Li di-tert-butylmalonate

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物 - 羧酸及其衍生物
• 英文名称: Li di-tert-butylmalonate
• 英文别名: Lithium;1,3-bis[(2-methylpropan-2-yl)oxy]-3-oxoprop-1-en-1-olate
• 化学式: C₁₁H₁₉O₄*Li
• 分子量: 222.21
• InChiKey: DSSKGRCFKKMOBO-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.65
• 重原子数：
  16
• 可旋转键数：
  5
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.73
• 拓扑面积：
  58.6
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  Li di-tert-butylmalonate 在 palladium on activated charcoal 四甲基乙二胺 、 氢气 作用下， 以 甲醇 、 乙二醇二甲醚 、 溶剂黄146 为溶剂， 生成 2-Amino-4-tert-butoxycarbonyl-pentanedioic acid 5-tert-butyl ester 1-methyl ester
  参考文献：
  名称：

  Kristalline Derivate desD,L-γ-Carboxyglutaminsäure-γ,γ′-di-t-butylesters. Vorläufige Mitteilung

  摘要：

  DOI：

  10.1002/hlca.19760590319

文献信息

• Novel Gallium Complexes with Malonic Diester Anions as Molecular Precursors for the MOCVD of Ga ₂ O ₃ Thin Films
  作者：Malte Hellwig、Ke Xu、Davide Barreca、Alberto Gasparotto、Manuela Winter、Eugenio Tondello、Roland A. Fischer、Anjana Devi

  DOI：10.1002/ejic.200801062

  日期：2009.3

  assess their suitability as precursors for the metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD) of Ga2O3 thin films. MOCVD of Ga2O3 thin films was carried out starting from compound 2 in light of the promising features of this precursor. The as-deposited layers are amorphous and can be transformed into the monoclinic β-Ga2O3 phase upon annealing at 1000 °C ex situ. The film morphology was studied by

  五种不同的均质镓配合物与丙二酸二酯阴离子 [Ga(ROCOCHOCOR)3] [R = Me (1), Et (2), iPr (3), tBu (4) 和 SiMe3 (5)] 已被合成并表征为1H 和 13C NMR、IR 光谱、电子电离质谱 (EI-MS) 和单晶 X 射线衍射。通过热重研究评估所得化合物的热性能，以评估它们作为 Ga2O3 薄膜的金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 前体的适用性。鉴于该前体的有前途的特征，从化合物 2 开始对 薄膜进行 MOCVD。沉积后的层是非晶态的，在 1000 °C 异位退火后可以转变为单斜晶 β- 相。通过扫描电子显微镜（SEM）研究薄膜形貌，并通过能量色散X射线光谱（EDXS）和X射线光电子能谱（XPS）研究其组成。获得了几乎化学计量的 薄膜，碳含量低。（© Wiley-VCH Verlag GmbH &