12-methoxydodecylphosphonic acid | 1446325-63-8

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物
• 英文名称: 12-methoxydodecylphosphonic acid
• CAS: 1446325-63-8
• 化学式: C₁₃H₂₉O₄P
• 分子量: 280.345
• InChiKey: CYUCZGOJDPJCEC-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.9
• 重原子数：
  18
• 可旋转键数：
  13
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  66.8
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  diethyl 12-methoxydodecylphosphonate 在 三甲基溴硅烷 、 水 作用下， 以 二氯甲烷 为溶剂， 反应 2.0h， 以95%的产率得到12-methoxydodecylphosphonic acid
  参考文献：
  名称：

  具有增强的表面能的自组装磷酸单分子膜，用于高性能溶液处理的N通道有机薄膜晶体管

  摘要：

  添加一个O：制备溶液处理的有机薄膜晶体管（OTFT）的新策略是基于通过将极性氧原子插入膦酸的长烷基链中来增强自组装单层（SAM）的表面能。在高k金属氧化物层上的这些膦酸的SAMs导致溶液处理的n沟道OTFT具有平均场效应迁移率高达2.5 cm 2  V -1  s -1和低工作电压。

  DOI：

  10.1002/anie.201300353

文献信息

• SELF-ASSEMBLED MONOLAYERS OF PHOSPHONIC ACIDS AS DIELECTRIC SURFACES FOR HIGH-PERFORMANCE ORGANIC THIN FILM TRANSISTORS
  申请人：THE CHINESE UNIVERSITY OF HONG KONG

  公开号：US20150364684A1

  公开（公告）日：2015-12-17

  Cycloalkylalkylphosphonic acids are presented that are useful for forming a self-assembled monolayer (SAM) on a surface of a metal oxide layer. The combined SAM and metal oxide layer form the dielectric layer of an organic thin film transistor (OTFT). The OTFT can be formed with p-type and n-type organic semiconductor layers on the SAM. The OTFT display superior field effect mobilities and air stabilities to other SAMs and the SAMS of cycloalkylalkylphosphonic acids allow deposition of the organic semiconductors by either vapor deposition or solution processing techniques.

  环烷基烷基膦酸可用于在金属氧化物层表面形成自组装单分子层（SAM）。组合的SAM和金属氧化物层形成有机薄膜晶体管（OTFT）的介电层。OTFT可以在SAM上形成p型和n型有机半导体层。相比其他SAM和环烷基烷基膦酸SAM，OTFT显示出优越的场效应迁移率和空气稳定性，环烷基烷基膦酸SAM允许通过蒸发沉积或溶液处理技术沉积有机半导体。
• US9701698B2
  申请人：——

  公开号：US9701698B2

  公开（公告）日：2017-07-11