在这里,我们考虑了一系列以
吲哚[1,2- c ]
喹唑啉(IQ)为核心部分的对称稠合杂环
芳烃(HAH)的合成和表征。通过使用各种光谱方法系统地研究了所有新的 HAH IQ 系列。此外,它们的光物理特性得到了密度泛函理论 (DFT) 和瞬态密度泛函理论 (TDDFT) 研究的支持,以支持实验结果。四甲基取代的
吲哚[1,2- c ]
喹唑啉(TMIQ)化合物显示出π - π的位移类型堆叠相互作用,使该系列成为一种新的半导体材料。TMIQ 的基于单晶的场效应晶体管器件表现出有效的电荷传输行为,p 沟道场效应迁移率为 0.25 cm 2 V -1 s -1,开/关比为 5 × 10 5。