diethylthieno[v2',3':4,5]thieno[3,2-b]thieno[2,3-d]thiophene-2,6-dicarboxylate | 1188536-31-3

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 噻吩并噻吩类
• 英文名称: diethylthieno[v2',3':4,5]thieno[3,2-b]thieno[2,3-d]thiophene-2,6-dicarboxylate
• 英文别名: Diethyl 3,7,10,14-tetrathiatetracyclo[6.6.0.02,6.09,13]tetradeca-1(8),2(6),4,9(13),11-pentaene-4,11-dicarboxylate；diethyl 3,7,10,14-tetrathiatetracyclo[6.6.0.02,6.09,13]tetradeca-1(8),2(6),4,9(13),11-pentaene-4,11-dicarboxylate
• CAS: 1188536-31-3
• 化学式: C₁₆H₁₂O₄S₄
• 分子量: 396.533
• InChiKey: AROQSXSMPILDRO-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  6
• 重原子数：
  24
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  4.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.25
• 拓扑面积：
  166
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  8

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  diethylthieno[v2',3':4,5]thieno[3,2-b]thieno[2,3-d]thiophene-2,6-dicarboxylate 在 喹啉 、 水 、 铜 、 sodium hydroxide 作用下， 生成 并四噻吩
  参考文献：
  名称：

  适用于高性能有机薄膜晶体管的多功能α，ω-双取代四硫杂并五苯半导体

  摘要：

  噻吩[3,2- b ]噻吩[2'，3'：4,5]噻吩[2,3- d ]噻吩的简便的一锅[1 +1 + 2]和[2 +1 + 1]合成（四硫杂ac烯； TTA）半导体被描述为能够有效实现基于TTA的有机薄膜晶体管（OTFT）新系列。对于全氟苯基末端官能化的衍生物DFP-TTA，其分子结构由单晶X射线衍射确定。该材料具有n沟道传输，迁移率高达0.30 cm 2 V -1 s -1，开/关比高，为1.8×10 7。因此，DFP-TTA具有迄今未发现的任何熔融噻吩半导体中最高的电子迁移率之一。对于苯基取代的类似物DP-TTA，观察到p通道迁移的迁移率高达0.21 cm 2 V -1 s -1。对于含有2-苯并噻唑基（BS-）的衍生物DBS-TTA，p通道传输仍然表现为空穴迁移率接近2×10 -3 cm 2 V -1 s -1。在这个族中，载流子迁移率的大小很大程度上取决于半导体的生长条件和栅极电介质表面处理。

  DOI：

  10.1002/adfm.201101053
• 作为产物：
  描述：

  3-溴噻吩-2-甲醛 在 正丁基锂 、 水 、 溴 、 potassium carbonate 、 溶剂黄146 、 sodium hydroxide 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 生成 diethylthieno[v2',3':4,5]thieno[3,2-b]thieno[2,3-d]thiophene-2,6-dicarboxylate
  参考文献：
  名称：

  适用于高性能有机薄膜晶体管的多功能α，ω-双取代四硫杂并五苯半导体

  摘要：

  噻吩[3,2- b ]噻吩[2'，3'：4,5]噻吩[2,3- d ]噻吩的简便的一锅[1 +1 + 2]和[2 +1 + 1]合成（四硫杂ac烯； TTA）半导体被描述为能够有效实现基于TTA的有机薄膜晶体管（OTFT）新系列。对于全氟苯基末端官能化的衍生物DFP-TTA，其分子结构由单晶X射线衍射确定。该材料具有n沟道传输，迁移率高达0.30 cm 2 V -1 s -1，开/关比高，为1.8×10 7。因此，DFP-TTA具有迄今未发现的任何熔融噻吩半导体中最高的电子迁移率之一。对于苯基取代的类似物DP-TTA，观察到p通道迁移的迁移率高达0.21 cm 2 V -1 s -1。对于含有2-苯并噻唑基（BS-）的衍生物DBS-TTA，p通道传输仍然表现为空穴迁移率接近2×10 -3 cm 2 V -1 s -1。在这个族中，载流子迁移率的大小很大程度上取决于半导体的生长条件和栅极电介质表面处理。

  DOI：

  10.1002/adfm.201101053

文献信息

• 화합물, 유기 광전자 소자 및 이미지 센서
  申请人：SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 삼성전자주식회사(119981042713) Corp. No ▼ 130111-0006246BRN ▼124-81-00998

  公开号：KR20160011039A

  公开（公告）日：2016-01-29

  화학식 1로 표현되는 화합물, 유기 광전 소자 및 이를 포함하는 이미지 센서에 관한 것이다. 상기 화학식 1은 명세서에 기재한 바와 같다.

