tris(1,1,1,5,5,5-hexafluoropentane-2,4-dionato)indium

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: tris(1,1,1,5,5,5-hexafluoropentane-2,4-dionato)indium
• 英文别名: tris(hexafluoroacetylacetonate)indium；(Z)-4-bis[[(Z)-1,1,1,5,5,5-hexafluoro-4-oxopent-2-en-2-yl]oxy]indiganyloxy-1,1,1,5,5,5-hexafluoropent-3-en-2-one
• 化学式: C₁₅H₃F₁₈InO₆
• 分子量: 735.976
• InChiKey: ROHABQYZMNMONF-JVUUZWNBSA-K

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  indium(III) chloride 、 六氟乙酰丙酮 以 xylene 为溶剂， 135.0 ℃ 、50.0 Pa 条件下， 反应 120.0h， 以85.9%的产率得到tris(1,1,1,5,5,5-hexafluoropentane-2,4-dionato)indium
  参考文献：
  名称：

  含フッ素金属錯体の合成方法

  摘要：

  要解决的问题：提供一种合成高挥发性和稳定性的含氟金属络合物的方法，该方法可用作化学气相沉积（CVD）形成薄膜的原料。解决方案：提供一种合成氟化物β-二酮铝、铟或镓络合物的方法，包括以下步骤：悬浮铝、铟或镓的无水氯化物在无水无极溶剂中，然后加入含氟化物β-二酮进行反应，接着在1-50帕的压力下回流40-140°C进行进一步反应，去除生成的氯化氢气体，然后从分为两层的结果溶液中去除上层溶剂，再次加入相同的无极溶剂，然后回流40-140°C，然后冷却至-20至15°C沉淀晶体。然后过滤和收集晶体，向晶体中加入相同的无极溶剂，然后回流40-140°C，然后冷却至-20至15°C，将最终晶体沉淀在下层。版权所有：（C）2005，JPO&NCIPI

  公开号：

  JP2005194226A

文献信息

• Brain, Paul T.; Buehl, Michael; Robertson, Heather E., Journal of the Chemical Society, Dalton Transactions, <hi>1998</hi>, # 4, p. 545 - 551
  作者：Brain, Paul T.、Buehl, Michael、Robertson, Heather E.、Jackson, Andrew D.、Lickiss, Paul D.、MacKerracher, Donald、Rankin, David W. H.、Shah, Dipti、Thiel, Walter

  DOI：——

  日期：——