tris(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)indium(III)

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: tris(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)indium(III)
• 英文别名: indium tris(4,4,6,6-tetramethyl-1,5-heptanedionate)；tris(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)indium；tris(2,2,6,6-tetramethylheptane-3,5-dionate)indium；indium tris(dipivaloylmethanate)；indium(III) dipivaloylmethanate；In(III)(dipivaloylmethanate)3；indium(3+);(Z)-2,2,6,6-tetramethyl-5-oxohept-3-en-3-olate
• 化学式: C₃₃H₅₇InO₆
• 分子量: 664.632
• InChiKey: YVKGYGRXJLEUTO-LWTKGLMZSA-K

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  8.66
• 重原子数：
  40
• 可旋转键数：
  15
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.73
• 拓扑面积：
  78.9
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  bis(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) zinc(II) 、 tris(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)indium(III) 在 O₂ 作用下， 以 gaseous matrix 为溶剂， 生成
  参考文献：
  名称：

  通过低压金属有机化学气相沉积生长的透明导电氧化铟锌薄膜中的电荷传输、光学透明度、微观结构和加工关系

  摘要：

  铟锌氧化物薄膜 (ZnxInyOx+1.5y)，x/y=0.08-12.0，通过低压金属有机化学气相沉积使用挥发性金属有机前驱体 In(TMHD)3 和 Zn(TMHD) 生长2（TMHD=2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮）。薄膜是光滑的（rms 粗糙度 = 40–50 A），具有随成分变化的复杂微观结构。在 x/y=0.33 处发现最高电导率，σ=1000 S/cm（n 型；载流子密度=3.7×1020 cm3；迁移率=18.6 cm2/V s；dσ/dT<0）。这种薄膜的光学传输窗口比掺杂 Sn 的 In2O3 更宽，绝对透明度可与最透明的导电氧化物相媲美或超过。X 射线衍射、高分辨率透射电子显微镜、微衍射、

  DOI：

  10.1063/1.121823
• 作为产物：
  描述：

  2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮 、 氯化铟 在 sodium hydroxide 作用下， 以 甲醇 、 水 为溶剂， 生成 tris(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)indium(III)
  参考文献：
  名称：

  Influence of the Choice of Indium Precursor and Ligand on the Synthesis of InP Nanocrystals

  摘要：

  通过三(三甲基硅基)膦与不同铟前体之间的反应，制备了直径在2到5.5纳米之间的良好结晶的InP纳米晶体。经典的TOP/TOPO反应介质被弱配位溶剂二苯醚所取代，该溶剂在低浓度下含有强配位配体。使用不同的膦氧化物、膦、磷酸盐、亚磷酸盐和膦酸盐作为配体，并研究它们对InP纳米晶体生长的影响。合成过程可以在低至150°C的温度下和短反应时间内制备晶体InP量子点(QDs)。InP QDs的最终尺寸与配体和铟前体的选择无关。

  DOI：

  10.1524/zpch.2007.221.3.393

文献信息

• Gallium and Indium β‐Diketonate Complexes: AACVD of [In(thd) ₃ ] and the Attempted Synthesis of Gallium and Indium Bis(β‐diketonates)
  作者：David Pugh、Leanne G. Bloor、Sanjayan Sathasivam、Ivan P. Parkin、Claire J. Carmalt

  DOI：10.1002/ejic.201001235

  日期：2011.4

  bdk = beta-diketonate; X = chloride, hydride, methyl) was attempted such that the solubility could be improved by tuning the ligands surrounding the metal centre. Reaction of stoichiometric amounts of beta-diketones [Hthd and 2,4-pentanedione (acetylacetone, Hacac)] with Lewis base-stabilized adducts of GaH3 resulted only in the isolation of the homoleptic gallium tris(beta-diketonate) compounds [Ga(bdk)(3)]

  [In(thd)(3)]（thd = 2,2,6,6-tetramethylheptane-3,5-dionate）在 CH2Cl2 中的悬浮液在 450 摄氏度的气溶胶辅助化学气相沉积 (AACVD) 中得到薄结晶氧化铟薄膜。通过扫描电子显微镜 (SEM)、掠射角 X 射线衍射 (XRD) 和 X 射线能量色散分析 (EDX) 对薄膜进行分析。[In(thd)(3)] 的溶解度差阻碍了生长更厚薄膜的努力，因此合成 [M(bdk)(2)X] 型杂配化合物 (M = Ga, In; bdk = β-二酮；X = 氯化物、氢化物、甲基），这样可以通过调整金属中心周围的配体来提高溶解度。化学计量的 β-二酮 [Hthd 和 2,4-戊二酮（乙酰丙酮，Hacac)] 与 GaH3 的路易斯碱稳定加合物仅导致分离出均配镓三（β-二酮）化合物 [Ga（bdk）（3）]，而不是预期的杂配镓双（β-二酮）氢化物
• Structure and Polymorphism of<i>M</i>(thd)₃(<i>M</i>= Al, Cr, Mn, Fe, Co, Ga, and In)
  作者：Mohammed A. K. Ahmed、Helmer Fjellvåg、Arne Kjekshus、David S. Wragg

  DOI：10.1002/zaac.201200478

  日期：2013.4

  between polymorphs are reported for M(thd)3, (M = Al, Cr, Mn, Fe, Co, Ga, and In) [(thd)– = anion of H(thd) = C11H20O2 = 2, 2, 6, 6-tetramethylheptane-3, 5-dione]. Fresh crystal-structure data are provided for monoclinic polymorphs of Al(thd)3, Ga(thd)3, and In(thd)3. Apart from adjustment of the M–Ok bond length, the structural characteristics of M(thd)3 complexes remain essentially unaffected by