  这是关于用化学式1表示的化合物、有机光电器件以及包含它们的图像传感器的内容。上述化学式1如规范书中所述。
• COMPOUND, ORGANIC PHOTOELECTRONIC DEVICE AND IMAGE SENSOR
  申请人：Samsung Electronics Co., Ltd.

  公开号：US20160020401A1

  公开（公告）日：2016-01-21

  A compound is represented by Chemical Formula 1: X 1 -T-X 2 wherein T is a substituted or unsubstituted fused thiophene moiety, and each of X 1 and X 2 are independently an organic group including an alkenylene group and an electron withdrawing group.

  一个化合物由化学式1:X1-T-X2表示，其中T是一个取代或未取代的融合噻吩基团，而X1和X2分别是包括烯烃基团和电子吸引基团在内的有机基团。
• Synthesis of Oxygenated Fused Oligothiophenes with HOF·CH₃CN
  作者：Neta Shefer、Tal Harel、Shlomo Rozen

  DOI：10.1021/jo901106j

  日期：2009.9.18

  For the first time a range of fused oligothiophenes was oxidized with use of the HOF·CH3CN complex by transferring one or more sulfur atoms to sulfonyl groups under very mild conditions. These materials exhibit considerable red-shift absorptions in the UV/visible relative to the parent compounds. Their highly interesting photoluminescence properties and molecular packing in the solid state are also

  第一次，通过在非常温和的条件下将一个或多个硫原子转移到磺酰基上，利用HOF·CH 3 CN络合物将一系列稠合的寡聚噻吩氧化。相对于母体化合物，这些材料在UV /可见光中表现出相当大的红移吸收。还报道了其非常有趣的光致发光性质和固态分子堆积。
• US9911920B2
  申请人：——

  公开号：US9911920B2

  公开（公告）日：2018-03-06
• Versatile α,ω-Disubstituted Tetrathienoacene Semiconductors for High Performance Organic Thin-Film Transistors
  作者：Jangdae Youn、Peng-Yi Huang、Yu-Wen Huang、Ming-Chou Chen、Yu-Jou Lin、Hui Huang、Rocio Ponce Ortiz、Charlotte Stern、Ming-Che Chung、Chieh-Yuan Feng、Liang-Hsiang Chen、Antonio Facchetti、Tobin J. Marks

  DOI：10.1002/adfm.201101053

  日期：2012.1.11

  Facile one‐pot [1 + 1 + 2] and [2 + 1 + 1] syntheses of thieno[3,2‐b]thieno[2′,3′:4,5]thieno[2,3‐d]thiophene (tetrathienoacene; TTA) semiconductors are described which enable the efficient realization of a new TTA‐based series for organic thin‐film transistors (OTFTs). For the perfluorophenyl end‐functionalized derivative DFP‐TTA, the molecular structure is determined by single‐crystal X‐ray diffraction

  噻吩[3,2- b ]噻吩[2'，3'：4,5]噻吩[2,3- d ]噻吩的简便的一锅[1 +1 + 2]和[2 +1 + 1]合成（四硫杂ac烯； TTA）半导体被描述为能够有效实现基于TTA的有机薄膜晶体管（OTFT）新系列。对于全氟苯基末端官能化的衍生物DFP-TTA，其分子结构由单晶X射线衍射确定。该材料具有n沟道传输，迁移率高达0.30 cm 2 V -1 s -1，开/关比高，为1.8×10 7。因此，DFP-TTA具有迄今未发现的任何熔融噻吩半导体中最高的电子迁移率之一。对于苯基取代的类似物DP-TTA，观察到p通道迁移的迁移率高达0.21 cm 2 V -1 s -1。对于含有2-苯并噻唑基（BS-）的衍生物DBS-TTA，p通道传输仍然表现为空穴迁移率接近2×10 -3 cm 2 V -1 s -1。在这个族中，载流子迁移率的大小很大程度上取决于半导体的生长条件和栅极电介质表面处理。