hafnium bis(isopropoxide)-bis(tert-butylacetoacetate) | 754993-50-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: hafnium bis(isopropoxide)-bis(tert-butylacetoacetate)
• 英文别名: [Hf(O-i-Pr)2(tert-butylacetoacetate)2]；[Hf(O-i-Pr)2(tbaoac)2]
• CAS: 754993-50-5
• 化学式: C₂₂H₄₀HfO₈
• 分子量: 611.045
• InChiKey: GWRAXSAEVYGANU-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  hafnium bis(isopropoxide)-bis(tert-butylacetoacetate) 、 氧气 以 正辛烷 为溶剂， 生成 hafnium(IV) oxide
  参考文献：
  名称：

  HfO[sub 2] 薄膜用于来自工程醇盐和酰胺基 MOCVD 前体的高 k 栅极氧化物应用

  摘要：

  通过液体注入金属有机化学气相沉积，LI-MOCVD，在 SiO x /Si(100) 衬底上生长厚度在 2 和 20 nm 之间的 HfO 2 薄膜。不同的单核前体（[Hf(OPr i ) 2 (tbaoac) 2 ]、[Hf(NEt 2 ) 2 (guanid) 2 ] 和 [Hf(OBu t ) 2 (dmae) 2 ] 与不同的溶剂结合进行了测试. 分析了沉积薄膜的生长速率、表面形貌、晶体结构和晶体密度与沉积温度的关系。研究了沉积后退火对致密化和结晶的影响。结构特性与电性能的相关性讨论了具有 Pt 顶部电极的金属绝缘体半导体电容器，另外还讨论了选定样品的全硅化金属栅叠层。

  DOI：

  10.1149/1.2431324
• 作为产物：
  描述：

  hafnium isopropoxide 、 乙酰乙酸叔丁酯 以 正己烷 、 异丙醇 为溶剂， 以80%的产率得到hafnium bis(isopropoxide)-bis(tert-butylacetoacetate)
  参考文献：
  名称：

  Mononuclear precursor for MOCVD of HfO2 thin filmsElectronic supplementary information (ESI) available: TG/DTA, and isothermal studies, RBS and AFM data of HfO2 film. See http://www.rsc.org/suppdata/cc/b4/b405015k/

  摘要：

  我们报告了一种新型单核混合氧化烷化合物[Hf(OiPr)2(tbaoac)2]的前驱体特性及其在生产工具 CVD 反应器中用于 HfO2 薄膜 MOCVD 的应用。

  DOI：

  10.1039/b405015k