bis(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)strontium

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: bis(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)strontium
• 英文别名: strontium 2,2,6,6-tetramethylhepta-3,5-dionate；Sr(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate)2；strontium 2,2,6,6-tetramethylheptanedionate；bis(dipivaloylmethanato) strontium；strontium bis(dipivaloylmethanate)；strontium di-pivaloyl-methanate
• 化学式: 2C₁₁H₁₉O₂*Sr
• 分子量: 454.161
• InChiKey: AZMFOSGTQGUBHY-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  bis(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)strontium 在 臭氧 作用下， 以 solid 为溶剂， 生成 strontium(II) carbonate
  参考文献：
  名称：

  Growth of La_1−xSr_xFeO₃thin films by atomic layer deposition

  摘要：

  薄膜La1-xSrxFeO3是通过原子层沉积（ALD）技术制备的，使用的前驱体包括La(thd)3（Hthd = 2,2,6,6-四甲基庚烯-3,5-二酮）、Sr(thd)2、Fe(thd)3和臭氧。在200到360°C的温度范围内发现了所谓的ALD窗口。研究了前驱体脉冲程序对薄膜成分的影响。结果与一个模型进行了讨论，该模型将脉冲和获得的化学计量比之间的差异归因于前驱体对表面积的不同需求。尽管在相同条件下由Sr(thd)2和臭氧制备的薄膜几乎纯净为SrCO3，但La1-xSrxFeO3薄膜发现仅含少量碳酸盐杂质。La1-xSrxFeO3膜已在（无定形）钠钙玻璃和Si(100)、SrTiO3(100)及LaAlO3(012)的单晶基底上沉积。钠钙玻璃和Si(100)基底上的退火薄膜被发现是多晶的，晶粒呈几乎随机取向。而在MgO(100)和SrTiO3(100)基底上的薄膜则显示出一定程度的晶体取向，而在LaAlO3(012)上的退火薄膜则含有具有明显取向特征的晶粒。

  DOI：

  10.1039/b809974j
• 作为产物：
  描述：

  2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮 、 strontium (III) chloride hexahydrate 以 not given 为溶剂， 生成 bis(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)strontium
  参考文献：
  名称：

  Growth of La_1−xSr_xFeO₃thin films by atomic layer deposition

  摘要：

  薄膜La1-xSrxFeO3是通过原子层沉积（ALD）技术制备的，使用的前驱体包括La(thd)3（Hthd = 2,2,6,6-四甲基庚烯-3,5-二酮）、Sr(thd)2、Fe(thd)3和臭氧。在200到360°C的温度范围内发现了所谓的ALD窗口。研究了前驱体脉冲程序对薄膜成分的影响。结果与一个模型进行了讨论，该模型将脉冲和获得的化学计量比之间的差异归因于前驱体对表面积的不同需求。尽管在相同条件下由Sr(thd)2和臭氧制备的薄膜几乎纯净为SrCO3，但La1-xSrxFeO3薄膜发现仅含少量碳酸盐杂质。La1-xSrxFeO3膜已在（无定形）钠钙玻璃和Si(100)、SrTiO3(100)及LaAlO3(012)的单晶基底上沉积。钠钙玻璃和Si(100)基底上的退火薄膜被发现是多晶的，晶粒呈几乎随机取向。而在MgO(100)和SrTiO3(100)基底上的薄膜则显示出一定程度的晶体取向，而在LaAlO3(012)上的退火薄膜则含有具有明显取向特征的晶粒。

  DOI：

  10.1039/b809974j

文献信息

• Selective reaction and chemical anisotropy in epitaxial bismuth layer-structured ferroelectric thin films
  作者：Takayuki Watanabe、Hiroshi Funakubo

  DOI：10.1016/j.jssc.2004.10.019

  日期：2005.1

  Bismuth layer-structured ferroelectric thin films consisting of a stacking of pseudoperovskite and bismuth oxide blocks along the c-axis were epitaxially grown on single-crystal substrates by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD), and a selective reaction of the bismuth oxide layer with HCl was demonstrated. Epitaxial films with contrasting crystal orientations were used for the acid treatment

