5,5,5'',5''-tetrabutyl-2',7'-bis(tributylstannyl)dispiro[[1,3]dioxane-2,4'-s-indaceno[2,1-d:6,5-d']bis(thiazole)-9',2''-[1,3]dioxane] | 1333248-67-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物
• 英文名称: 5,5,5'',5''-tetrabutyl-2',7'-bis(tributylstannyl)dispiro[[1,3]dioxane-2,4'-s-indaceno[2,1-d:6,5-d']bis(thiazole)-9',2''-[1,3]dioxane]
• CAS: 1333248-67-1
• 化学式: C₆₀H₁₀₀N₂O₄S₂Sn₂
• 分子量: 1215.02
• InChiKey: PSXHRGFGDFYMJB-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  17.9
• 重原子数：
  70.0
• 可旋转键数：
  32.0
• 环数：
  7.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.8
• 拓扑面积：
  62.7
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  8.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  4'-溴-2,2,2-三氟苯乙酮 、 5,5,5'',5''-tetrabutyl-2',7'-bis(tributylstannyl)dispiro[[1,3]dioxane-2,4'-s-indaceno[2,1-d:6,5-d']bis(thiazole)-9',2''-[1,3]dioxane] 在 四(三苯基膦)钯 作用下， 以 甲苯 为溶剂， 反应 13.0h， 生成 1,2-[Carbonyl[2-[4-(trifluoroacetyl)phenyl]thiazole-4,5-diyl]]-4,5-[carbonyl[2-[4-(trifluoroacetyl)phenyl]thiazole-4,5-diyl]]benzene
  参考文献：
  名称：

  空气稳定的n型有机场效应晶体管基于对4,9-二氢小号-indaceno [1,2 b：5,6- b ']二噻唑-4,9-二酮单位

  摘要：

  4,9-二氢-小号-indaceno [1,2 b：5,6- b ']二噻唑-4,9-二酮（IDD）被设计为一个新颖的带负电的单元，以及π共轭化合物（2C-合成含有TzPhTz的TzPhTz作为空气稳定的n型有机场效应晶体管（OFET）材料的候选材料。循环伏安法测量表明，IDD单元有助于降低最低的空分子轨道（LUMO）能量水平。2C-TzPhTz的X射线晶体学分析显示几乎是平面的分子几何形状和密集的分子堆积，这对电子传输是有利的。基于2C-TzPhTz的OFET表现出高达0.39 cm 2 V –1 s –1的高电子迁移率，这是五环二酮类材料中观察到的最高电子迁移率之一。顶部接触式OFET器件在环境条件下显示出操作稳定性和长期稳定性，这归因于低水平的LUMO能级和固态的致密堆积。此外，底部接触的OFET在空气暴露条件下也保持了超过0.1 cm 2 V –1 s –1的良好电子迁移率。我们证明了n型OFET对H

  DOI：

  10.1021/cm301985q
• 作为产物：
  描述：

  2,5-二溴对苯二甲酸 在 四(三苯基膦)钯 、 正丁基锂 、 氯化亚砜 、 对甲苯磺酸 、 三乙胺 、 lithium diisopropyl amide 作用下， 以 四氢呋喃 、 二氯甲烷 、 N,N-二甲基甲酰胺 、 甲苯 、 苯 为溶剂， 反应 23.5h， 生成 5,5,5'',5''-tetrabutyl-2',7'-bis(tributylstannyl)dispiro[[1,3]dioxane-2,4'-s-indaceno[2,1-d:6,5-d']bis(thiazole)-9',2''-[1,3]dioxane]
  参考文献：
  名称：

  空气稳定的n型有机场效应晶体管基于对4,9-二氢小号-indaceno [1,2 b：5,6- b ']二噻唑-4,9-二酮单位

  摘要：

  4,9-二氢-小号-indaceno [1,2 b：5,6- b ']二噻唑-4,9-二酮（IDD）被设计为一个新颖的带负电的单元，以及π共轭化合物（2C-合成含有TzPhTz的TzPhTz作为空气稳定的n型有机场效应晶体管（OFET）材料的候选材料。循环伏安法测量表明，IDD单元有助于降低最低的空分子轨道（LUMO）能量水平。2C-TzPhTz的X射线晶体学分析显示几乎是平面的分子几何形状和密集的分子堆积，这对电子传输是有利的。基于2C-TzPhTz的OFET表现出高达0.39 cm 2 V –1 s –1的高电子迁移率，这是五环二酮类材料中观察到的最高电子迁移率之一。顶部接触式OFET器件在环境条件下显示出操作稳定性和长期稳定性，这归因于低水平的LUMO能级和固态的致密堆积。此外，底部接触的OFET在空气暴露条件下也保持了超过0.1 cm 2 V –1 s –1的良好电子迁移率。我们证明了n型OFET对H

  DOI：

  10.1021/cm301985q

文献信息

• NITROGEN-CONTAINING FUSED RING COMPOUND, NITROGEN-CONTAINING FUSED RING POLYMER, ORGANIC THIN FILM, AND ORGANIC THIN FILM ELEMENT
  申请人：Ie Yutaka

  公开号：US20130041123A1

  公开（公告）日：2013-02-14

  Nitrogen-containing fused ring compound having at least one structural unit selected from the group consisting of a structural unit represented by the formula (1-1) and a structural unit represented by the formula (1-2).

  含氮融合环化合物，其至少具有从由式(1-1)表示的结构单元和由式(1-2)表示的结构单元组成的群体中选择的一个结构单元。
• Synthesis, Properties, and n-Type Transistor Characteristics of π-Conjugated Compounds Having a Carbonyl-Bridged Thiazole-Fused Polycyclic System
  作者：Yutaka Ie、Chihiro Sato、Masashi Nitani、Hirokazu Tada、Yoshio Aso

  DOI：10.1002/chem.201404255

  日期：2014.12.8

  electron‐deficient π‐conjugated systems with 4,9‐dihydro‐s‐indaceno[2,1‐d:6,5‐d′]dithiazole‐4,9‐dione‐based structures and fluorinated acyl groups as the terminal units have been designed and synthesized for application as organic field‐effect transistor (OFET) materials. The thermal, photophysical, and electrochemical properties and OFET performance of the synthesized compounds were investigated. OFET

  一系列具有4,9-二氢s-吲哚诺[ 2,1- d：6,5- d' ]二噻唑-4,9-dione基结构和氟化酰基基团的缺电子π共轭体系终端单元已经过设计和合成，可以用作有机场效应晶体管（OFET）材料。研究了合成化合物的热，光物理和电化学性质以及OFET性能。OFET评估显示，所有化合物均表现出典型的电子传输特性，电子迁移率高达0.26 cm 2  V -1  s -1可以实现。OFET操作的空气稳定性取决于化合物的性质，并通过X射线衍射和原子力显微镜进行了研究。末端单元不仅对分子性能有很大影响，而且对成膜性能和OFET性能也有很大的影响。