我们设计并合成了基于N嵌入的多环阳离子
铱(III)络合物Ir-NO和未嵌入的络合物Ir-N和Ir-O。单晶结构表明,Ir-NO中的N嵌入多环单元表现出一定的平面性,并诱导一个分子的
2,2'-联吡啶部分与另一个分子的两个多环单元之间的两个有趣的π-π堆积,以及它们的最短的分子间距离均为3.24Å,与Ir-N(5.51°)和Ir-O(
2,2'-联吡啶配体相比,具有更大的扭转角(12.70°)导致更强的结构变形。8.11°)。不可预测的是Ir-N和Ir-O在溶液中显示深红色发射,而Ir‐NO不显示发射。但是,所有配合物在其各自的聚
苯乙烯(PS)膜中均显示出显着的发光,并且Ir-NO的发射寿命比Ir-N和Ir-O的发射寿命更长。DFT计算表明,在Ir-NO和Ir-N中可以发现异常的
配体到
金属的电荷转移(3 L
MCT)激发态特征,这与
金属到
配体的电荷转移(3 MLCT)激发态相反。在Ir-O中观察到。