  由pseudoperovskite并沿着氧化铋块的层叠的铋层状结构铁电薄膜Ç轴由金属有机化学气相沉积（MOCVD），并用HCl的氧化铋层的选择性反应外延生长在单晶衬底证明。为了探测化学各向异性，将具有相反晶体取向的外延膜用于酸处理。对于一个/ b -轴导向的SrBi 2的Ta 2 ö 9，铋4的Ti 3 ö 12，和的SrBi 4的Ti 4 Ô 15与两个垂直方向块的顺序层叠膜，只观察到的SrBi反应的显着的结构选择性2的Ta 2 ö 9。对于该膜，所述pseudoperovskite块保持并除去氧化铋块，而铋两个块4的Ti 3 ö 12和的SrBi 4的Ti 4 ö 15溶解到酸。除铋外，其他的阳离子在pseudoperovskite块，锶和钛，还降低了的Bi 4的Ti 3 ö 12和的SrBi 4的Ti 4 Ô 15。所观察到的选择性反应一/ b轴为导向的SrBi 2的Ta 2 ö 9，但是，没有为观察Ç轴导向的SrBi
• Atomic Layer Deposition and Electrical Properties of SrTiO[sub 3] Thin Films Grown Using Sr(C[sub 11]H[sub 19]O[sub 2])[sub 2], Ti(Oi-C[sub 3]H[sub 7])[sub 4], and H[sub 2]O
  作者：Oh Seong Kwon、Sang Woon Lee、Jeong Hwan Han、Cheol Seong Hwang

  DOI：10.1149/1.2720763

  日期：——

  Atomic layer deposited SrTiO 3 (STO) thin films were grown using Sr(C 11 H 19 O 2 ) 2 and Ti(Oi-C 3 H 7 ) 4 with a remote plasma activated or thermal H 2 O vapor as oxidant at growth temperatures ranging from 190 to 270°C. The as-grown films were amorphous and showed a low effective dielectric constant of -20 with a low leakage current density (< 10 -7 A/cm 2 at 1 V). The chemical binding status of

  使用 Sr(C 11 H 19 O 2 ) 2 和 Ti(Oi-C 3 H 7 ) 4 以及远程等离子体激活或热 H 2 O 蒸气作为氧化剂在生长温度下生长原子层沉积的 SrTiO 3 (STO) 薄膜温度范围为 190 至 270°C。生长的薄膜是无定形的，并且显示出-20 的低有效介电常数和低漏电流密度（< 10 -7 A/cm 2 在1 V 下）。Sr 离子的化学结合状态随 STO 膜的结晶程度而变化。当使用热 H 2 O 蒸汽时 Sr 前驱体的蒸发温度 <200°C 时，可以获得合理的薄膜生长速率和化学计量的阳离子组成。即使增加了 H 2 O 供应量，生长膜的低密度也会导致膜厚度的大幅收缩，这会导致在后退火过程中结晶膜出现微裂纹。在主层 STO 生长之前采用薄（~5 nm）结晶种子层改善了结晶后的微观结构和漏电流性能。作为工艺优化的结果，在 Ru 电极上生长的 STO 膜的最佳电性能对于等效氧化物厚度为
• Chemical Vapor Deposition of  ( Ba , Sr ) TiO3
  作者：Masaji Yoshida、Hiromu Yamaguchi、Toshiyuki Sakuma、Yoichi Miyasaka、Pierre‐Yves Lesaicherre、Akihiko Ishitani

  DOI：10.1149/1.2043883

  日期：1995.1.1

  SrTiO 3 and (Ba, Sr)TiO 3 thin films were fabricated on Si and Pt/TaO 2 /Si substrates by chemical vapor deposition (CVD) using Sr(DPM) 2 , Ba(DPM) 2 , Ti(O-i-C 3 H 7 ) 4 , and O 2 where DPM is dipivaloylmethanate or formally 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate. The deposition system was operated in both thermal CVD mode and electron cyclotron resonance (ECR) plasma CVD mode. Variations in individual

