tris(1,1,1,5,5,5-hexafluoropentane-2,4-dionato)indium

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: tris(1,1,1,5,5,5-hexafluoropentane-2,4-dionato)indium
• 英文别名: tris(hexafluoroacetylacetonate)indium；(Z)-4-bis[[(Z)-1,1,1,5,5,5-hexafluoro-4-oxopent-2-en-2-yl]oxy]indiganyloxy-1,1,1,5,5,5-hexafluoropent-3-en-2-one
• 化学式: C₁₅H₃F₁₈InO₆
• 分子量: 735.976
• InChiKey: ROHABQYZMNMONF-JVUUZWNBSA-K

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  indium(III) chloride 、 六氟乙酰丙酮 以 xylene 为溶剂， 135.0 ℃ 、50.0 Pa 条件下， 反应 120.0h， 以85.9%的产率得到tris(1,1,1,5,5,5-hexafluoropentane-2,4-dionato)indium
  参考文献：
  名称：

  含フッ素金属錯体の合成方法

  摘要：

  要解决的问题：提供一种合成高挥发性和稳定性的含氟金属络合物的方法，该方法可用作化学气相沉积（CVD）形成薄膜的原料。解决方案：提供一种合成氟化物β-二酮铝、铟或镓络合物的方法，包括以下步骤：悬浮铝、铟或镓的无水氯化物在无水无极溶剂中，然后加入含氟化物β-二酮进行反应，接着在1-50帕的压力下回流40-140°C进行进一步反应，去除生成的氯化氢气体，然后从分为两层的结果溶液中去除上层溶剂，再次加入相同的无极溶剂，然后回流40-140°C，然后冷却至-20至15°C沉淀晶体。然后过滤和收集晶体，向晶体中加入相同的无极溶剂，然后回流40-140°C，然后冷却至-20至15°C，将最终晶体沉淀在下层。版权所有：（C）2005，JPO&NCIPI

  公开号：

  JP2005194226A

文献信息

• Brain, Paul T.; Buehl, Michael; Robertson, Heather E., Journal of the Chemical Society, Dalton Transactions, <hi>1998</hi>, # 4, p. 545 - 551
  作者：Brain, Paul T.、Buehl, Michael、Robertson, Heather E.、Jackson, Andrew D.、Lickiss, Paul D.、MacKerracher, Donald、Rankin, David W. H.、Shah, Dipti、Thiel, Walter

  DOI：——

  日期：——
• 含フッ素金属錯体の合成方法
  申请人：セントラル硝子株式会社

  公开号：JP2005194226A

  公开（公告）日：2005-07-21

  PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for synthesizing a fluorine-containing metal complex of high volatility and stability useful as a raw material for forming thin film by chemical vapor deposition(CVD).

  SOLUTION: The method for synthesizing a fluorine-containing β-diketone complex of Al, In or Ga is provided, comprising the following process: An anhydrous chloride of Al, In or Ga is suspended in an anhydrous aprotic solvent followed by adding a fluorine-containing β-diketone to carry out a reaction followed by further reaction under a pressure of 1-50 Pa while refluxing at 40-140°C, and a hydrogen chloride gas generated is removed, the upper layer solvent is then removed from the resultant solution separated in two layers followed by adding the same aprotic solvent again and refluxing at 40-140°C and then cooling at -20 to 15°C to deposit crystal. The crystal is then filtered and collected, and the same aprotic solvent is added to the crystal followed by refluxing at 40-140°C and then cooling at -20 to 15°C to deposit the final crystal in the lower layer.

  COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

  要解决的问题：提供一种合成高挥发性和稳定性的含氟金属络合物的方法，该方法可用作化学气相沉积（CVD）形成薄膜的原料。解决方案：提供一种合成氟化物β-二酮铝、铟或镓络合物的方法，包括以下步骤：悬浮铝、铟或镓的无水氯化物在无水无极溶剂中，然后加入含氟化物β-二酮进行反应，接着在1-50帕的压力下回流40-140°C进行进一步反应，去除生成的氯化氢气体，然后从分为两层的结果溶液中去除上层溶剂，再次加入相同的无极溶剂，然后回流40-140°C，然后冷却至-20至15°C沉淀晶体。然后过滤和收集晶体，向晶体中加入相同的无极溶剂，然后回流40-140°C，然后冷却至-20至15°C，将最终晶体沉淀在下层。版权所有：（C）2005，JPO&NCIPI