摘要:
一系列低熔点、热稳定的镉金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 前驱体已被合成、结构和光谱表征,并用于高导电和透明 CdO 薄膜的生长。该系列的一个成员,双(1,1,1,5,5,5-六氟-2,4-戊二酮)(N,N-二乙基-N',N'-二甲基-乙二胺)镉(II),由于低熔点和强大的热稳定性,Cd(hfa)(2)()(N,N-DE-N',N'-DMEDA) 比以前可用的 Cd 前体具有特别显着的改进。在 300 到 412 摄氏度之间通过 MOCVD 在玻璃和单晶 MgO(100) 上生长高质量的 CdO 薄膜。薄膜生长参数和基板表面对微观结构和电子载流子传输性能有很大影响。在 MgO(100) 与玻璃上生长的高度双轴织构薄膜的迁移率增强归因于直流电荷传输和微观结构分析,这归因于中性杂质散射的减少和/或更密集的晶粒微观结构。尽管在 MgO(100) 上生长的单晶粒膜比具有大约 100 nm 离散