(4E)-1,1,1-Trifluoro-4-(methylimino)-2-(trifluoromethyl)pentan-2-ol | 518976-18-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: (4E)-1,1,1-Trifluoro-4-(methylimino)-2-(trifluoromethyl)pentan-2-ol
• 英文别名: 1,1,1-trifluoro-4-methylimino-2-(trifluoromethyl)pentan-2-ol
• CAS: 518976-18-6
• 化学式: C₇H₉F₆NO
• 分子量: 237.145
• InChiKey: SRMUXFDCHPCMCC-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  207.3±40.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.32±0.1 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.5
• 重原子数：
  15
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.86
• 拓扑面积：
  32.6
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  8

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  (4E)-1,1,1-Trifluoro-4-(methylimino)-2-(trifluoromethyl)pentan-2-ol 、 氯化镓 在 NaH 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 以72%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  氟化氨基醇盐和氨基醇盐镓配合物的合成与表征：在Ga 2 O 3薄膜化学气相沉积中的应用

  摘要：

  三氯化镓GaCl 3与原位制备的氨基醇盐或亚氨基醇盐的钠盐反应，表示为NaL，得到二取代的化合物GaL 2 Cl，其中L = OC（CF 3）2 CH 2 NMe 2（1）， OC（CF 3）2 CH 2 C（Me）NMe（2）。1和2的单晶X射线衍射研究指出形成了一个三角形-双锥体结构，其中氯和烷氧基占据了赤道位置，氮供体位于轴向位置。对于相关的三甲基镓试剂GaMe 3，加入等量的氨基醇LH可以消除甲烷，得到GaMe 2 L络合物，其中L = OC（CF 3）2 CH 2 NHMe（3），OC（CF 3））2 CH 2 NHBu t（4），OC（CF 3）2 CH 2 NMe 2（5），产量高。通过X射线衍射确定5的晶体结构，显示出扭曲的四面体构架，其与在三角-双锥体Ga配合物1和2中观察到的构架有很大不同。在3和4上进行的1 H NMR可变温度研究表明，发生了N→Ga键快速断裂，随后发

  DOI：

  10.1021/om034148d

文献信息

• New CVD Precursors Capable of Depositing Copper Metal under Mixed O₂/Ar Atmosphere
  作者：Eddy Lay、Yi-Hwa Song、Yuan-Chieh Chiu、Yang-Miin Lin、Yun Chi、Arthur J. Carty、Shie-Ming Peng、Gene-Hsiang Lee

  DOI：10.1021/ic050845h

  日期：2005.10.1

  Volatile low-melting Cull metal complexes Cu[OC(CF3)(2)CH2C(Me)=NMe](2) (4) and Cu[OC(CF3)(2)CH2CHMeNHMe](2) (5) were synthesized and characterized by spectroscopic methods. A single-crystal X-ray diffraction study on complex 4 shows the anticipated N2O2 square-planar geometry with the imino alcoholate ligand arranged in the all-trans orientation. In contrast, a highly distorted N2O2 geometry with a dihedral angle of 330 was observed for complex 5, suggesting that the fully saturated amino alcoholate ligand produces a much greater steric congestion around the metal ion. Metal CVD experiments were conducted, showing that both complexes, 4 and 5, are capable of depositing copper metal at temperatures of 275-300 degrees C using an inert argon carrier gas mixed with low concentrations (2-8%) of O-2. The best copper thin film showed a purity of similar to 96 at. % and a resistivity of 2.11 mu Omega cm versus that of the bulk standard (1.7 mu Omega cm), as revealed by XPS and four-point probe analyses, respectively. We speculate that the low concentration Of 02 promotes partial ligand oxidation, thus releasing the reduced copper on the substrate and affording the high-purity copper deposit.
• Synthesis and Characterization of Fluorinated Aminoalkoxide and Iminoalkoxide Gallium Complexes:  Application in Chemical Vapor Deposition of Ga₂O₃ Thin Films
  作者：Yun Chi、Tsung-Yi Chou、Yi-Jen Wang、Shu-Fen Huang、Arthur J. Carty、Ludmila Scoles、Konstantin A. Udachin、Shie-Ming Peng、Gene-Hsiang Lee

  DOI：10.1021/om034148d

  日期：2004.1.1

  OC(CF3)2CH2NHMe (3), OC(CF3)2CH2NHBut (4), OC(CF3)2CH2NMe2 (5), in high yields. The crystal structure of 5 was determined by X-ray diffraction, showing a distorted-tetrahedral framework which differs greatly from that observed in the trigonal-bipyramidal Ga complexes 1 and 2. Variable-temperature 1H NMR studies on 3 and 4 indicated the occurrence of rapid N→Ga bond scission, followed by recoordination

  三氯化镓GaCl 3与原位制备的氨基醇盐或亚氨基醇盐的钠盐反应，表示为NaL，得到二取代的化合物GaL 2 Cl，其中L = OC（CF 3）2 CH 2 NMe 2（1）， OC（CF 3）2 CH 2 C（Me）NMe（2）。1和2的单晶X射线衍射研究指出形成了一个三角形-双锥体结构，其中氯和烷氧基占据了赤道位置，氮供体位于轴向位置。对于相关的三甲基镓试剂GaMe 3，加入等量的氨基醇LH可以消除甲烷，得到GaMe 2 L络合物，其中L = OC（CF 3）2 CH 2 NHMe（3），OC（CF 3））2 CH 2 NHBu t（4），OC（CF 3）2 CH 2 NMe 2（5），产量高。通过X射线衍射确定5的晶体结构，显示出扭曲的四面体构架，其与在三角-双锥体Ga配合物1和2中观察到的构架有很大不同。在3和4上进行的1 H NMR可变温度研究表明，发生了N→Ga键快速断裂，随后发