hexyl 4-methyl-4H-thieno[3,2-b]pyrrole-5-carboxylate | 1610851-67-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 噻吩并吡咯类
• 英文名称: hexyl 4-methyl-4H-thieno[3,2-b]pyrrole-5-carboxylate
• CAS: 1610851-67-6
• 化学式: C₁₄H₁₉NO₂S
• 分子量: 265.376
• InChiKey: CTJGWHYBEAVWKK-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.98
• 重原子数：
  18.0
• 可旋转键数：
  6.0
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.5
• 拓扑面积：
  31.23
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  4.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  hexyl 4-methyl-4H-thieno[3,2-b]pyrrole-5-carboxylate 在 potassium phosphate 、 tris-(dibenzylideneacetone)dipalladium(0) 、 (1,5-cyclooctadiene)(methoxy)iridium(I) dimer 、 4,4'-二叔丁基-2,2'-二吡啶 、 2-二环己基磷-2,4,6-三异丙基联苯 作用下， 以 乙二醇二甲醚 、 正己烷 为溶剂， 反应 52.0h， 生成 Hexyl 2-[4-(5-hexoxycarbonyl-4-methylthieno[3,2-b]pyrrol-2-yl)-2,1,3-benzothiadiazol-7-yl]-4-methylthieno[3,2-b]pyrrole-5-carboxylate
  参考文献：
  名称：

  用于场效应晶体管的半导电双吡咯并噻吩的合成与性能

  摘要：

  一系列新的高度可溶性bispyrrolothiophenes通过使用过渡金属催化的C来自乙烯基基叠氮化物的合成氢键官能化。除了修饰存在于吡咯并噻吩末端的取代基外，两个单元之间的芳烃连接基也发生了变化。比较了这些双吡咯并噻吩的溶液状态性质和场效应晶体管（FET）的电性能。我们的研究表明，我们化合物的光学性质和氧化潜能主要由具有最大λ的吡咯并噻吩单元决定。 大约400 nm的电导率和大约1 V的氧化值。用这些双吡咯并噻吩的薄膜构造的FET器件也通过薄膜溶液处理来制造。这些化合物之一是与苯并硫基二唑连接的双吡咯并噻吩，其迁移率约为0.3 cm 2  V -1  s -1，I on / I off值大于10 6。

  DOI：

  10.1002/chem.201304914
• 作为产物：
  描述：

  4H-噻吩并[3,2-b]吡咯-5-羧酸甲酯 在 iron(III)-acetylacetonate 、 sodium hydride 、 sodium carbonate 作用下， 以 正庚烷 、 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 反应 13.5h， 生成 hexyl 4-methyl-4H-thieno[3,2-b]pyrrole-5-carboxylate
  参考文献：
  名称：

  用于场效应晶体管的半导电双吡咯并噻吩的合成与性能

  摘要：

  一系列新的高度可溶性bispyrrolothiophenes通过使用过渡金属催化的C来自乙烯基基叠氮化物的合成氢键官能化。除了修饰存在于吡咯并噻吩末端的取代基外，两个单元之间的芳烃连接基也发生了变化。比较了这些双吡咯并噻吩的溶液状态性质和场效应晶体管（FET）的电性能。我们的研究表明，我们化合物的光学性质和氧化潜能主要由具有最大λ的吡咯并噻吩单元决定。 大约400 nm的电导率和大约1 V的氧化值。用这些双吡咯并噻吩的薄膜构造的FET器件也通过薄膜溶液处理来制造。这些化合物之一是与苯并硫基二唑连接的双吡咯并噻吩，其迁移率约为0.3 cm 2  V -1  s -1，I on / I off值大于10 6。

  DOI：

  10.1002/chem.201304914