N-(1,3-thiazol-2-yl)-4-[2-[2-(1,3-thiazol-2-ylamino)-1,3-thiazol-4-yl]propan-2-yl]-1,3-thiazol-2-amine | 876058-20-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 唑类
• 英文名称: N-(1,3-thiazol-2-yl)-4-[2-[2-(1,3-thiazol-2-ylamino)-1,3-thiazol-4-yl]propan-2-yl]-1,3-thiazol-2-amine
• CAS: 876058-20-7
• 化学式: C₁₅H₁₄N₆S₄
• 分子量: 406.58
• InChiKey: IJWJYCOBICCFGB-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  604.8±65.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.530±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.3
• 重原子数：
  25
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  4.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.2
• 拓扑面积：
  189
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  10

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  N-(1,3-thiazol-2-yl)-4-[2-[2-(1,3-thiazol-2-ylamino)-1,3-thiazol-4-yl]propan-2-yl]-1,3-thiazol-2-amine 、 copper diacetate 以 四氢呋喃 、 乙醇 为溶剂， 反应 2.0h， 生成 copper;(E)-4-[2-[2-[(E)-1,3-thiazol-3-id-2-ylideneamino]-1,3-thiazol-4-yl]propan-2-yl]-N-(1,3-thiazol-2-yl)-1,3-thiazol-3-id-2-imine
  参考文献：
  名称：

  [EN] OPTICAL RECORDING MATERIALS HAVING HIGH STORAGE DENSITY
  [FR] MATÉRIAUX D'ENREGISTREMENT OPTIQUES DE HAUTE DENSITÉ DE STOCKAGE

  摘要：

  本发明涉及公式(I)、(II)、(III)或(IV)的新化合物以及它们在光学记录介质的记录层中的使用，该介质包括基板、记录层和可选的一个或多个反射层。这些化合物是公式(I)、(II)、(III)或(IV)或其互变异构体，其中G1和G2各自独立于公式(V)、(VI)、(VII)、(VIII)、(IX)、(X)、(XI)，X1和X2各自独立于直接键或由1到8个成员组成的链，每个成员独立于从CR12=CR13、C=CR12R13、CR12R13、C=O、C=S、C=N(R14)、N(R14)、O或S的群中选择，优选为由1、2、3或4个成员组成的直接键或链，最优选为CR12R13、C=O、C=S、C=N(R14)、N(R14)、O或S的直接键或链；A1、A2和A3是CR15R16、公式(a)、N(R14)、O、S、Se、N=C(R18)或CR19=CR20，A4是O、S或Se；M1是9到12族过渡金属，优选为Co、Cu、Ni、Pd或Zn，特别是Co、Cu或Ni，或者是SiR21R22、GeR21R22、PR21R22或AIR21；Q1和Q2各自独立于C(R23)、N或P。有关其他取代基的详细定义，请参阅说明。特别是在350到500纳米的波长下进行记录和播放，例如使用蓝色激光。记录和播放质量优异，可实现高存储密度。

  公开号：

  WO2006015960A1
• 作为产物：
  描述：

  噻唑-2-硫脲 、 1,5-dibromo-3,3-dimethylpentane-2,4-dione 以 乙醇 为溶剂， 反应 3.0h， 生成 N-(1,3-thiazol-2-yl)-4-[2-[2-(1,3-thiazol-2-ylamino)-1,3-thiazol-4-yl]propan-2-yl]-1,3-thiazol-2-amine
  参考文献：
  名称：

  [EN] OPTICAL RECORDING MATERIALS HAVING HIGH STORAGE DENSITY
  [FR] MATÉRIAUX D'ENREGISTREMENT OPTIQUES DE HAUTE DENSITÉ DE STOCKAGE

  摘要：

  本发明涉及公式(I)、(II)、(III)或(IV)的新化合物以及它们在光学记录介质的记录层中的使用，该介质包括基板、记录层和可选的一个或多个反射层。这些化合物是公式(I)、(II)、(III)或(IV)或其互变异构体，其中G1和G2各自独立于公式(V)、(VI)、(VII)、(VIII)、(IX)、(X)、(XI)，X1和X2各自独立于直接键或由1到8个成员组成的链，每个成员独立于从CR12=CR13、C=CR12R13、CR12R13、C=O、C=S、C=N(R14)、N(R14)、O或S的群中选择，优选为由1、2、3或4个成员组成的直接键或链，最优选为CR12R13、C=O、C=S、C=N(R14)、N(R14)、O或S的直接键或链；A1、A2和A3是CR15R16、公式(a)、N(R14)、O、S、Se、N=C(R18)或CR19=CR20，A4是O、S或Se；M1是9到12族过渡金属，优选为Co、Cu、Ni、Pd或Zn，特别是Co、Cu或Ni，或者是SiR21R22、GeR21R22、PR21R22或AIR21；Q1和Q2各自独立于C(R23)、N或P。有关其他取代基的详细定义，请参阅说明。特别是在350到500纳米的波长下进行记录和播放，例如使用蓝色激光。记录和播放质量优异，可实现高存储密度。

  公开号：

  WO2006015960A1

文献信息

• Optical Recording Materials Having High Storage Density
  申请人：Kunimoto Kazuhiko

  公开号：US20080095967A1

  公开（公告）日：2008-04-24

  The invention relates to new compounds of formula (I), (II), (III) or (IV) and their use in the recording layer of an optical recording medium comprising a substrate, a recording layer and optionally one or more reflecting layers. The instant compounds are of formula (I), (II), (III) or (IV) or tautomers thereof, wherein G1 and G2 are each independently of the other formula (V), (VI), (VII), (VIII), (IX), (X), (XI), X 1 and X 2 are each independently from the other a direct bond or a chain consisting of from 1 to 8 members each selected independently from the group consisting of CR 12 ═CR 13 , C═CR 12 R 13 , CR 12 R 13 , C═O, C═S, C═N(R 14 ), N(R 14 ), O or S, preferably a direct bond or a chain consisting of 1, 2, 3 or 4 members, most preferred a direct bond or a chain CR 12 R 13 , C═O, C═S, C═N(R 14 ), N(R 14 ), O or S; A 1 , A 2 and A 3 are CR 15 R 16 , formula (a), N(R 14 ), O, S, Se, N═C(R 18 ) or CR 19 ═CR 20 , and A 4 is O, S or Se; M 1 is a transition metal of groups 9 to 12, preferably Co, Cu, Ni, Pd or Zn, especially Co, Cu or Ni, or is SiR 21 R 22 , GeR 21 R 2 2, PR 21 R 22 or AIR 21 ; and Q 1 and Q 2 are each independently of the other C(R 23 ), N or P. For the detailed definitions of the further substituents, see the description. Recording and playback are effected especially at a wavelength of from 350 to 500 nm, for example using a blue laser. The recording and playback quality is excellent and allows a high storage density.