摘要 我们使用纳米晶体油墨沉积了 Ge 合
金化的 Cu2ZnSn1-xGex(S,Se)4 (
CZTG(S,Se)) 薄膜,其中 x = 0, 0.3, 0.5, 0.7, 1 和
丁胺用作油墨溶剂。通过后
硫化和后
硒化,我们提高了涂层薄膜的晶体质量,然后研究了它们的电学和光学性能。随着 x 的增加,
硫化膜的带隙从 1.54 eV (x = 0) 增加到 1.98 eV (x = 1),
硒化膜的带隙从 1.07 eV (x = 0) 增加到 1.48 eV (x = 1) 0 到 1。带隙随 Ge 取代的变化与理论能带弯曲模型非常吻合。
硫化
CZTGS(S) 和
硒化
CZTGS(Se) 薄膜的拉曼峰也显示出通过用 Ge 代替 Sn 的峰值向更高波数移动,表明使用纳米晶体墨
水成功制备了 Ge 合
金薄膜。在
硫化和
硒化薄膜中,观察到晶粒尺寸随着
锗含量的增加而增加。结构和光学性能结果表明,
丁胺基油墨可