[EN] PROTECTANT, METHOD FOR PRODUCING COMPOUND PROTECTED BY PROTECTANT, RESIN PROTECTED BY PROTECTANT, PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION CONTAINING RESIN PROTECTED BY PROTECTANT, PATTERN-FORMING MATERIAL, PHOTOSENSITIVE FILM, CURED RELIEF PATTERN, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE<br/>[FR] PROTECTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSÉ PROTÉGÉ PAR LE PROTECTEUR, RÉSINE PROTÉGÉE PAR LE PROTECTEUR, COMPOSITION DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE CONTENANT LA RÉSINE PROTÉGÉE PAR LE PROTECTEUR, MATIÈRE DE FORMATION DE MOTIF, FILM PHOTOSENSIBLE, MOTIF EN RELIEF DURCI, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
申请人:FUJIFILM CORP
公开号:WO2013141376A1
公开(公告)日:2013-09-26
保存安定性に優れるカルボキシル基又はヒドロキシル基の保護剤、該保護剤によりカルボキシル基又はヒドロキシル基が保護され、保存安定性に優れる樹脂、解像性及び感度に優れる前記保護された樹脂を含有する感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物を用いたパターン形成材料、感光性膜、及び硬化膜、並びに該感光性樹脂組成物を用いた硬化レリーフパターンの製造方法、それにより得られた硬化レリーフパターン及び該硬化レリーフパターンを具備する半導体装置を提供する。 下記一般式(I)で表される化合物であるヒドロキシル基又はカルボキシル基の保護剤。(上記一般式中、R1及びR2は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、シアノ基又はハロゲン原子を表し、R1及びR2の少なくとも1つは、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、シアノ基又はハロゲン原子である。 R3は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基を表す。 R1及びR2が互いに結合して環を形成していてもよく、R1又はR2がR3と結合して環を形成していてもよい。Xは前記ヒドロキシル基又はカルボキシル基の作用により脱離し得る基を表す。)