  报告了 M(thd)3 的形成、晶体结构、多晶型和多晶型之间的转变，(M = Al、Cr、Mn、Fe、Co、Ga 和 In) [(thd)– = H(thd) 的阴离子= C11H20O2 = 2, 2, 6, 6-四甲基庚烷-3, 5-二酮]。为 Al(thd)3、Ga(thd)3 和 In(thd)3 的单斜多晶型物提供了新的晶体结构数据。除了调整 M-Ok 键长外，M(thd)3 配合物的结构特征基本上不受 M 变化的影响。 M-Ok、Ok-Ck 和 Ck-Ck 距离的分析支持这样一个观点： M–Ok–Ck–Ck–Ck–Ok– 环形成一个杂环单元，σ 和 π 对键有贡献。根据键价或键序方案的初步评估表明，对于 M-Ok、Ok-Ck 和 Ck-Ck 键，σ 键的强度大致相等，而与 Ok-Ck 和 Ck-Ck 键相比，M-Ok 键的 π 分量很小。M(thd)3 多晶型物出现的模式轮廓表
• MOCVD-Derived Highly Transparent, Conductive Zinc- and Tin-Doped Indium Oxide Thin Films:  Precursor Synthesis, Metastable Phase Film Growth and Characterization, and Application as Anodes in Polymer Light-Emitting Diodes
  作者：Jun Ni、He Yan、Anchuang Wang、Yu Yang、Charlotte L. Stern、Andrew W. Metz、Shu Jin、Lian Wang、Tobin J. Marks、John R. Ireland、Carl R. Kannewurf

  DOI：10.1021/ja044643g

  日期：2005.4.1

  stabilities and vapor phase transport properties of these new complexes are considerably greater than those of conventional solid zinc metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) precursors. One of the complexes in the series, bis(1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4-pentadionato)(N,N'-diethylethylenediamine)zinc, is particularly effective in the growth of thin films of the transparent conducting oxide Zn-In-Sn-O

  可以在一步反应中合成双 (六氟乙酰丙酮) 锌 [Zn(hfa)(2).(diamine)] 的四种二胺加合物。单晶 X 射线衍射研究揭示了单体的六坐标结构。这些新配合物的热稳定性和气相传输性能比传统的固体锌金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 前驱体的热稳定性和气相传输性能要好得多。该系列中的一种复合物，双(1,1,1,5,5,5-六氟-2,4-五二氢)(N,N'-二乙基乙二胺)锌，对薄膜的生长特别有效。透明导电氧化物 Zn-In-Sn-O (ZITO) 由于其优异的挥发性和 64 摄氏度的低熔点。 -压力MOCVD。这些薄膜表现出高达 2900 S/cm 的电导率和光学透明度，可与商业掺锡氧化铟 (ITO) 薄膜相媲美或更高。标称成分为 ZnIn(2.0)Sn(1.5)O(z)() 的 ZITO 薄膜用于制造聚合物发光二极管。这些设备的光输出和电流效率比基于 ITO 的控制设备高出近 70%。
• Polytypoid structures in annealed In2O3–ZnO films
  作者：Y. Yan、S. J. Pennycook、J. Dai、R. P. H. Chang、A. Wang、T. J. Marks

  DOI：10.1063/1.122513

  日期：1998.11.2

  Atomic-resolution Z-contrast images demonstrate unambiguously that the annealed, metalorganic chemical vapor deposition derived transparent In2O3–ZnO films have a polytypoid microstructure, consisting of ZnO slabs of variable width separated by single In–O octahedral layers. These In–O layers induce a polarity inversion in the two adjacent ZnO layers, which is reversed again by a mirror domain boundary

  原子分辨率 Z 对比图像明确表明，退火的、金属有机化学气相沉积衍生的透明 In2O3-ZnO 膜具有多型微结构，由单个 In-O 八面体层分隔的可变宽度的 ZnO 板组成。这些 In-O 层在两个相邻的 ZnO 层中引起极性反转，这又被每个 ZnO 板内的镜像域边界反转。
• Charge Transport and Optical Properties of MOCVD-Derived Highly Transparent and Conductive Mg- and Sn-Doped In₂O₃ Thin Films
  作者：Jun Ni、Lian Wang、Yu Yang、He Yan、Shu Jin、Tobin J. Marks、John R. Ireland、Carl R. Kannewurf

  DOI：10.1021/ic0501364

  日期：2005.8.1

  Mg- and Sn-doped In2O3 (MgInxSnyOz, 6.0 < x < 16.0; 3.0 < y < 8.0) thin films were grown by low-pressure metal-organic chemical vapor deposition using the volatile metal-organic precursors tris (2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)indium(III) [In(dpm)(3)], bis(2,4-pentanedionato)tin(II) [Sn(acac)(2)], and bis(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) (N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine)magnesium(II) [Mg(dpm)(2)(TMEDA)]. Films in this compositional range retain the cubic In2O3 bixbyite crystal structure. The highest conductivity is found to be similar to 1000 S/cm for an as-grown film with a nominal composition MgIn14.3Sn6.93Oz. Annealing of such films in a vacuum raises the conductivity to similar to 2000 S/cm. The optical transmission window of the present films is significantly wider than that of typical indium tin oxide (ITO) films from 300 to 3300 nm, and the transmittance is also greater than or comparable to that of commercial ITO films.