2,6,6-trimethyl-2-(trimethylsilyloxy)-3,5-heptadiene | 572923-39-8

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: 2,6,6-trimethyl-2-(trimethylsilyloxy)-3,5-heptadiene
• 英文别名: 2,2,6-Trimethyl-6-trimethylsilyloxyheptane-3,5-dione
• CAS: 572923-39-8
• 化学式: C₁₃H₂₆O₃Si
• 分子量: 258.433
• InChiKey: YPMLIGIXBJGLMQ-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  281.9±20.0 °C(Predicted)
• 密度：
  0.924±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.19
• 重原子数：
  17
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.85
• 拓扑面积：
  43.4
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  频哪酮 、 methyl 2-(trimethylsilyloxy)-2-methyl-propionate 在 氨基钠 作用下， 以 甲苯 为溶剂， 反应 1.5h， 以61%的产率得到2,6,6-trimethyl-2-(trimethylsilyloxy)-3,5-heptadiene
  参考文献：
  名称：

  Copper complexes and process for formatiom of copper-containing thin films by using the same

  摘要：

  含铜薄膜可以通过化学气相沉积工业上有利地形成，其中使用含有β-二酮配体的硅醚连接的二价铜配合物作为铜源。二价铜配合物的代表性示例由以下式（I）表示：其中Z为氢或烷基；X为由以下式（I-I）表示的基团，其中R为亚烷基，且Rb、Rc和Rd均为烷基；Y为烷基或由以下式（I-I）表示的基团，其中R为亚烷基，且Rb、Rc和Rd均为烷基。

  公开号：

  US20050080282A1

文献信息

• Copper complexes and process for formatiom of copper-containing thin films by using the same
  申请人：Kadota Takumi

  公开号：US20050080282A1

  公开（公告）日：2005-04-14

  Copper-containing thin films can be industrially advantageously formed by chemical vapor deposition using as the copper source a divalent copper complex bearing β-diketonato ligands having silyl ether linkage. A representative example of the divalent copper complex is represented by the formula (I): wherein Z is hydrogen or alkyl; X is a group represented by the formula (I-I), in which R a is alkylene, and each of R b , R c and R d is alkyl; and Y is an alkyl group or a group represented by the formula (I-I), in which R a is alkylene, and each of R b , R c and R d is alkyl.

  含铜薄膜可以通过化学气相沉积工业上有利地形成，其中使用含有β-二酮配体的硅醚连接的二价铜配合物作为铜源。二价铜配合物的代表性示例由以下式（I）表示：其中Z为氢或烷基；X为由以下式（I-I）表示的基团，其中R为亚烷基，且Rb、Rc和Rd均为烷基；Y为烷基或由以下式（I-I）表示的基团，其中R为亚烷基，且Rb、Rc和Rd均为烷基。