1,2-[Carbonyl[2-[4-(trifluoroacetyl)phenyl]thiazole-4,5-diyl]]-4,5-[carbonyl[2-[4-(trifluoroacetyl)phenyl]thiazole-4,5-diyl]]benzene | 1333248-68-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: 1,2-[Carbonyl[2-[4-(trifluoroacetyl)phenyl]thiazole-4,5-diyl]]-4,5-[carbonyl[2-[4-(trifluoroacetyl)phenyl]thiazole-4,5-diyl]]benzene
• 英文别名: 6,15-bis[4-(2,2,2-trifluoroacetyl)phenyl]-5,14-dithia-7,16-diazapentacyclo[10.6.0.03,10.04,8.013,17]octadeca-1(12),2,4(8),6,10,13(17),15-heptaene-9,18-dione
• CAS: 1333248-68-2
• 化学式: C₃₀H₁₀F₆N₂O₄S₂
• 分子量: 640.543
• InChiKey: MWNNNYBTVBHYLC-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  7.9
• 重原子数：
  44
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  7.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.07
• 拓扑面积：
  151
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  14

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  在 盐酸 、 溶剂黄146 作用下， 以 水 为溶剂， 反应 2.0h， 以77 mg的产率得到1,2-[Carbonyl[2-[4-(trifluoroacetyl)phenyl]thiazole-4,5-diyl]]-4,5-[carbonyl[2-[4-(trifluoroacetyl)phenyl]thiazole-4,5-diyl]]benzene
  参考文献：
  名称：

  空气稳定的n型有机场效应晶体管基于对4,9-二氢小号-indaceno [1,2 b：5,6- b ']二噻唑-4,9-二酮单位

  摘要：

  4,9-二氢-小号-indaceno [1,2 b：5,6- b ']二噻唑-4,9-二酮（IDD）被设计为一个新颖的带负电的单元，以及π共轭化合物（2C-合成含有TzPhTz的TzPhTz作为空气稳定的n型有机场效应晶体管（OFET）材料的候选材料。循环伏安法测量表明，IDD单元有助于降低最低的空分子轨道（LUMO）能量水平。2C-TzPhTz的X射线晶体学分析显示几乎是平面的分子几何形状和密集的分子堆积，这对电子传输是有利的。基于2C-TzPhTz的OFET表现出高达0.39 cm 2 V –1 s –1的高电子迁移率，这是五环二酮类材料中观察到的最高电子迁移率之一。顶部接触式OFET器件在环境条件下显示出操作稳定性和长期稳定性，这归因于低水平的LUMO能级和固态的致密堆积。此外，底部接触的OFET在空气暴露条件下也保持了超过0.1 cm 2 V –1 s –1的良好电子迁移率。我们证明了n型OFET对H

  DOI：

  10.1021/cm301985q

文献信息

• NITROGEN-CONTAINING FUSED RING COMPOUND, NITROGEN-CONTAINING FUSED RING POLYMER, ORGANIC THIN FILM, AND ORGANIC THIN FILM ELEMENT
  申请人：Ie Yutaka

  公开号：US20130041123A1

  公开（公告）日：2013-02-14

  Nitrogen-containing fused ring compound having at least one structural unit selected from the group consisting of a structural unit represented by the formula (1-1) and a structural unit represented by the formula (1-2).

  含氮融合环化合物，其至少具有从由式(1-1)表示的结构单元和由式(1-2)表示的结构单元组成的群体中选择的一个结构单元。
• US8841410B2
  申请人：——

  公开号：US8841410B2

  公开（公告）日：2014-09-23
• US8859717B2
  申请人：——

  公开号：US8859717B2

  公开（公告）日：2014-10-14
• Air-Stable n-Type Organic Field-Effect Transistors Based on 4,9-Dihydro-<i>s</i>-indaceno[1,2-<i>b</i>:5,6-<i>b</i>′]dithiazole-4,9-dione Unit
  作者：Yutaka Ie、Masashi Ueta、Masashi Nitani、Norimitsu Tohnai、Mikiji Miyata、Hirokazu Tada、Yoshio Aso

  DOI：10.1021/cm301985q

  日期：2012.8.28

  4,9-Dihydro-s-indaceno[1,2-b:5,6-b′]dithiazole-4,9-dione (IDD) was designed as a novel electronegative unit, and the π-conjugated compound (2C-TzPhTz) containing it was synthesized as a candidate for air-stable n-type organic field-effect transistor (OFET) materials. Cyclic voltammetry measurements revealed that the IDD unit contributes to lowering the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) energy

  4,9-二氢-小号-indaceno [1,2 b：5,6- b ']二噻唑-4,9-二酮（IDD）被设计为一个新颖的带负电的单元，以及π共轭化合物（2C-合成含有TzPhTz的TzPhTz作为空气稳定的n型有机场效应晶体管（OFET）材料的候选材料。循环伏安法测量表明，IDD单元有助于降低最低的空分子轨道（LUMO）能量水平。2C-TzPhTz的X射线晶体学分析显示几乎是平面的分子几何形状和密集的分子堆积，这对电子传输是有利的。基于2C-TzPhTz的OFET表现出高达0.39 cm 2 V –1 s –1的高电子迁移率，这是五环二酮类材料中观察到的最高电子迁移率之一。顶部接触式OFET器件在环境条件下显示出操作稳定性和长期稳定性，这归因于低水平的LUMO能级和固态的致密堆积。此外，底部接触的OFET在空气暴露条件下也保持了超过0.1 cm 2 V –1 s –1的良好电子迁移率。我们证明了n型OFET对H