3,6-bis[2-(2-pyridyl)ethenyl]-9-ethylcarbazole

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 吲哚及其衍生物
• 英文名称: 3,6-bis[2-(2-pyridyl)ethenyl]-9-ethylcarbazole
• 英文别名: 9-ethyl-3,6-bis[2-(2-pyridyl)ethenyl]carbazole；9-ethyl-3,6-bis[(E)-2-pyridin-2-ylethenyl]carbazole
• 化学式: C₂₈H₂₃N₃
• 分子量: 401.511
• InChiKey: ZYOVLZTXDNHABO-UTLPMFLDSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  6.1
• 重原子数：
  31
• 可旋转键数：
  5
• 环数：
  5.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.07
• 拓扑面积：
  30.7
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  N-乙基咔唑 在 palladium diacetate 四丁基溴化铵 、 一氯化碘 、 potassium carbonate 、 三(邻甲基苯基)磷 作用下， 以 乙醇 、 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 反应 122.0h， 生成 3,6-bis[2-(2-pyridyl)ethenyl]-9-ethylcarbazole
  参考文献：
  名称：

  具有两个同源新型功能刚性配体的汞 (II) 配合物的合成、晶体结构和光致发光

  摘要：

  两种新型功能刚性配体，基于 2,2'- 和 4,4'-联吡啶基的“构件”，9-乙基-3,6-双[2-(4-吡啶基)乙烯基]咔唑 (L1) 和 9合成了-乙基-3,6-双[2-(2-吡啶基)乙烯基]咔唑(L2)。用 Hg(SCN)2 或 HgI2 将 L1,2 作为“积木”处理提供螺旋、大环和链，它们可以通过 π-π 堆积相互作用、氢键和固体中的原子间力进一步自组装状态形成二维网络。在配合物1-4中，HgII中心在不同的配位环境中均采用四配位模式，但它们呈现出不同的架构，配体和反阴离子的结构略有调整，表明配体和阴离子的性质在配位中起着重要作用网络。已经研究了化合物 1-4 的发光特性。

  DOI：

  10.1002/ejic.200500439

文献信息

• A novel 2D double helix cadmium(II) coordination polymer: synthesis, crystal structures and luminescence properties
  作者：Hong-Ping Zhou、Ju-Zhou Zhang、Dong-Mei Li、Yong-Min Zhu、Zhang-Jun Hu、Jie-Ying Wu、Yi Xie、Min-Hua Jiang、Xu-Tang Tao、Yu-Peng Tian

  DOI：10.1016/j.molstruc.2005.01.073

  日期：2005.5

  Abstract A novel double helix coordination polymer, [Cd(2,2′-bpeec)I 2 ] n ( 1 ) (2,2′-bpeec=3,6-bis[2-(2-pyridyl)ethenyl]-9-ethylcarbazole) has been prepared and characterized by elemental analyses, IR and luminescence spectra, single crystal X-ray diffraction. Complex 1 crystallizes in the space group P 2 1 / c with a =8.444(2), b =23.126(4), c =14.156(2), β =97.927(2), Z =4, V =2737.8(7) A 3 , μ

  摘要 一种新型双螺旋配位聚合物[Cd(2,2'-bpeec)I 2 ] n ( 1 ) (2,2'-bpeec=3,6-bis[2-(2-pyridyl)ethenyl]-9 -乙基咔唑）已通过元素分析、红外和发光光谱、单晶 X 射线衍射进行制备和表征。配合物 1 在空间群 P 2 1 / c 中结晶，a =8.444(2), b =23.126(4), c =14.156(2), β =97.927(2), Z =4, V =2737.8(7) ) A 3 ，μ =3.073 mm -1 。标题化合物的二维骨架由 C–H⋯I 氢键和 π–π 相互作用形成。固态荧光分析表明，该化合物在 547 nm 处具有宽发射带。