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1,1'-[5,5'-bis(trimethylsilyl)-[2,2'-bithien]-3,3'-diyl]diethanone | 1613310-45-4

中文名称
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中文别名
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英文名称
1,1'-[5,5'-bis(trimethylsilyl)-[2,2'-bithien]-3,3'-diyl]diethanone
英文别名
——
1,1'-[5,5'-bis(trimethylsilyl)-[2,2'-bithien]-3,3'-diyl]diethanone化学式
CAS
1613310-45-4
化学式
C18H26O2S2Si2
mdl
——
分子量
394.706
InChiKey
YENMEFHKTBPLMV-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 沸点:
    416.7±45.0 °C(Predicted)
  • 密度:
    1.10±0.1 g/cm3(Predicted)

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    4.97
  • 重原子数:
    24.0
  • 可旋转键数:
    5.0
  • 环数:
    2.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.44
  • 拓扑面积:
    34.14
  • 氢给体数:
    0.0
  • 氢受体数:
    4.0

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    1,1'-[5,5'-bis(trimethylsilyl)-[2,2'-bithien]-3,3'-diyl]diethanone四氯化钛四丁基氟化铵 作用下, 以 四氢呋喃 为溶剂, 反应 12.25h, 以66%的产率得到4,5-dimethylbenzo[2,1-b:3,4-b']dithiophene
    参考文献:
    名称:
    用于光伏应用 的含苯并和萘并[2,1- b:3,4- b ']二噻吩的低聚物的合成和表征† ‡
    摘要:
    含稠合苯并[2,1- b:3,4- b ']二噻吩(BDT)和萘[2,1- b:3,4- b ']二噻吩的双氰基乙烯基(DCV)封端低聚物1-7( NDT)作为中心核心已经被合成和表征。这些低聚物由于中央稠环系统的插入而显示出优异的热稳定性,从而允许通过梯度升华以高产率进行纯化。对于参比化合物,非融合四聚体DCV4T,新的低聚物在吸收光谱和发射光谱中表现出七色变迁,并且在薄膜中具有较大的带隙。由于较高的LUMO能量水平,它们相对于C 60表现出足够的能量偏移以实现有机太阳能电池中有效的电荷转移。同时,低水平的HOMO能级会导致高的开路电压(V OC)。结果,衍生自新型低聚物和C 60的平面异质结(PHJ)太阳能电池可提供高达1.21 V的非常高的开路电压(V OC)和高达2.7%的功率转换效率(PCE)。包含低聚物1-4和C 60的体异质结(BHJ)器件的V OC略低,为1 V,导致效率高达3
    DOI:
    10.1039/c4tc00335g
  • 作为产物:
    描述:
    N-甲氧基-N-甲基乙酰胺3,3’-二溴-5,5’-双(三甲基硅基)-2,2’-联噻吩正丁基锂 作用下, 以 四氢呋喃正己烷 为溶剂, 反应 1.0h, 以66%的产率得到1,1'-[5,5'-bis(trimethylsilyl)-[2,2'-bithien]-3,3'-diyl]diethanone
    参考文献:
    名称:
    用于光伏应用 的含苯并和萘并[2,1- b:3,4- b ']二噻吩的低聚物的合成和表征† ‡
    摘要:
    含稠合苯并[2,1- b:3,4- b ']二噻吩(BDT)和萘[2,1- b:3,4- b ']二噻吩的双氰基乙烯基(DCV)封端低聚物1-7( NDT)作为中心核心已经被合成和表征。这些低聚物由于中央稠环系统的插入而显示出优异的热稳定性,从而允许通过梯度升华以高产率进行纯化。对于参比化合物,非融合四聚体DCV4T,新的低聚物在吸收光谱和发射光谱中表现出七色变迁,并且在薄膜中具有较大的带隙。由于较高的LUMO能量水平,它们相对于C 60表现出足够的能量偏移以实现有机太阳能电池中有效的电荷转移。同时,低水平的HOMO能级会导致高的开路电压(V OC)。结果,衍生自新型低聚物和C 60的平面异质结(PHJ)太阳能电池可提供高达1.21 V的非常高的开路电压(V OC)和高达2.7%的功率转换效率(PCE)。包含低聚物1-4和C 60的体异质结(BHJ)器件的V OC略低,为1 V,导致效率高达3
    DOI:
    10.1039/c4tc00335g
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