4,5-dimercaptophthalonitrile | 352320-69-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯硫酚类
• 英文名称: 4,5-dimercaptophthalonitrile
• 英文别名: 1,2-Benzenedicarbonitrile, 4,5-dimercapto-；4,5-bis(sulfanyl)benzene-1,2-dicarbonitrile
• CAS: 352320-69-5
• 化学式: C₈H₄N₂S₂
• 分子量: 192.265
• InChiKey: CULQAYGWLYMTSX-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  100 °C (decomp)
• 沸点：
  419.3±45.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.39±0.1 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.7
• 重原子数：
  12
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  49.6
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  [platinum(II)dichloride(1,2-bis(diphenylphosphino)ethane)] 、 4,5-dimercaptophthalonitrile 在 三乙胺 作用下， 以 二氯甲烷 为溶剂， 反应 22.0h， 以62%的产率得到(bis(1,2-diphenylphosphino)ethane)(4,5-dithiolatophthalo-nitrile)platinum(II)
  参考文献：
  名称：

  第10组金属–硫代邻苯二酸盐加帽的酞菁镁–生色团和电子供体/受体实体的耦合及其对硫引起的红移的影响† ‡

  摘要：

  提出了一种在酞菁（Pc）β位置生成硫醇盐基团的简便方法，以及这些基团在10族金属Ni，Pd和Pt（dppe）或SnMe 3配位时赋予Pc配体的独特性质。。特别是，对于所有使用的第10组金属，Q波段都移到了近800 nm，并且由于出现在400至650 nm之间的新的吸收带，络合物显示出全色吸收。Ni，Pd和Pt配位化合物的中度到非常高的单重态氧量子产率分别为0.36、0.76和0.91，证明了所有过渡金属配位的Mg（Pc）配合物的系统间交叉增强。对Pcπ系统和系统间交叉（ISC）有直接影响。MO计算进一步证实了这一点，MO计算表明金属和配体轨道混合，并且暗示Q带跃迁同时具有π→π*和配体到金属的电荷转移特性。此外，

  DOI：

  10.1039/c8dt03681k
• 作为产物：
  描述：

  4,5-二氯酞酰亚胺 在 aluminum (III) chloride 、 ammonium hydroxide 、 氯化亚砜 作用下， 以 四氢呋喃 、 二甲基亚砜 、 N,N-二甲基甲酰胺 、 苯 为溶剂， 反应 139.5h， 生成 4,5-dimercaptophthalonitrile
  参考文献：
  名称：

  多功能亚酞菁纳米球用于靶向，标记和杀死抗生素抗性细菌

  摘要：

  迫切需要开发一种可以抵抗抗生素耐药性细菌的材料，这是对全球健康的主要威胁。为了应对这一挑战，我们合成了多功能亚酞菁（SubPc）聚合物纳米球，该纳米球能够在一次处理中以99％以上的效率靶向，标记和光灭活抗生素耐药性细菌，即使剂量低至4.2 J cm -2和10 n M的负载浓度。由共价连接的SubPc单元组成的带正电的纳米球壳可以增加光敏剂在治疗部位的局部浓度。与相应的单体相比，纳米球表现出优越的性能，大概是因为它们具有增强的水分散性，更高的单线态氧生成效率和光毒性。另外，该材料可用于活细胞的荧光标记，并在体内细菌的光声成像中显示出希望。

  DOI：

  10.1002/anie.201507140

文献信息

• 표면 개질된 고분자 중공 나노캡슐, 및 이의 제조방법
  申请人：INSTITUTE FOR BASIC SCIENCE 기초과학연구원(120120549213) Corp. No ▼ 160171-0006707BRN ▼314-82-15276

