我们报告了11个分子夹的X射线晶体结构,并分析了取代基(如OMe,Me和NO 2)及其位置对所观察到的晶体堆积的影响。由于芳族壁之间的π-π相互作用,分子夹3a和3b在晶体中形成带状结构。化合物3d,3eC和3fC形成由临界CH-H·O相互作用驱动的二聚体,然后在晶体中形成由π-π相互作用驱动的带。这两个建筑基元π-π和C-H··O相互作用,可用于合理化在其余五个分子夹的X射线晶体结构中观察到的对映体和非对映体选择性。例如,C-H ...ö相互作用被发现在规定的同手型结构二聚体的形成(±) - 3ET和(±) - 3英尺和控制的非对映选择性形成图6a 2 - 6c中2个二聚体基序内部带有对-二甲氧基-o-二
甲苯壁。总体而言,结果表明,即使诱导微弱的分子间相互作用(例如CH···O)的取代基效应也可用于可靠地控制基于甘
脲的系统中的晶体堆积。