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E-2-methyl-hepta-4,6-dien-3-ol | 109928-88-3

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
E-2-methyl-hepta-4,6-dien-3-ol
英文别名
(4E)-2-methylhepta-4,6-dien-3-ol
E-2-methyl-hepta-4,6-dien-3-ol化学式
CAS
109928-88-3
化学式
C8H14O
mdl
——
分子量
126.199
InChiKey
CXLILFVNHGJUIZ-AATRIKPKSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 沸点:
    50 °C(Press: 0.5 Torr)
  • 密度:
    0.855±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    2.2
  • 重原子数:
    9
  • 可旋转键数:
    3
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.5
  • 拓扑面积:
    20.2
  • 氢给体数:
    1
  • 氢受体数:
    1

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    E-2-methyl-hepta-4,6-dien-3-ol正丁基锂 以79%的产率得到
    参考文献:
    名称:
    TOSHIYUKI, I.;KAWAMURA, N.;SEIJIRO, M.;KIITIRO, U.;KOZIMA, S.;TORAZO, H., J. ORG. CHEM., 52,(1987) N 19, 4416-4418
    摘要:
    DOI:
  • 作为产物:
    描述:
    参考文献:
    名称:
    二烯丙基丙酸酯的分子内狄尔斯-阿尔德反应中的非对映选择性
    摘要:
    已经检查了α-手性二烯的Diels-Alder反应中的产物比率。E-3,5-己二-2-醇和丙炔酸甲酯的环加成反应得到所有四种非对映异构体的混合物。然而,相关酯(6)的分子内缩合是完全区域选择性的,并且一种以6.4:1为主的立体异构体。对于相应的仲酰胺,同源手性二烯醇的丙酸酯和相关的3-乙酰基丙酸酯,获得了相似的结果。这些观察结果与一个简单的模型有关,在该模型中,立体选择性是由于在环加成过渡态时最小化1,3-烷基-H相互作用而引起的。
    DOI:
    10.1016/s0040-4020(01)86103-2
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文献信息

  • BIRTWISTLE, DAVID H.;BROWN, JOHN M.;FOXTON, MICHAEL W., TETRAHEDRON, 44,(1988) N3, C. 7309-7318
    作者:BIRTWISTLE, DAVID H.、BROWN, JOHN M.、FOXTON, MICHAEL W.
    DOI:——
    日期:——
  • VORSKANYAN, S. A.;CHOBANYAN, ZH. A.;BADANYAN, SH. O., ARM. XIM. ZH., 41,(1988) N1, S. 708-711
    作者:VORSKANYAN, S. A.、CHOBANYAN, ZH. A.、BADANYAN, SH. O.
    DOI:——
    日期:——
  • TOSHIYUKI, I.;KAWAMURA, N.;SEIJIRO, M.;KIITIRO, U.;KOZIMA, S.;TORAZO, H., J. ORG. CHEM., 52,(1987) N 19, 4416-4418
    作者:TOSHIYUKI, I.、KAWAMURA, N.、SEIJIRO, M.、KIITIRO, U.、KOZIMA, S.、TORAZO, H.
    DOI:——
    日期:——
  • THIN FILM TRANSISTORS WITH POLY(ARYLENE ETHER) POLYMERS AS GATE DIELECTRICS AND PASSIVATION LAYERS
    申请人:Kretz Peck Christine
    公开号:US20070296047A1
    公开(公告)日:2007-12-27
    The use of a poly(arylene ether) polymer as a passivation or gate dielectric layer in thin film transistors. This poly(arylene ether) polymer includes polymer repeat units of the following structure: —(O—Ar 1 —O—Ar 2 —O—) m —(—O—Ar 3 —O—Ar 4 —O) n — where Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 , and Ar 4 are identical or different aryl radicals, m is 0 to 1, n is 1−m, and at least one of the aryl radicals is grafted to the backbone of the polymer
  • US7919825B2
    申请人:——
    公开号:US7919825B2
    公开(公告)日:2011-04-05
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