
  参考文献：
  名称：

  镓和铟 β-二酮配合物：[In(thd)3] 的 AACVD 和镓和铟双 (β-二酮) 的尝试合成

  摘要：

  [In(thd)(3)]（thd = 2,2,6,6-tetramethylheptane-3,5-dionate）在 CH2Cl2 中的悬浮液在 450 摄氏度的气溶胶辅助化学气相沉积 (AACVD) 中得到薄结晶氧化铟薄膜。通过扫描电子显微镜 (SEM)、掠射角 X 射线衍射 (XRD) 和 X 射线能量色散分析 (EDX) 对薄膜进行分析。[In(thd)(3)] 的溶解度差阻碍了生长更厚薄膜的努力，因此合成 [M(bdk)(2)X] 型杂配化合物 (M = Ga, In; bdk = β-二酮；X = 氯化物、氢化物、甲基），这样可以通过调整金属中心周围的配体来提高溶解度。化学计量的 β-二酮 [Hthd 和 2,4-戊二酮（乙酰丙酮，Hacac)] 与 GaH3 的路易斯碱稳定加合物仅导致分离出均配镓三（β-二酮）化合物 [Ga（bdk）（3）]，而不是预期的杂配镓双（β-二酮）氢化物

  DOI：

  10.1002/ejic.201001235

文献信息

• Structure and Polymorphism of<i>M</i>(thd)₃(<i>M</i>= Al, Cr, Mn, Fe, Co, Ga, and In)
  作者：Mohammed A. K. Ahmed、Helmer Fjellvåg、Arne Kjekshus、David S. Wragg

  DOI：10.1002/zaac.201200478

  日期：2013.4

  between polymorphs are reported for M(thd)3, (M = Al, Cr, Mn, Fe, Co, Ga, and In) [(thd)– = anion of H(thd) = C11H20O2 = 2, 2, 6, 6-tetramethylheptane-3, 5-dione]. Fresh crystal-structure data are provided for monoclinic polymorphs of Al(thd)3, Ga(thd)3, and In(thd)3. Apart from adjustment of the M–Ok bond length, the structural characteristics of M(thd)3 complexes remain essentially unaffected by

  报告了 M(thd)3 的形成、晶体结构、多晶型和多晶型之间的转变，(M = Al、Cr、Mn、Fe、Co、Ga 和 In) [(thd)– = H(thd) 的阴离子= C11H20O2 = 2, 2, 6, 6-四甲基庚烷-3, 5-二酮]。为 Al(thd)3、Ga(thd)3 和 In(thd)3 的单斜多晶型物提供了新的晶体结构数据。除了调整 M-Ok 键长外，M(thd)3 配合物的结构特征基本上不受 M 变化的影响。 M-Ok、Ok-Ck 和 Ck-Ck 距离的分析支持这样一个观点： M–Ok–Ck–Ck–Ck–Ok– 环形成一个杂环单元，σ 和 π 对键有贡献。根据键价或键序方案的初步评估表明，对于 M-Ok、Ok-Ck 和 Ck-Ck 键，σ 键的强度大致相等，而与 Ok-Ck 和 Ck-Ck 键相比，M-Ok 键的 π 分量很小。M(thd)3 多晶型物出现的模式轮廓表
• Gallium(II) Compounds Stabilized by β-Diketonate Ligands:  Synthesis, Characterization, and X-ray Structural Studies of [GaCl(acac)]₂ and [GaCl(tmhd)]₂
  作者：O. T. Beachley,、James R. Gardinier、Melvyn Rowen Churchill

  DOI：10.1021/om0000764

  日期：2000.10.1

  gallium(II) derivatives, [GaCl(acac)]2 (acac = acetylacetonate and [GaCl(tmhd)]2 (tmhd = 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate), have been prepared and characterized by X-ray structural studies, partial elemental analyses, physical properties, and their 1H NMR, 13C NMR, and IR spectra. Both compounds have direct gallium−gallium bonds between two tetracoordinated gallium atoms with each in the +2 oxidation

  制备了两种新的镓（II）衍生物[GaCl（acac）] 2（acac =乙酰丙酮酸酯和[GaCl（tmhd）] 2（tmhd = 2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酸酯）并通过X射线结构研究，部分元素分析，物理性质及其1 H NMR，13 C NMR和IR光谱表征，这两种化合物在两个四配位的镓原子之间均具有直接的镓-镓键，且每个键均呈+2氧化态状态，每个镓键合到氯化物和螯合的β-二酮键配体上。对于acac衍生物，金属-金属键长为Ga（1）-Ga（1a）= 2.396（3）Å（在晶体学上具有C 2对称性） ），对于tmhd导数，Ga（1）-Ga（2）= 2.391（2）Å。
• Spectroscopic and structural studies on volatile gallium β-diketonates as potential precursors for MOCVD
  作者：B. Ballarin、G.A. Battiston、F. Benetollo、R. Gerbasi、M. Porchia、D. Favretto、P. Traldi

  DOI：10.1016/0020-1693(93)03743-t

  日期：1994.3

  The complexes Ga(hfac), (Hhfac = hexafluoroacetylacetone) and Ga(dpm)3 (Hdpm = dipivaloylmethane) have been studied by solid and gas phase IR, mass spectrometry, H-1 and C-13 NMR, in order to prove their suitability as precursors for Ga2O3 deposition via metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). The crystal structure of Ga(hfac)3 was also deter-mined. The complex crystallizes in the monoclinic space group P2(1)/n with a = 9.034(3), b=13.399(3), c=19.100(4) angstrom, beta=92.19(3)-degrees for Z=4. The final R factor was 0.048. The Ga(III) ion exhibits a regular octahedral coordination with Ga-0 bond distance of 1.954(5) angstrom (av. value). The X-ray, IR and MS studies showed the presence of identical monomeric species both in the solid and in the gas phase. Ga(hfac)3 was used in preliminary MOCVD experiments to grow Ga2O3 films.