dicycloheptyl ether | 109960-39-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: dicycloheptyl ether
• 英文别名: oxydicycloheptane；Cycloheptyloxycycloheptane
• CAS: 109960-39-6
• 化学式: C₁₄H₂₆O
• 分子量: 210.36
• InChiKey: RXQDTMKIWOTJSQ-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  274.0±8.0 °C(Predicted)
• 密度：
  0.91±0.1 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.8
• 重原子数：
  15
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  9.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2-methyl-N-(2-(pyridin-2-yl)propan-2-yl)benzamide 、 dicycloheptyl ether 在 二叔丁基过氧化物 、 cobalt acetylacetonate 作用下， 以 苯 为溶剂， 反应 24.0h， 以80%的产率得到2-cycloheptyl-6-methyl-N-(2-(pyridin-2-yl)propan-2-yl)benzamide
  参考文献：
  名称：

  通过C（sp 2）–H和C（sp 3）–O键的裂解，钴催化芳烃和烯烃与烷基醚的二次烷基化

  摘要：

  用（吡啶-2-基）异丙基胺作为N，N双齿的直接基团，可以实现新颖的钴催化的芳烃和烯烃的CH烷基化反应。通过裂解C（sp 3）-O键，将不同的直链，支链和环状烷基醚用作实用的仲烷基化试剂，为合成通用的o-烷基化的芳基酰胺和四取代的丙烯酰胺提供了一种有效的方法。机理研究表明，惰性C（sp 3）-O键的裂解涉及钴促进的自由基过程，而钴催化剂对惰性C（sp 2）-H键的裂解是限速步骤。

  DOI：

  10.1021/acs.joc.8b02197
• 作为产物：
  描述：

  环庚酮 在 三乙基硅烷 、 三氟甲磺酸三甲基硅酯 作用下， 以 二氯甲烷 为溶剂， 反应 2.0h， 以67%的产率得到dicycloheptyl ether
  参考文献：
  名称：

  通过C（sp 2）–H和C（sp 3）–O键的裂解，钴催化芳烃和烯烃与烷基醚的二次烷基化

  摘要：

  用（吡啶-2-基）异丙基胺作为N，N双齿的直接基团，可以实现新颖的钴催化的芳烃和烯烃的CH烷基化反应。通过裂解C（sp 3）-O键，将不同的直链，支链和环状烷基醚用作实用的仲烷基化试剂，为合成通用的o-烷基化的芳基酰胺和四取代的丙烯酰胺提供了一种有效的方法。机理研究表明，惰性C（sp 3）-O键的裂解涉及钴促进的自由基过程，而钴催化剂对惰性C（sp 2）-H键的裂解是限速步骤。

  DOI：

  10.1021/acs.joc.8b02197

文献信息

• RESIST UNDERLAYER FILM COMPOSITION, PATTERNING PROCESS, AND METHOD FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US20180284615A1

  公开（公告）日：2018-10-04

  Provided is a resist underlayer film composition which is excellent in resistance to a basic hydrogen peroxide aqueous solution, in gap-filling and planarization characteristics, and in dry etching characteristic, wherein the resist underlayer film composition is used for a multilayer resist method, comprising: (A1) a polymer (1A) comprising one, or two or more, of a repeating unit represented by following general formula (1); (A2) one, or two or more, of a polyphenol compound having a formula weight of 2,000 or less and not having a 3,4-dihydroxy phenyl group; and (B) an organic solvent.

  提供了一种抗碱性过氧化氢水溶液、填孔和平坦化特性以及干法蚀刻特性优异的抗蚀底层膜组合物，该抗蚀底层膜组合物用于多层光刻方法，包括：（A1）聚合物（1A），其包括由以下通式（1）表示的重复单元中的一个或两个或多个；（A2）一种或两种或多种分子量不超过2000且不具有3,4-二羟基苯基的多酚化合物；和（B）有机溶剂。
• Alicyclic methacrylate having oxygen substituent group on alpha-methyl
  申请人：——