  使用Sr(DPM) 2 、Ba(DPM) 2 、Ti(OiC 3 H 7 )通过化学气相沉积(CVD)在Si和Pt/TaO 2 /Si衬底上制备SrTiO 3 和(Ba, Sr)TiO 3 薄膜) 4 和 O 2 其中 DPM 是二戊酰甲烷酸酯或形式上的 2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酸酯。沉积系统以热 CVD 模式和电子回旋共振 (ECR) 等离子体 CVD 模式运行。研究了不同沉积条件下单个 Sr 和 Ti 沉积速率的变化。对SrTiO 3 和(Ba, Sr)TiO 3 薄膜进行了表征，以讨论阶梯覆盖、晶体结构和电性能。300 nm 宽、500 nm 高度和 500 nm 间距的 SiO 2 线的阶梯覆盖率为 30% 至 40%。40 至 100 nm SrTiO 3 薄膜，通过沉积后退火工艺，显示介电常数 >
• Effect of Sr–Ruthenate Seed Layer on Dielectric Properties of SrTiO[sub 3] Thin Films Prepared by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition
  作者：Ji-Hoon Ahn、Sang-Won Kang、Ja-Yong Kim、Jin-Hyock Kim、Jae-Sung Roh

  DOI：10.1149/1.2960898

  日期：——

  ruthenate seed layer on the dielectric properties of SrTiO 3 thin films was investigated. The SrTiO 3 thin films were deposited by plasma-enhanced atomic layer deposition using titanium tetra-isopropoxide and bis(dipivaloylmethanato) strontium as precursors and oxygen as an oxidant. A strontium ruthenate seed layer was formed through the deposition of ultrathin SrO and a postannealing process. The SrTiO

  研究了钌酸锶种子层对SrTiO 3 薄膜介电性能的影响。SrTiO 3 薄膜是通过等离子体增强原子层沉积法沉积的，使用四异丙醇钛和双(二新戊酰基甲烷)锶作为前体，氧作为氧化剂。通过超薄 SrO 的沉积和后退火工艺形成钌酸锶种子层。沉积在种子层上的 SrTiO 3 薄膜，通过沉积 2.7 nm SrO 和 SrTiO 3 沉积之前的后退火制备，与直接沉积在 Ru 上的 SrTiO 3 薄膜相比，显示出显着增强的介电性能。这归因于薄膜微晶的增强和低 k 界面层的减少。为了优化种子层形成，对于 0.27 至 5.4 nm 的 SrO 厚度范围，研究了插入的 SrO 层厚度对 SrTiO 3 膜的介电性能的依赖性。通过沉积1.35 nm厚的SrO层和后退火形成的种子层上10 nm厚的SrTiO 3 薄膜介电常数约为75 [等效氧化物厚度~0.5 nm]，满足动态随机存取存储器40的要求纳米技术。
• Enhanced electrical properties of SrTiO3 thin films grown by atomic layer deposition at high temperature for dynamic random access memory applications
  作者：Sang Woon Lee、Oh Seong Kwon、Jeong Hwan Han、Cheol Seong Hwang

  DOI：10.1063/1.2939102

  日期：2008.6.2

  SrTiO3 (STO) thin films were deposited at 370°C by atomic layer deposition using H2O as the oxidant, and Ti(O–iPr)2(thd)2 and Sr(thd)2 as Ti, and Sr precursors, respectively. Denser STO films were produced at this deposition temperature. The saturated growth rate was 0.15A∕cycle. The adoption of a thin crystallized seed layer resulted in crystallized perovskite STO films at the as-deposited state without

  SrTiO3 (STO) 薄膜通过原子层沉积在 370°C 下沉积，使用 H2O 作为氧化剂，Ti(O-iPr)2(thd)2 和 Sr(thd)2 分别作为 Ti 和 Sr 前驱体。在此沉积温度下产生更致密的 STO 膜。饱和增长率为0.15A∕cycle。采用薄的结晶种子层导致在沉积状态下结晶钙钛矿 STO 膜而无需更高温度的后退火。从由 Pt∕20-nm 厚的 STO/Ru（底部）组成的平面电容器结构获得了 0.72nm 的 tox（介电常数为 108）和低漏电流密度（~10−7A∕cm2 at 0.8V） .