  公开号：KR20180017774A

  公开（公告）日：2018-02-21

  본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 조성물을 중합하여 형성된 고분자 중공 나노캡슐이 표면 개질되어 수분산 상태에서 양의 제타 전위를 갖는, 표면 개질된 고분자 중공 나노캡슐 및 이의 제조방법에 관한 것이다. [화학식 1] (상기 화학식 1에서, X는 서브프탈로시아닌, 프탈로시아닌 또는 포르피린이며, L은 -OR- 또는 -SR-이고, 이때, 상기 R 및 R는 서로 독립적으로 직접결합, 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐렌기, 탄소수 6 내지 20의 사이클로알킬렌기, 탄소수 6 내지 20의 사이클로알케닐렌기 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기이며; Y은 비닐기, 아크릴기, 메타크릴기, 티올기 또는 아민기이며, m은 3 내지 10의 정수이다.)

  这项发明涉及中合成包含化学式1所示化合物的组合物形成的高分子中空纳米胶囊的表面修饰，使其在水分散状态下具有正电荷电位，以及表面修饰的高分子中空纳米胶囊及其制备方法。 [化学式1] （在上述化学式1中，X是亚酞菁，酞菁或卟啉，L是-OR-或-SR-，其中，上述R和R是直接连接，碳数为1到10的烷基，碳数为2到10的烷基，碳数为6到20的环烷基，碳数为6到20的环烷基或碳数为6到20的芳基基团; Y是乙烯基，丙烯酸基，甲基丙烯酸基，硫醇基或胺基，m是3到10的整数。）
• Synthesis, Structure and Physical Properties of Tetrabutylammonium Salts of Nickel Complexes with the New Ligand dcbdt = 4,5-dicyanobenzene-1,2-dithiolate, [Ni(dcbdt)2]z− (z = 0.4, 1, 2)
  作者：Dulce Simão、Helena Alves、Dulce Belo、Sandra Rabaça、Elsa Branco Lopes、Isabel Cordeiro Santos、Vasco Gama、Maria Teresa Duarte、Rui Teives Henriques、Horácio Novais、Manuel Almeida

  DOI：10.1002/1099-0682(200112)2001:12<3119::aid-ejic3119>3.0.co;2-0

  日期：2001.12

  The synthesis and characterization of the new aromatic ortho-dithiol, 4,5-dicyanobenzene-1,2-dithiol (3) is reported. This compound was used to prepare tetrabutylammonium salts of novel nickel complexes; the nickel(II) salt (nBu4N)2[Ni(dcbdt)2] (4), the nickel(III) salt (nBu4N)2[Ni(dcbdt)2]2 (5), and the partially oxidized NiIII/IV salt (nBu4N)2[Ni(dcbdt)2]5 (6). (dcbdt = 4,5-dicyanobenzene-1,2-dithiolate)

  报道了新的芳族邻二硫醇 4,5-二氰基苯-1,2-二硫醇 (3) 的合成和表征。该化合物用于制备新型镍配合物的四丁基铵盐；镍 (II) 盐 (nBu4N)2[Ni(dcbdt)2] (4)、镍 (III) 盐 (nBu4N)2[Ni(dcbdt)2]2 (5) 和部分氧化的 NiIII/IV盐 (nBu4N)2[Ni(dcbdt)2]5 (6)。（dcbdt = 4,5-二氰基苯-1,2-二硫醇盐）。NiII 配合物呈现方形平面配位几何形状并且是抗磁性的，而在顺磁性 NiIII 配合物中，Ni(dcbdt)2 单元与金属原子在方形锥体配位几何中强烈二聚化，其磁化率遵循单线态三重态具有反铁磁耦合 J = 897 K 的模型。
• A Series of Transition Metal Bis(dicyanobenzenedithiolate) Complexes [M(dcbdt) ₂ ] (M = Fe, Co, Ni, Pd, Pt, Cu, Au and Zn)
  作者：Helena Alves、Dulce Simão、Isabel Cordeiro Santos、Vasco Gama、Rui Teives Henriques、Horácio Novais、Manuel Almeida