  公开号：US20040176630A1

  公开（公告）日：2004-09-09

  Alicyclic methacrylate compounds having an oxygen substituent group on their &agr;-methyl group, represented by formula (1), are novel wherein R 1 is H or C 1 -C 10 alkyl which may contain a halogen atom, hydroxyl group, ether bond, carbonyl group, carboxyl group or cyano group, and R 2 is a monovalent C 3 -C 20 organic group having an alicyclic structure. Polymers prepared from these alicyclic methacrylate compounds have improved transparency, especially at the exposure wavelength of an excimer laser, and improved dry etching resistance. Resist compositions comprising the polymers are sensitive to high-energy radiation, show a high resolution, allow smooth development, lend themselves to micropatterning, and are thus suitable as micropatterning material for VLSI fabrication. 1

  具有氧取代基的环状甲基丙烯酸酯化合物在其α-甲基基团上，由式（1）表示，其中R1是H或C1-C10烷基，可能包含卤素原子，羟基，醚键，羰基，羧基或氰基，而R2是具有环状结构的一价C3-C20有机基团。从这些环状甲基丙烯酸酯化合物制备的聚合物具有改善的透明度，特别是在准分子激光的曝光波长下，以及改善的干法蚀刻抗性。包含这些聚合物的抗蚀剂组合物对高能辐射敏感，具有高分辨率，允许平滑开发，适用于微图案制作，因此适用于VLSI制造的微图案材料。
• Benzoxepin derivatives
  申请人：SUNTORY LIMITED

  公开号：EP0388188A1

  公开（公告）日：1990-09-19

  A benzoxepin derivative represented by the formula(I): wherein R represents a heterocyclyc group, and salts thereof; a process for production thereof comprising the steps of reducing an oxime represented by the formula (V): wherein R has the same meaning as defined in the formula (I), and hydrolyzing the intermediate produced of the above reduction; and pharmaceuticals comprising the compound (I).

  一种由式(I)代表的苯并氧塞平衍生物： 其中 R 代表杂环基团，及其盐类；其生产工艺包括以下步骤：还原由式（V）代表的肟： 式（V）代表的肟，其中 R 的含义与式（I）中定义的相同，以及水解上述还原产生的中间体；以及包含化合物（I）的药物。
• Resist underlayer film composition, patterning process, and method for forming resist underlayer film
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US10241412B2

  公开（公告）日：2019-03-26

  Provided is a resist underlayer film composition which is excellent in resistance to a basic hydrogen peroxide aqueous solution, in gap-filling and planarization characteristics, and in dry etching characteristic, wherein the resist underlayer film composition is used for a multilayer resist method, comprising: (A1) a polymer (1A) comprising one, or two or more, of a repeating unit represented by following general formula (1); (A2) one, or two or more, of a polyphenol compound having a formula weight of 2,000 or less and not having a 3,4-dihydroxy phenyl group; and (B) an organic solvent.

  本发明提供了一种抗蚀剂底层薄膜组合物，该组合物具有优异的抗碱性过氧化氢水溶液性能、间隙填充和平面化特性以及干蚀刻特性，其中该抗蚀剂底层薄膜组合物用于多层抗蚀剂方法，该抗蚀剂底层薄膜组合物包括：(A1) 聚合物 (1A)，包括一个或两个或两个以上由以下通式 (1) 代表的重复单元；(A2) 一个或两个或两个以上的多酚化合物，其式重为 2,000 或以下，且不具有 3,4- 二羟基苯基；以及 (B) 有机溶剂。
• Amino acid compounds with unbranched linkers and methods of use
  申请人：Pliant Therapeutics, Inc.

  公开号：US11396506B2

  公开（公告）日：2022-07-26

  The invention relates to compounds of formula (A): or a salt thereof, wherein R1, R2, R5a, R5b, R6a, R6b, R7a, R7b, R8a, R8b, R9a, R9b, R10a, R10b, R11a, R11b, R21, n, and G are as described herein. Compounds of formula (I) and pharmaceutical compositions thereof are αVβ6 integrin inhibitors that are useful for treating fibrosis such as idiopathic pulmonary fibrosis (IPF) and nonspecific interstitial pneumonia (NSIP).

  本发明涉及式（A）化合物： 或其盐，其中 R1、R2、R5a、R5b、R6a、R6b、R7a、R7b、R8a、R8b、R9a、R9b、R10a、R10b、R11a、R11b、R21、n 和 G 如本文所述。式（I）化合物及其药物组合物是αVβ6整合素抑制剂，可用于治疗纤维化，如特发性肺纤维化（IPF）和非特异性间质性肺炎（NSIP）。