1,1,1-trifluoro-4-[(2-methoxyethyl)amino]pent-3-en-2-one

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: 1,1,1-trifluoro-4-[(2-methoxyethyl)amino]pent-3-en-2-one
• 英文别名: 1,1,1-Trifluoro-4-(2-methoxyethylamino)pent-3-en-2-one
• 化学式: C₈H₁₂F₃NO₂
• 分子量: 211.184
• InChiKey: NQCPZQTYMHUYRU-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.1
• 重原子数：
  14
• 可旋转键数：
  5
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.62
• 拓扑面积：
  38.3
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  1,1,1-trifluoro-4-[(2-methoxyethyl)amino]pent-3-en-2-one 在 正丁基锂 作用下， 以 正己烷 、 甲苯 为溶剂， 以93 %的产率得到
  参考文献：
  名称：

  CN116574021

  摘要：

  公开号：
• 作为产物：
  描述：

  三氟乙酰丙酮 、 2-甲氧基乙胺 以 甲苯 为溶剂， 反应 24.0h， 以57%的产率得到1,1,1-trifluoro-4-[(2-methoxyethyl)amino]pent-3-en-2-one
  参考文献：
  名称：

  氟化β-酮亚胺锌前体的合成和表征及其在 ZnO:F 的 AP-MOCVD 生长中的应用

  摘要：

  通过分离的游离配体 (1a-h) 与二甲基锌的反应，合成了一个新型的锌双 β-酮亚胺配合物 2b-2h。分离的锌配合物通过元素分析、核磁共振光谱表征，在2b-d和2f-h的情况下，配合物的分子结构由单晶X射线衍射确定，表明化合物为拟八面体固态的 6 配位单体均配配合物。TG 分析显示配合物 2b-f 在 400 °C 下的残留质量均为 10% 或更低，远低于 ZnO 的值，因此表明存在挥发性。在这些系统中，研究了 2b [Zn{MeC(O)CHC(NCH2CH2OMe)CF3}2] 在没有额外氧化剂的情况下，在 400° 下，在掺氟 ZnO（ZnO:F）的 AP-MOCVD 生长中的效用C 在玻璃和硅基板上。

  DOI：

  10.1002/ejic.201500536

文献信息

• Synthesis, Structure and Chemical Vapour Deposition Studies on the Group 13 Complexes [Me ₂ M­{tfacnac}] [M = Al, Ga, In; Htfacnac = F ₃ CC(OH)CHC(CH ₃ )NCH ₂ CH ₂ OCH ₃ ]
  作者：Samuel D. Cosham、Jeff A. Hamilton、Michael S. Hill、Andrew L. Johnson、Kieran C. Molloy

  DOI：10.1002/ejic.201600023

  日期：2016.4

  revealed them to be monomeric five-coordinate complexes with coordination of the pendent ether-bearing lariat in the solid state. Thermogravimetric analysis showed complexes 2–4 all to have residual masses at 200 °C of 2.4 % or less, well below the value for the respective metal oxides, and vapour pressure measurements showed the indium complex 4 to be an order of magnitude less volatile (0.09 Torr at 80

  通式 [Me2MMeC(O)CHC(NCH2CH2OMe)CF3}] [M = Al (2), Ga (3) 或 In (4)] 的第 13 族金属二甲基配合物是通过以下反应合成的用相应的三甲基金属试剂分离游离配体 1。分离的配合物2-4通过元素分析和核磁共振光谱表征，配合物的分子结构通过单晶X射线衍射确定，表明它们是单体五配位配合物，配位悬垂醚-轴承套索处于固态。热重分析显示配合物 2-4 在 200 °C 下的残留质量均为 2.4% 或更低，远低于相应金属氧化物的值，蒸气压测量显示铟配合物 4 的挥发性低一个数量级（ 0. 09 Torr at 80 °C) 比 Al (2) 和 Ga (3) 类似物，尽管它们是等渗系统。研究了配合物 2-4 在 400°C 下在 400°C 下在硅基板上在不存在额外氧化剂的情况下，在低压金属有机化学气相沉积中对相应金属氧化物的效用。