10,11-bis(phenylsulfonyl)-4,4-dimethyl-3,5-dioxa-tricyclo[5.2.2.0(2.6)]undec-8-ene | 1039105-48-0

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: 10,11-bis(phenylsulfonyl)-4,4-dimethyl-3,5-dioxa-tricyclo[5.2.2.0(2.6)]undec-8-ene
• 英文别名: 10,11-Bis(phenylsulfonyl)-4,4-dimethyl-3,5-dioxa-tricyclo[5.2.2.02.6]undec-8-ene；10,11-bis(benzenesulfonyl)-4,4-dimethyl-3,5-dioxatricyclo[5.2.2.02,6]undec-8-ene
• CAS: 1039105-48-0
• 化学式: C₂₃H₂₄O₆S₂
• 分子量: 460.572
• InChiKey: PSOSBCHMLISMMP-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.1
• 重原子数：
  31
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  6.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.39
• 拓扑面积：
  104
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  10,11-bis(phenylsulfonyl)-4,4-dimethyl-3,5-dioxa-tricyclo[5.2.2.0(2.6)]undec-8-ene 在 potassium tert-butylate 、 potassium hydroxide 作用下， 以 四氢呋喃 、 乙二醇 为溶剂， 反应 23.0h， 生成 4,4-Dimethyl-3,5-dioxa-10-azatetracyclo[5.5.2.02,6.08,12]tetradeca-8,11,13-triene
  参考文献：
  名称：

  Compound and method of producing organic semiconductor device

  摘要：

  提供了一种生产有机半导体器件的方法，其中可以在低温区域形成具有优异结晶性和取向性的有机半导体层，并且可以在空气中生产该器件。该方法包括在基体上形成由有机半导体前体组成的层，并用光辐照有机半导体前体，其中有机半导体前体是具有下述一般式（1）或（2）所代表结构中至少一种的卟啉化合物或氮杂卟啉化合物：

  公开号：

  US07928221B2
• 作为产物：
  描述：

  4,5-二溴环己烯 在 N-甲基吗啉 、 四氧化锇 、 水 、 对甲苯磺酸 、 1,8-二氮杂双环[5.4.0]十一碳-7-烯 作用下， 以 丙酮 、 甲苯 为溶剂， 反应 41.0h， 生成 10,11-bis(phenylsulfonyl)-4,4-dimethyl-3,5-dioxa-tricyclo[5.2.2.0(2.6)]undec-8-ene
  参考文献：
  名称：

  Compound and method of producing organic semiconductor device

  摘要：

  提供了一种生产有机半导体器件的方法，其中可以在低温区域形成具有优异结晶性和取向性的有机半导体层，并且可以在空气中生产该器件。该方法包括在基体上形成由有机半导体前体组成的层，并用光辐照有机半导体前体，其中有机半导体前体是具有下述一般式（1）或（2）所代表结构中至少一种的卟啉化合物或氮杂卟啉化合物：

  公开号：

  US07928221B2

文献信息

• NOVEL COMPOUND AND METHOD OF PRODUCING ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE
  申请人：Masumoto Akane

  公开号：US20080171403A1

  公开（公告）日：2008-07-17

  A method of producing an organic semiconductor device is provided in which a layer composed of an organic semiconductor having excellent crystallinity and orientation in a low-temperature region can be formed, and the device can be produced in the air. The method includes forming a layer composed of an organic semiconductor precursor on a base body and irradiating the organic semiconductor precursor with light, wherein the organic semiconductor precursor is a porphyrin compound or an azaporphyrin compound having in its molecule at least one of the structure represented by the following general formula (1) or (2):

  提供一种生产有机半导体器件的方法，其中可以在低温区域形成具有优异结晶性和取向性的有机半导体层，并且可以在空气中生产该器件。该方法包括在基体上形成由有机半导体前体组成的层，并用光辐照有机半导体前体，其中有机半导体前体是具有下述一般式（1）或（2）所代表的结构之一的卟啉化合物或氮杂卟啉化合物：
• US7928221B2
  申请人：——

  公开号：US7928221B2

  公开（公告）日：2011-04-19
• US8658459B2
  申请人：——

  公开号：US8658459B2

  公开（公告）日：2014-02-25
• Compound and method of producing organic semiconductor device
  申请人：Canon Kabushiki Kaisha

  公开号：US07928221B2

  公开（公告）日：2011-04-19

  A method of producing an organic semiconductor device is provided in which a layer composed of an organic semiconductor having excellent crystallinity and orientation in a low-temperature region can be formed, and the device can be produced in the air. The method includes forming a layer composed of an organic semiconductor precursor on a base body and irradiating the organic semiconductor precursor with light, wherein the organic semiconductor precursor is a porphyrin compound or an azaporphyrin compound having in its molecule at least one of the structure represented by the following general formula (1) or (2):

  提供了一种生产有机半导体器件的方法，其中可以在低温区域形成具有优异结晶性和取向性的有机半导体层，并且可以在空气中生产该器件。该方法包括在基体上形成由有机半导体前体组成的层，并用光辐照有机半导体前体，其中有机半导体前体是具有下述一般式（1）或（2）所代表结构中至少一种的卟啉化合物或氮杂卟啉化合物：