PEG-bis-amido-Succinic Acid, MW 10K | 1263044-59-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 脂质和类脂质分子 - 脂肪酰基
• 英文名称: PEG-bis-amido-Succinic Acid, MW 10K
• 英文别名: 4-[2-[2-(3-carboxypropanoylamino)ethoxy]ethylamino]-4-oxobutanoic acid
• CAS: 1263044-59-2
• 化学式: C₁₂H₂₀N₂O₇
• 分子量: 304.3
• InChiKey: HSTGUMDCAKLJOK-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -2.4
• 重原子数：
  21
• 可旋转键数：
  12
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.67
• 拓扑面积：
  142
• 氢给体数：
  4
• 氢受体数：
  7

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  、 PEG-bis-amido-Succinic Acid, MW 10K 在 N-羟基-7-氮杂苯并三氮唑 、 N,N-二异丙基乙胺 、 N-[(dimethylamino)-3-oxo-1H-1,2,3-triazolo[4,5-b]pyridin-1-yl-methylene]-N-methylmethanaminium hexafluorophosphate 作用下， 以 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 反应 2.0h， 生成 C₈₈H₁₀₆N₁₂O₁₅
  参考文献：
  名称：

  基于拟肽的二价HIV-1融合抑制剂

  摘要：

  膜融合是抑制HIV-1复制的有效靶标。HIV-1包膜蛋白gp41中包含的34-mer片段肽（C34）具有显着的抗HIV活性。以前，C34的二聚体衍生物在其C处通过二硫键连接-末端发现比C34肽单体具有更强的抗HIV活性。迄今为止，已经报道了几种拟肽小抑制剂，但是大多数抑制剂的效力低于与C34相关的肽衍生物。在本研究中，我们将此二聚化概念应用于这些拟肽小抑制剂，并设计了几种二价拟肽HIV​​-1融合抑制剂。证明了交联两个拟肽化合物的接头长度的重要性，并生产了几种有效的含束缚拟肽的二价抑制剂。

  DOI：

  10.1016/j.bmc.2020.115812
• 作为产物：
  描述：

  丁二酸酐 、 2,2'-氧双(乙胺) 在 三乙胺 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 3.0h， 生成 PEG-bis-amido-Succinic Acid, MW 10K
  参考文献：
  名称：

  基于拟肽的二价HIV-1融合抑制剂

  摘要：

  膜融合是抑制HIV-1复制的有效靶标。HIV-1包膜蛋白gp41中包含的34-mer片段肽（C34）具有显着的抗HIV活性。以前，C34的二聚体衍生物在其C处通过二硫键连接-末端发现比C34肽单体具有更强的抗HIV活性。迄今为止，已经报道了几种拟肽小抑制剂，但是大多数抑制剂的效力低于与C34相关的肽衍生物。在本研究中，我们将此二聚化概念应用于这些拟肽小抑制剂，并设计了几种二价拟肽HIV​​-1融合抑制剂。证明了交联两个拟肽化合物的接头长度的重要性，并生产了几种有效的含束缚拟肽的二价抑制剂。

  DOI：

  10.1016/j.bmc.2020.115812

文献信息

• BORAZINE-BASED RESIN, PROCESS FOR ITS PRODUCTION, BORAZINE-BASED RESIN COMPOSITION, INSULATING FILM AND METHOD FOR ITS FORMATION
  申请人：MATSUTANI Hiroshi

  公开号：US20110313122A1

  公开（公告）日：2011-12-22

  Interlayer insulating films 5,7 (insulating films) provided in a memory capacitor cell 8 are formed between a gate electrode 3 and a counter electrode 8 C formed on a silicon wafer 1. The interlayer insulating films 5,7 comprise a borazine-based resin, having a specific dielectric constant of no greater than 2.6, a Young's modulus of 5 GPa or greater and a leak current of no greater than 1×10 −8 A/cm 2 .

  存储器电容单元中提供的绝缘膜（绝缘膜）是在硅片1上形成的栅极3和对电极8C之间形成的。绝缘膜5,7包括一种基于硼氮烷的树脂，其介电常数不大于2.6，杨氏模量为5 GPa或更大，泄漏电流不大于1×10^-8A/cm2。
• Borazine-based resin, process for its production, borazine-based resin composition, insulating film and method for its formation
  申请人：MATSUTANI Hiroshi

  公开号：US20090240017A1

  公开（公告）日：2009-09-24

  Interlayer insulating films 5,7 (insulating films) provided in a memory capacitor cell 8 are formed between a gate electrode 3 and a counter electrode 8 C formed on a silicon wafer 1 . The interlayer insulating films 5,7 comprise a borazine-based resin, having a specific dielectric constant of no greater than 2.6, a Young's modulus of 5 GPa or greater and a leak current of no greater than 1×10 −8 A/cm 2 .
• US7625642B2
  申请人：——

  公开号：US7625642B2

  公开（公告）日：2009-12-01
• US8362199B2
  申请人：——

  公开号：US8362199B2

  公开（公告）日：2013-01-29