hexathienoacene | 929027-73-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 噻吩并噻吩类
• 英文名称: hexathienoacene
• 英文别名: 3,7,10,13,17,20-Hexathiahexacyclo[9.9.0.02,9.04,8.012,19.014,18]icosa-1(11),2(9),4(8),5,12(19),14(18),15-heptaene；3,7,10,13,17,20-hexathiahexacyclo[9.9.0.02,9.04,8.012,19.014,18]icosa-1(11),2(9),4(8),5,12(19),14(18),15-heptaene
• CAS: 929027-73-6
• 化学式: C₁₄H₄S₆
• 分子量: 364.582
• InChiKey: KPNWAUFFNUFLHN-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  620.2±50.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.851±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  7.1
• 重原子数：
  20
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  6.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  169
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  噻吩并[3,2-b]噻吩 在 正丁基锂 、 溴 、 溶剂黄146 、 锌 作用下， 以 乙醚 、 正己烷 、 氯仿 为溶剂， 反应 3.0h， 生成 hexathienoacene
  参考文献：
  名称：

  六ie并六苯：合成，表征和薄膜晶体管

  摘要：

  合成了一种新的六噻吩并并苯（HTA）的线性六噻吩融合系统，在有机半导体的光学，电化学和电荷转移性质方面，它也已与戊并并苯（PTA）进行了比较。在正十八烷基三氯硅烷（OTS）处理的SiO 2 / Si基板上，实现了最高迁移率0.06 cm 2  V -1  s -1和电流开/关比为10 5。

  DOI：

  10.1002/asia.201000001

文献信息

• ORGANIC PHOTOELECTRIC MATERIAL AND ORGANIC PHOTOELECTRIC DEVICE AND IMAGE SENSOR
  申请人：Samsung Electronics Co., Ltd.

  公开号：US20140008619A1

  公开（公告）日：2014-01-09

  An organic photoelectric material may include a compound represented by the above Chemical Formula 1, and an organic photoelectric device and an image sensor including the organic photoelectric material.
• US8890134B2
  申请人：——

  公开号：US8890134B2

  公开（公告）日：2014-11-18
• Hexathienoacene: Synthesis, Characterization, and Thin-Film Transistors
  作者：Ying Liu、Xiangnan Sun、Chong-an Di、Yunqi Liu、Chunyan Du、Kun Lu、Shanghui Ye、Gui Yu

  DOI：10.1002/asia.201000001

  日期：——

  A new linear six thiophene‐fused system of hexathienoacene (HTA) has been synthesized, which has also been compared with pentathienoacene (PTA) in terms of optical, electrochemical, and charge‐transfer properties of organic semiconductors. The highest mobility of 0.06 cm2 V−1 s−1 with a current on/off ratio of 105 on n‐octadecyltrichlorosilane (OTS)‐treated SiO2/Si substrates has been achieved.

  合成了一种新的六噻吩并并苯（HTA）的线性六噻吩融合系统，在有机半导体的光学，电化学和电荷转移性质方面，它也已与戊并并苯（PTA）进行了比较。在正十八烷基三氯硅烷（OTS）处理的SiO 2 / Si基板上，实现了最高迁移率0.06 cm 2  V -1  s -1和电流开/关比为10 5。