在这里,我们报告了具有伪D 5h对称性的空气稳定 Dy( III ) 和 Er( III ) 单离子磁体 (SIM) ,由空间阻碍
磷酰胺t BuPO(NH i Pr) 2合成,其中 Dy( III )-SIM 表现出高达 12 K的磁化阻挡 ( T B ),由零场冷却磁化曲线的最大值定义,各向异性势垒 ( U eff ) 高达 735.4 K。Dy( III )-SIM表现出高达 12 K (30 K) 的磁滞,在 ~0.0018 T s -1 (0.02 T s-1 )。这些高值与环境条件下的持久稳定性相结合,使该系统成为最具特色的 SIM 卡之一。从头算计算已被用于建立分子的高阶对称性与磁化量子隧道效应 (QTM) 效应的猝灭之间的联系。由于伪高阶对称性,通过第二个激发的克莱默双峰观察到磁化的弛豫这项研究强调了微调
镧系离子周围的对称性以获得新一代 SIM,并为使用这种方法突破U eff和T