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bis(1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4-pentanedionato)(N,N'-diethylethylenediamine)cadmium(II) | 488810-70-4

中文名称
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中文别名
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英文名称
bis(1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4-pentanedionato)(N,N'-diethylethylenediamine)cadmium(II)
英文别名
——
bis(1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4-pentanedionato)(N,N'-diethylethylenediamine)cadmium(II)化学式
CAS
488810-70-4
化学式
C16H18CdF12N2O4
mdl
——
分子量
642.721
InChiKey
YMTQOKXWTHFCRO-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
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  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    None
  • 重原子数:
    None
  • 可旋转键数:
    None
  • 环数:
    None
  • sp3杂化的碳原子比例:
    None
  • 拓扑面积:
    None
  • 氢给体数:
    None
  • 氢受体数:
    None

反应信息

  • 作为产物:
    参考文献:
    名称:
    透明导电氧化物:纹理和微观结构对 MOCVD 衍生的 CdO 薄膜中载流子迁移率的影响,该薄膜由热稳定、低熔点前体生长
    摘要:
    一系列低熔点、热稳定的镉金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 前驱体已被合成、结构和光谱表征,并用于高导电和透明 CdO 薄膜的生长。该系列的一个成员,双(1,1,1,5,5,5-六氟-2,4-戊二酮)(N,N-二乙基-N',N'-二甲基-乙二胺)镉(II),由于低熔点和强大的热稳定性,Cd(hfa)(2)()(N,N-DE-N',N'-DMEDA) 比以前可用的 Cd 前体具有特别显着的改进。在 300 到 412 摄氏度之间通过 MOCVD 在玻璃和单晶 MgO(100) 上生长高质量的 CdO 薄膜。薄膜生长参数和基板表面对微观结构和电子载流子传输性能有很大影响。在 MgO(100) 与玻璃上生长的高度双轴织构薄膜的迁移率增强归因于直流电荷传输和微观结构分析,这归因于中性杂质散射的减少和/或更密集的晶粒微观结构。尽管在 MgO(100) 上生长的单晶粒膜比具有大约 100 nm 离散
    DOI:
    10.1021/ja039232z
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