  DOI：10.1002/ejic.200300476

  日期：2004.3

  triclinic P with the metal in a tetrahedral coordination geometry; ii) other MII complexes [M = Pt (8), Pd (7), Co (3) and Cu (5)] are monoclinic C2/m, and are isostructural with the NiII analogue, presenting a perfectly planar square geometry; iii) the CoIII compound 4 is triclinic P , and isostructural with the Fe and Ni analogues, with a strong dimerisation of the M(dcbdt)2 units and the metal in

  二氰基苯二硫醇 (dcbdt) 配体与一系列不同氧化态 (z = 0.4) 的过渡金属 (M = Co、Pd、Pt、Cu、Au 和 Zn) 的一系列新 M[(dcbdt)2]-z 配合物, 1, 2) 制备为它们的 nBu4N 盐，并通过 X 射线衍射、循环伏安法、EPR 和静磁化率进行表征。它们的特性与我们最近描述的 Ni 和 Fe 类似物进行了比较。这些配合物的结构属于四个不同的组：i) ZnII 化合物 10 是三斜 P，金属在四面体配位几何结构中；ii) 其他 MII 配合物 [M = Pt (8), Pd (7), Co (3) 和 Cu (5)] 是单斜 C2/m，与 NiII 类似物同构，呈现完美的平面方形几何形状；iii) CoIII 化合物 4 是三斜 P ，与 Fe 和 Ni 类似物同构，M(dcbdt)2 单元和金属在方锥配位几何结构中的强二聚化；iv) 具有 M =
• SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING QUANTUM DOTS
  申请人：CANON KABUSHIKI KAISHA

  公开号：EP3859804A2

  公开（公告）日：2021-08-04

  A semiconductor device includes an anode (131), a cathode (134), a first functional layer (133B) between the anode and cathode, and a second functional layer (133C) between the first functional layer and the cathode. The first functional layer contains a first quantum dot having a first ligand, and the second functional layer contains a second quantum dot having a second ligand different from the first ligand. The second ligand is an aromatic compound having a sulfide bond and an ester bond.

  一种半导体器件包括阳极（131）、阴极（134）、阳极和阴极之间的第一功能层（133B）以及第一功能层和阴极之间的第二功能层（133C）。第一功能层包含具有第一配体的第一量子点，第二功能层包含具有不同于第一配体的第二配体的第二量子点。第二配体是具有硫化键和酯键的芳香族化合物。
• Physical properties of thin filmed dithiolene vanadium complexes
  作者：Kazumasa Ueda、Go Tanaka、Tomoki Suzuki、Ryusuke Kita、Satoshi Kokado

  DOI：10.1016/j.poly.2005.03.070

  日期：2005.11

  We have Successfully fabricated micro-scale ring Structures together with porous, bead, two-dimensional network structures of (n-Bu4N)(2)[(dcbdt)(2)VO], (dcbdt = 4,5-dicyanobenzene-1,2-dithiolato), and (n-Bu4N)(2)[(dmit)(2)Zn], (dmit = 2-thioxo-1,3-dithiole-4,5-dithiolate) on glass, magnesium oxide and silicon Substrates using a simple and easy chemical deposition method under ambient or highly humidified conditions for the first time. Dipping process of (n-Bu4N)(2)[(dmit)(2)Zn] under ambient condition gave well defined diamond and hexagonal shaped micro-sized crystals. On the other hand, under highly humidified condition micro-scale ring Structure was obtained. (n-Bu4N)(2)[(dcbdt)(2)VO] shows micro-scale ring, porous, bead and two-dimensional network structures depending on the nature Of the substrates. Furthermore, changing the process from ambient to highly humidified condition diminishes the size of micro-scale rings by 10 times smaller. The micro-scale ring structure discovered in our study seems highly practical due to its simple and easy fabrication method. We believe this Structure has the potential to serve as a new information storage and low cost nano-scale lithography as well as scientific research. (c) 2005 Elsevier Ltd. All rights reserved.