2,7-bis(3-dodecylthiophene-2-yl)naphtho[1,2-b:5,6-b']difuran

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 萘并呋喃类
• 英文名称: 2,7-bis(3-dodecylthiophene-2-yl)naphtho[1,2-b:5,6-b']difuran
• 英文别名: 2,7-Bis(3-dodecylthiophen-2-yl)-[1]benzofuro[7,6-g][1]benzofuran；2,7-bis(3-dodecylthiophen-2-yl)-[1]benzofuro[7,6-g][1]benzofuran
• 化学式: C₄₆H₆₀O₂S₂
• 分子量: 709.113
• InChiKey: CMMXVYFOWPIEMI-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  19.2
• 重原子数：
  50
• 可旋转键数：
  24
• 环数：
  6.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.52
• 拓扑面积：
  82.8
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2,7-bis(3-dodecylthiophene-2-yl)naphtho[1,2-b:5,6-b']difuran 、 三甲基氯化锡 在 正丁基锂 作用下， 以 四氢呋喃 、 正己烷 为溶剂， 反应 1.5h， 以86%的产率得到2,7-bis(3-dodecylthiophene-2-yl)naphtho[1,2-b:5,6-b']difuran distannane
  参考文献：
  名称：

  高性能有机场效应晶体管角形萘[1,2- b ; 5,6- b ']二呋喃-二酮吡咯并吡咯共聚物的合成与表征

  摘要：

  我们通过引入萘[1,2- b ; 5,6- b ']二呋喃（NDF3）或以烷基噻吩基作为供体单元桥接的NDF3。与PNDF3-T-DPP相比，在PNDF3-BT-DPP中掺入短的π-共轭噻吩间隔基会形成“波状”分子主链，从而导致较差的有序结构和较低的电荷载流子迁移率。薄膜，尽管改善了溶解度和可加工性。另一方面，通过用硫类似物取代NDF3，萘[1,2- b ; 5,6- b']二噻吩（NDT3），所得的基于NDT3的聚合物具有较差的溶解度和扭曲的空间结构，从而导致较低的空穴迁移率。相反，当在有机场效应晶体管（OFET）器件中用作有源层时，PNDF3-T-DPP和PNDF3-BT-DPP表现出出色的空穴迁移率。即使不进行热退火，PNDF3-T-DPP和PNDF3-BT-DPP的最高空穴迁移率也分别达到0.24和0.11 cm 2 V –1 s –1。更高的空穴迁移率，最高可达0.56和0.35

  DOI：

  10.1021/ma402107n
• 作为产物：
  描述：

  naphtho[1,2-b:5,6-b']difuran 在 正丁基锂 、 trans-bis(triphenylphosphine)palladium dichloride 作用下， 以 四氢呋喃 、 正己烷 、 氯苯 为溶剂， 反应 25.5h， 生成 2,7-bis(3-dodecylthiophene-2-yl)naphtho[1,2-b:5,6-b']difuran
  参考文献：
  名称：

  高性能有机场效应晶体管角形萘[1,2- b ; 5,6- b ']二呋喃-二酮吡咯并吡咯共聚物的合成与表征

  摘要：

  我们通过引入萘[1,2- b ; 5,6- b ']二呋喃（NDF3）或以烷基噻吩基作为供体单元桥接的NDF3。与PNDF3-T-DPP相比，在PNDF3-BT-DPP中掺入短的π-共轭噻吩间隔基会形成“波状”分子主链，从而导致较差的有序结构和较低的电荷载流子迁移率。薄膜，尽管改善了溶解度和可加工性。另一方面，通过用硫类似物取代NDF3，萘[1,2- b ; 5,6- b']二噻吩（NDT3），所得的基于NDT3的聚合物具有较差的溶解度和扭曲的空间结构，从而导致较低的空穴迁移率。相反，当在有机场效应晶体管（OFET）器件中用作有源层时，PNDF3-T-DPP和PNDF3-BT-DPP表现出出色的空穴迁移率。即使不进行热退火，PNDF3-T-DPP和PNDF3-BT-DPP的最高空穴迁移率也分别达到0.24和0.11 cm 2 V –1 s –1。更高的空穴迁移率，最高可达0.56和0.35

  DOI：

  10.1021/ma402107n

文献信息

• Synthesis and Characterization of Angular-Shaped Naphtho[1,2-<i>b</i>;5,6-<i>b</i>′]difuran–Diketopyrrolopyrrole-Containing Copolymers for High-Performance Organic Field-Effect Transistors
  作者：Shaowei Shi、Xiaodong Xie、Chen Gao、Keli Shi、Song Chen、Gui Yu、Longhai Guo、Xiaoyu Li、Haiqiao Wang

  DOI：10.1021/ma402107n

  日期：2014.1.28

  We reported the synthesis, characterization, and field-effect transistor properties of two diketopyrrolopyrrole (DPP)-based π-conjugated copolymers PNDF3-T-DPP and PNDF3-BT-DPP by introducing naphtho[1,2-b;5,6-b′]difuran (NDF3) or NDF3 bridged with alkylthienyl as the donor unit. Compared with PNDF3-T-DPP, the incorporation of a short π-conjugated thiophene spacer into PNDF3-BT-DPP resulted in a “wave”

  我们通过引入萘[1,2- b ; 5,6- b ']二呋喃（NDF3）或以烷基噻吩基作为供体单元桥接的NDF3。与PNDF3-T-DPP相比，在PNDF3-BT-DPP中掺入短的π-共轭噻吩间隔基会形成“波状”分子主链，从而导致较差的有序结构和较低的电荷载流子迁移率。薄膜，尽管改善了溶解度和可加工性。另一方面，通过用硫类似物取代NDF3，萘[1,2- b ; 5,6- b']二噻吩（NDT3），所得的基于NDT3的聚合物具有较差的溶解度和扭曲的空间结构，从而导致较低的空穴迁移率。相反，当在有机场效应晶体管（OFET）器件中用作有源层时，PNDF3-T-DPP和PNDF3-BT-DPP表现出出色的空穴迁移率。即使不进行热退火，PNDF3-T-DPP和PNDF3-BT-DPP的最高空穴迁移率也分别达到0.24和0.11 cm 2 V –1 s –1。更高的空穴迁移率，最高可达0.56和0.35